Ширина перехода соединения Калькулятор

✖Проникновение заряда N-типа относится к явлению, когда дополнительные электроны от атомов примеси, обычно фосфора или мышьяка, проникают в кристаллическую решетку полупроводникового материала.ⓘ Проникновение заряда N-типа [x_no]			+10% -10%
✖Концентрация акцептора — это концентрация атома-акцептора или легирующей примеси, который при замещении в решетке полупроводника образует область p-типа.ⓘ Концентрация акцептора [N_a]			+10% -10%
✖Концентрация доноров относится к концентрации или плотности атомов доноров в полупроводниковом материале.ⓘ Концентрация доноров [N_d]			+10% -10%

✖Ширина перехода соединения определяется как пространственная область, в которой ширина соединения изменяется от одного значения к другому.ⓘ Ширина перехода соединения [W_j]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Ширина перехода соединения

Формула

`"W"_{"j"} = "x"_{"no"}*(("N"_{"a"}+"N"_{"d"})/"N"_{"a"})`

Пример

`"0.025013μm"="0.019μm"*(("7.9e35/m³"+"2.5e35/m³")/"7.9e35/m³")`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать SSD-соединение Формулы PDF PDF Image

Ширина перехода соединения Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Ширина перехода соединения = Проникновение заряда N-типа*((Концентрация акцептора+Концентрация доноров)/Концентрация акцептора)
W_j = x_no*((N_a+N_d)/N_a)
В этой формуле используются 4 Переменные

Используемые переменные

Ширина перехода соединения - (Измеряется в метр) - Ширина перехода соединения определяется как пространственная область, в которой ширина соединения изменяется от одного значения к другому.
Проникновение заряда N-типа - (Измеряется в метр) - Проникновение заряда N-типа относится к явлению, когда дополнительные электроны от атомов примеси, обычно фосфора или мышьяка, проникают в кристаллическую решетку полупроводникового материала.
Концентрация акцептора - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Концентрация акцептора — это концентрация атома-акцептора или легирующей примеси, который при замещении в решетке полупроводника образует область p-типа.
Концентрация доноров - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Концентрация доноров относится к концентрации или плотности атомов доноров в полупроводниковом материале.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Проникновение заряда N-типа: 0.019 микрометр --> 1.9E-08 метр (Проверьте преобразование здесь)
Концентрация акцептора: 7.9E+35 1 на кубический метр --> 7.9E+35 1 на кубический метр Конверсия не требуется
Концентрация доноров: 2.5E+35 1 на кубический метр --> 2.5E+35 1 на кубический метр Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

W_j = x_no*((N_a+N_d)/N_a) --> 1.9E-08*((7.9E+35+2.5E+35)/7.9E+35)

Оценка ... ...

W_j = 2.50126582278481E-08

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

2.50126582278481E-08 метр -->0.0250126582278481 микрометр (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

0.0250126582278481 ≈ 0.025013 микрометр <-- Ширина перехода соединения

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Твердотельные устройства » SSD-соединение » Ширина перехода соединения

Кредиты

Сделано Шобхит Димри

Технологический институт Бипина Трипати Кумаон (BTKIT), Дварахат

Шобхит Димри создал этот калькулятор и еще 900+!

Проверено Урви Ратод

Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад

Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

< 16 SSD-соединение Калькуляторы

Емкость перехода

Идти Емкость перехода = (Зона соединения/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Смещение постоянной длины*Легирующая концентрация основания)/(Напряжение источника-Напряжение источника 1))

Длина соединения на стороне P

Идти Длина соединения на стороне P = (Оптический ток/([Charge-e]*Зона соединения*Скорость оптической генерации))-(Ширина перехода соединения+Диффузионная длина переходной области)

Последовательное сопротивление P-типа

Идти Последовательное сопротивление в P-переходе = ((Напряжение источника-Напряжение соединения)/Электрический ток)-Последовательное сопротивление в N-переходе

Последовательное сопротивление типа N

Идти Последовательное сопротивление в N-переходе = ((Напряжение источника-Напряжение соединения)/Электрический ток)-Последовательное сопротивление в P-переходе

Переходное напряжение

Идти Напряжение соединения = Напряжение источника-(Последовательное сопротивление в P-переходе+Последовательное сопротивление в N-переходе)*Электрический ток

Ширина перехода соединения

Идти Ширина перехода соединения = Проникновение заряда N-типа*((Концентрация акцептора+Концентрация доноров)/Концентрация акцептора)

Площадь поперечного сечения соединения

Идти Зона соединения = Общий заряд акцептора/([Charge-e]*Проникновение заряда N-типа*Концентрация акцептора)

Концентрация акцептора

Идти Концентрация акцептора = Общий заряд акцептора/([Charge-e]*Проникновение заряда N-типа*Зона соединения)

Ширина N-типа

Идти Проникновение заряда N-типа = Общий заряд акцептора/(Зона соединения*Концентрация акцептора*[Charge-e])

Общий заряд акцептора

Идти Общий заряд акцептора = [Charge-e]*Проникновение заряда N-типа*Зона соединения*Концентрация акцептора

Концентрация доноров

Идти Концентрация доноров = Общий заряд акцептора/([Charge-e]*Проникновение заряда P-типа*Зона соединения)

Коэффициент поглощения

Идти Коэффициент поглощения = (-1/Толщина образца)*ln(Поглощенная мощность/Мощность инцидента)

Поглощенная мощность

Идти Поглощенная мощность = Мощность инцидента*exp(-Толщина образца*Коэффициент поглощения)

Чистое распределение заряда

Идти Чистое распределение = (Концентрация доноров-Концентрация акцептора)/Оцененная постоянная

Длина соединения PN

Идти Длина соединения = Смещение постоянной длины+Эффективная длина канала

Квантовое число

Идти Квантовое число = [Coulomb]*Потенциальная длина скважины/3.14

Ширина перехода соединения формула

Ширина перехода соединения = Проникновение заряда N-типа*((Концентрация акцептора+Концентрация доноров)/Концентрация акцептора)
W_j = x_no*((N_a+N_d)/N_a)

Что такое диффузионные и дрейфовые токи?

Дрейфовый ток зависит от приложенного электрического поля, если нет электрического поля, то дрейфовый ток отсутствует. Диффузионный ток возникает, даже если к полупроводнику не приложено электрическое поле.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!