Junction Overgangsbreedte Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

✖Ladingspenetratie N-type verwijst naar het fenomeen waarbij extra elektronen van doteringsatomen, meestal fosfor of arseen, het kristalrooster van het halfgeleidermateriaal binnendringen.ⓘ Ladingspenetratie N-type [x_no]			+10% -10%
✖Acceptorconcentratie is de concentratie van een acceptor of doteringsatoom dat, wanneer het wordt gesubstitueerd in een halfgeleiderrooster, een p-type gebied vormt.ⓘ Acceptor concentratie [N_a]			+10% -10%
✖Donorconcentratie verwijst naar de concentratie of dichtheid van donoratomen in een halfgeleidermateriaal.ⓘ Donor concentratie [N_d]			+10% -10%

✖Knooppunt Overgangsbreedte wordt gedefinieerd als het ruimtelijke gebied waarover de breedte van het knooppunt verandert van de ene waarde naar de andere.ⓘ Junction Overgangsbreedte [W_j]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Junction Overgangsbreedte

Formule

`"W"_{"j"} = "x"_{"no"}*(("N"_{"a"}+"N"_{"d"})/"N"_{"a"})`

Voorbeeld

`"0.025013μm"="0.019μm"*(("7.9e35/m³"+"2.5e35/m³")/"7.9e35/m³")`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden SSD-knooppunt Formules Pdf PDF Image

Junction Overgangsbreedte Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Junction Overgangsbreedte = Ladingspenetratie N-type*((Acceptor concentratie+Donor concentratie)/Acceptor concentratie)
W_j = x_no*((N_a+N_d)/N_a)
Deze formule gebruikt 4 Variabelen

Variabelen gebruikt

Junction Overgangsbreedte - (Gemeten in Meter) - Knooppunt Overgangsbreedte wordt gedefinieerd als het ruimtelijke gebied waarover de breedte van het knooppunt verandert van de ene waarde naar de andere.
Ladingspenetratie N-type - (Gemeten in Meter) - Ladingspenetratie N-type verwijst naar het fenomeen waarbij extra elektronen van doteringsatomen, meestal fosfor of arseen, het kristalrooster van het halfgeleidermateriaal binnendringen.
Acceptor concentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Acceptorconcentratie is de concentratie van een acceptor of doteringsatoom dat, wanneer het wordt gesubstitueerd in een halfgeleiderrooster, een p-type gebied vormt.
Donor concentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Donorconcentratie verwijst naar de concentratie of dichtheid van donoratomen in een halfgeleidermateriaal.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Ladingspenetratie N-type: 0.019 Micrometer --> 1.9E-08 Meter (Bekijk de conversie hier)
Acceptor concentratie: 7.9E+35 1 per kubieke meter --> 7.9E+35 1 per kubieke meter Geen conversie vereist
Donor concentratie: 2.5E+35 1 per kubieke meter --> 2.5E+35 1 per kubieke meter Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

W_j = x_no*((N_a+N_d)/N_a) --> 1.9E-08*((7.9E+35+2.5E+35)/7.9E+35)

Evalueren ... ...

W_j = 2.50126582278481E-08

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

2.50126582278481E-08 Meter -->0.0250126582278481 Micrometer (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.0250126582278481 ≈ 0.025013 Micrometer <-- Junction Overgangsbreedte

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Solid State-apparaten » SSD-knooppunt » Junction Overgangsbreedte

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 16 SSD-knooppunt Rekenmachines

Verbindingscapaciteit

Gaan Verbindingscapaciteit = (Verbindingsgebied/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Constante lengteverschuiving*Dopingconcentratie van base)/(Bronspanning-Bronspanning 1))

Lengte van de P-zijde kruising

Gaan Lengte van de P-zijde kruising = (Optische Stroom/([Charge-e]*Verbindingsgebied*Optische generatiesnelheid))-(Junction Overgangsbreedte+Diffusielengte van overgangsgebied)

Junction Overgangsbreedte

Gaan Junction Overgangsbreedte = Ladingspenetratie N-type*((Acceptor concentratie+Donor concentratie)/Acceptor concentratie)

Serieweerstand in P-type

Gaan Serieweerstand in P-kruising = ((Bronspanning-Verbindingsspanning)/Elektrische stroom)-Serieweerstand in N-kruising

Serieweerstand in N-type

Gaan Serieweerstand in N-kruising = ((Bronspanning-Verbindingsspanning)/Elektrische stroom)-Serieweerstand in P-kruising

Junctiespanning

Gaan Verbindingsspanning = Bronspanning-(Serieweerstand in P-kruising+Serieweerstand in N-kruising)*Elektrische stroom

Dwarsdoorsnede van kruising

Gaan Verbindingsgebied = Totale acceptatiekosten/([Charge-e]*Ladingspenetratie N-type*Acceptor concentratie)

Breedte van het type N

Gaan Ladingspenetratie N-type = Totale acceptatiekosten/(Verbindingsgebied*Acceptor concentratie*[Charge-e])

Acceptor concentratie

Gaan Acceptor concentratie = Totale acceptatiekosten/([Charge-e]*Ladingspenetratie N-type*Verbindingsgebied)

Totale acceptatiekosten

Gaan Totale acceptatiekosten = [Charge-e]*Ladingspenetratie N-type*Verbindingsgebied*Acceptor concentratie

Donor concentratie

Gaan Donor concentratie = Totale acceptatiekosten/([Charge-e]*Ladingspenetratie P-type*Verbindingsgebied)

Absorptiecoëfficiënt

Gaan Absorptiecoëfficiënt = (-1/Monster Dikte)*ln(Opgenomen vermogen/Incidentele kracht)

Opgenomen vermogen

Gaan Opgenomen vermogen = Incidentele kracht*exp(-Monster Dikte*Absorptiecoëfficiënt)

Netto verdeling van kosten

Gaan Netto distributie = (Donor concentratie-Acceptor concentratie)/Gegradeerde constante

PN Junction Lengte

Gaan Verbindingslengte = Constante lengteverschuiving+Effectieve kanaallengte

Kwantum nummer

Gaan Kwantum nummer = [Coulomb]*Potentiële putlengte/3.14

Junction Overgangsbreedte Formule

Junction Overgangsbreedte = Ladingspenetratie N-type*((Acceptor concentratie+Donor concentratie)/Acceptor concentratie)
W_j = x_no*((N_a+N_d)/N_a)

Wat zijn diffusie- en driftstromen?

Driftstroom is afhankelijk van het toegepaste elektrische veld, als er geen elektrisch veld is, is er geen driftstroom. Er treedt diffusiestroom op hoewel er geen elektrisch veld op de halfgeleider wordt toegepast.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!