Критическое электрическое поле Калькулятор

✖Насыщение скорости — это явление, при котором носители приближаются к максимальной скорости vsat при приложении сильных полей.ⓘ Насыщение скорости [V_sat]			+10% -10%
✖Подвижность электрона определяется как величина средней скорости дрейфа на единицу электрического поля.ⓘ Мобильность электрона [µ_e]			+10% -10%

✖Критическое электрическое поле определяется как электрическая сила на единицу заряда.ⓘ Критическое электрическое поле [E_c]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Критическое электрическое поле

Формула

`"E"_{"c"} = (2*"V"_{"sat"})/"µ"_{"e"}`

Пример

`"0.004064V/mm"=(2*"10.12mm/s")/"49.8cm²/V*s"`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Характеристики схемы КМОП Формулы PDF

Критическое электрическое поле Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Критическое электрическое поле = (2*Насыщение скорости)/Мобильность электрона
E_c = (2*V_sat)/µ_e
В этой формуле используются 3 Переменные

Используемые переменные

Критическое электрическое поле - (Измеряется в Вольт на метр) - Критическое электрическое поле определяется как электрическая сила на единицу заряда.
Насыщение скорости - (Измеряется в метр в секунду) - Насыщение скорости — это явление, при котором носители приближаются к максимальной скорости vsat при приложении сильных полей.
Мобильность электрона - (Измеряется в Квадратный метр на вольт в секунду) - Подвижность электрона определяется как величина средней скорости дрейфа на единицу электрического поля.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Насыщение скорости: 10.12 Миллиметр / сек --> 0.01012 метр в секунду (Проверьте преобразование здесь)
Мобильность электрона: 49.8 Квадратный сантиметр на вольт-секунду --> 0.00498 Квадратный метр на вольт в секунду (Проверьте преобразование здесь)

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

E_c = (2*V_sat)/µ_e --> (2*0.01012)/0.00498

Оценка ... ...

E_c = 4.06425702811245

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

4.06425702811245 Вольт на метр -->0.00406425702811245 вольт на миллиметр (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

0.00406425702811245 ≈ 0.004064 вольт на миллиметр <-- Критическое электрическое поле

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Проектирование и применение КМОП » Характеристики схемы КМОП » Критическое электрическое поле

Кредиты

Сделано Шобхит Димри

Технологический институт Бипина Трипати Кумаон (BTKIT), Дварахат

Шобхит Димри создал этот калькулятор и еще 900+!

Проверено Урви Ратод

Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад

Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

< 15 Характеристики схемы КМОП Калькуляторы

Эффективная емкость CMOS

Идти Эффективная емкость в КМОП = Рабочий цикл*(Выкл. ток*(10^(Базовое напряжение коллектора)))/(Гейтс на критическом пути*[BoltZ]*Базовое напряжение коллектора)

Проницаемость оксидного слоя

Идти Диэлектрическая проницаемость оксидного слоя = Толщина оксидного слоя*Емкость входного затвора/(Ширина ворот*Длина ворот)

Толщина оксидного слоя

Идти Толщина оксидного слоя = Диэлектрическая проницаемость оксидного слоя*Ширина ворот*Длина ворот/Емкость входного затвора

Ширина ворот

Идти Ширина ворот = Емкость входного затвора/(Емкость оксидного слоя затвора*Длина ворот)

Критическое напряжение КМОП

Идти Критическое напряжение в КМОП = Критическое электрическое поле*Длина свободного пробега

Средний свободный путь CMOS

Идти Длина свободного пробега = Критическое напряжение в КМОП/Критическое электрическое поле

Периметр боковой стенки источника диффузии

Идти Периметр боковой стенки диффузии источника = (2*Ширина перехода)+(2*Длина источника)

Напряжение при минимальной ЭДП

Идти Напряжение при минимальном EDP = (3*Пороговое напряжение)/(3-Фактор активности)

Критическое электрическое поле

Идти Критическое электрическое поле = (2*Насыщение скорости)/Мобильность электрона

Ширина области истощения

Идти Ширина области истощения = Длина соединения PN-Эффективная длина канала

Эффективная длина канала

Идти Эффективная длина канала = Длина соединения PN-Ширина области истощения

Длина соединения PN

Идти Длина соединения PN = Ширина области истощения+Эффективная длина канала

Ширина перехода КМОП

Идти Ширина перехода = Емкость перекрытия МОП-затвора/Емкость МОП-ворота

Ширина исходного распространения

Идти Ширина перехода = Область диффузии источника/Длина источника

Область диффузии источника

Идти Область диффузии источника = Длина источника*Ширина перехода

Критическое электрическое поле формула

Критическое электрическое поле = (2*Насыщение скорости)/Мобильность электрона
E_c = (2*V_sat)/µ_e

Что такое насыщение скорости?

Насыщение скорости — это максимальная скорость, которую носитель заряда в полупроводнике, обычно электрон, достигает в присутствии очень сильных электрических полей. Когда это происходит, говорят, что полупроводник находится в состоянии насыщения скорости.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!