Largeur de transition de jonction Calculatrice

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Porteurs de semi-conducteurs

✖La pénétration de charge de type N fait référence au phénomène par lequel des électrons supplémentaires provenant d'atomes dopants, généralement du phosphore ou de l'arsenic, pénètrent dans le réseau cristallin du matériau semi-conducteur.ⓘ Pénétration de charge de type N [x_no]			+10% -10%
✖La concentration d'accepteur est la concentration d'un atome accepteur ou dopant qui, lorsqu'il est substitué dans un réseau semi-conducteur, forme une région de type p.ⓘ Concentration d'accepteur [N_a]			+10% -10%
✖La concentration du donneur fait référence à la concentration ou à la densité des atomes donneurs dans un matériau semi-conducteur.ⓘ Concentration des donateurs [N_d]			+10% -10%

✖La largeur de transition de jonction est définie comme la région spatiale sur laquelle la largeur de jonction passe d'une valeur à une autre.ⓘ Largeur de transition de jonction [W_j]

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Formule

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Largeur de transition de jonction

Formule

`"W"_{"j"} = "x"_{"no"}*(("N"_{"a"}+"N"_{"d"})/"N"_{"a"})`

Exemple

`"0.025013μm"="0.019μm"*(("7.9e35/m³"+"2.5e35/m³")/"7.9e35/m³")`

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Largeur de transition de jonction Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Largeur de transition de jonction = Pénétration de charge de type N*((Concentration d'accepteur+Concentration des donateurs)/Concentration d'accepteur)
W_j = x_no*((N_a+N_d)/N_a)
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

Largeur de transition de jonction - (Mesuré en Mètre) - La largeur de transition de jonction est définie comme la région spatiale sur laquelle la largeur de jonction passe d'une valeur à une autre.
Pénétration de charge de type N - (Mesuré en Mètre) - La pénétration de charge de type N fait référence au phénomène par lequel des électrons supplémentaires provenant d'atomes dopants, généralement du phosphore ou de l'arsenic, pénètrent dans le réseau cristallin du matériau semi-conducteur.
Concentration d'accepteur - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration d'accepteur est la concentration d'un atome accepteur ou dopant qui, lorsqu'il est substitué dans un réseau semi-conducteur, forme une région de type p.
Concentration des donateurs - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration du donneur fait référence à la concentration ou à la densité des atomes donneurs dans un matériau semi-conducteur.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Pénétration de charge de type N: 0.019 Micromètre --> 1.9E-08 Mètre (Vérifiez la conversion ici)
Concentration d'accepteur: 7.9E+35 1 par mètre cube --> 7.9E+35 1 par mètre cube Aucune conversion requise
Concentration des donateurs: 2.5E+35 1 par mètre cube --> 2.5E+35 1 par mètre cube Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

W_j = x_no*((N_a+N_d)/N_a) --> 1.9E-08*((7.9E+35+2.5E+35)/7.9E+35)

Évaluer ... ...

W_j = 2.50126582278481E-08

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

2.50126582278481E-08 Mètre -->0.0250126582278481 Micromètre (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

0.0250126582278481 ≈ 0.025013 Micromètre <-- Largeur de transition de jonction

(Calcul effectué en 00.005 secondes)

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Crédits

Créé par Shobhit Dimri

Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 16 Jonction SSD Calculatrices

Capacité de jonction

Aller Capacité de jonction = (Zone de jonction/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Décalage de longueur constante*Concentration de dopage de la base)/(Tension source-Tension d'alimentation 1))

Longueur de la jonction côté P

Aller Longueur de la jonction côté P = (Courant optique/([Charge-e]*Zone de jonction*Taux de génération optique))-(Largeur de transition de jonction+Longueur de diffusion de la région de transition)

Largeur de transition de jonction

Aller Largeur de transition de jonction = Pénétration de charge de type N*((Concentration d'accepteur+Concentration des donateurs)/Concentration d'accepteur)

Résistance série en type P

Aller Résistance série dans la jonction P = ((Tension source-Tension de jonction)/Courant électrique)-Résistance série dans la jonction N

Résistance série en type N

Aller Résistance série dans la jonction N = ((Tension source-Tension de jonction)/Courant électrique)-Résistance série dans la jonction P

Tension de jonction

Aller Tension de jonction = Tension source-(Résistance série dans la jonction P+Résistance série dans la jonction N)*Courant électrique

Concentration des donateurs

Aller Concentration des donateurs = Frais totaux de l'accepteur/([Charge-e]*Pénétration de charge de type P*Zone de jonction)

Zone transversale de jonction

Aller Zone de jonction = Frais totaux de l'accepteur/([Charge-e]*Pénétration de charge de type N*Concentration d'accepteur)

Concentration d'accepteur

Aller Concentration d'accepteur = Frais totaux de l'accepteur/([Charge-e]*Pénétration de charge de type N*Zone de jonction)

Largeur de type N

Aller Pénétration de charge de type N = Frais totaux de l'accepteur/(Zone de jonction*Concentration d'accepteur*[Charge-e])

Frais totaux de l'accepteur

Aller Frais totaux de l'accepteur = [Charge-e]*Pénétration de charge de type N*Zone de jonction*Concentration d'accepteur

Coefficient d'absorption

Aller Coefficient d'absorption = (-1/Épaisseur de l'échantillon)*ln(Pouvoir absorbé/Puissance incidente)

Pouvoir absorbé

Aller Pouvoir absorbé = Puissance incidente*exp(-Épaisseur de l'échantillon*Coefficient d'absorption)

Répartition nette des frais

Aller Répartition nette = (Concentration des donateurs-Concentration d'accepteur)/Constante graduée

Longueur de jonction PN

Aller Longueur de jonction = Décalage de longueur constante+Longueur de canal efficace

Nombre quantique

Aller Nombre quantique = [Coulomb]*Longueur potentielle du puits/3.14

Largeur de transition de jonction Formule

Largeur de transition de jonction = Pénétration de charge de type N*((Concentration d'accepteur+Concentration des donateurs)/Concentration d'accepteur)
W_j = x_no*((N_a+N_d)/N_a)

Qu'est-ce que les courants de diffusion et de dérive?

Le courant de dérive dépend du champ électrique appliqué, s'il n'y a pas de champ électrique, il n'y a pas de courant de dérive. Un courant de diffusion se produit même s'il n'y a pas de champ électrique appliqué au semi-conducteur.

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