Campo Elétrico Crítico Calculadora

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✖velocidade A saturação é o fenômeno em que as portadoras se aproximam de uma velocidade máxima vsat quando campos altos são aplicados.ⓘ Saturação de velocidade [V_sat]			+10% -10%
✖A mobilidade do elétron é definida como a magnitude da velocidade média de deriva por unidade de campo elétrico.ⓘ Mobilidade do Elétron [µ_e]			+10% -10%

✖Campo Elétrico Crítico é definido como a força elétrica por unidade de carga.ⓘ Campo Elétrico Crítico [E_c]

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Fórmula

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Campo Elétrico Crítico

Fórmula

`"E"_{"c"} = (2*"V"_{"sat"})/"µ"_{"e"}`

Exemplo

`"0.004064V/mm"=(2*"10.12mm/s")/"49.8cm²/V*s"`

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Campo Elétrico Crítico Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Campo Elétrico Crítico = (2*Saturação de velocidade)/Mobilidade do Elétron
E_c = (2*V_sat)/µ_e
Esta fórmula usa 3 Variáveis

Variáveis Usadas

Campo Elétrico Crítico - (Medido em Volt por Metro) - Campo Elétrico Crítico é definido como a força elétrica por unidade de carga.
Saturação de velocidade - (Medido em Metro por segundo) - velocidade A saturação é o fenômeno em que as portadoras se aproximam de uma velocidade máxima vsat quando campos altos são aplicados.
Mobilidade do Elétron - (Medido em Metro quadrado por volt por segundo) - A mobilidade do elétron é definida como a magnitude da velocidade média de deriva por unidade de campo elétrico.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Saturação de velocidade: 10.12 Milímetro/segundo --> 0.01012 Metro por segundo (Verifique a conversão aqui)
Mobilidade do Elétron: 49.8 Centímetro Quadrado por Volt Segundo --> 0.00498 Metro quadrado por volt por segundo (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

E_c = (2*V_sat)/µ_e --> (2*0.01012)/0.00498

Avaliando ... ...

E_c = 4.06425702811245

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

4.06425702811245 Volt por Metro -->0.00406425702811245 Volt por Milímetro (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

0.00406425702811245 ≈ 0.004064 Volt por Milímetro <-- Campo Elétrico Crítico

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< 15 Características do circuito CMOS Calculadoras

Capacitância efetiva em CMOS

Vai Capacitância Efetiva em CMOS = Ciclo de trabalho*(Desatualizado*(10^(Tensão do Coletor Base)))/(Portões no Caminho Crítico*[BoltZ]*Tensão do Coletor Base)

Permissividade da Camada de Óxido

Vai Permissividade da camada de óxido = Espessura da Camada de Óxido*Capacitância da porta de entrada/(Largura do portão*Comprimento do portão)

Espessura da Camada de Óxido

Vai Espessura da Camada de Óxido = Permissividade da camada de óxido*Largura do portão*Comprimento do portão/Capacitância da porta de entrada

Largura do Portão

Vai Largura do portão = Capacitância da porta de entrada/(Capacitância da camada de óxido de porta*Comprimento do portão)

Perímetro de Difusão de Fonte de Parede Lateral

Vai Perímetro da parede lateral de difusão da fonte = (2*Largura da transição)+(2*Comprimento da Fonte)

Largura de transição do CMOS

Vai Largura da transição = Capacitância de sobreposição de porta MOS/Capacitância da Porta MOS

Largura da região de depleção

Vai Largura da região de esgotamento = Comprimento da junção PN-Comprimento Efetivo do Canal

Comprimento Efetivo do Canal

Vai Comprimento Efetivo do Canal = Comprimento da junção PN-Largura da região de esgotamento

Comprimento da junção PN

Vai Comprimento da junção PN = Largura da região de esgotamento+Comprimento Efetivo do Canal

Campo Elétrico Crítico

Vai Campo Elétrico Crítico = (2*Saturação de velocidade)/Mobilidade do Elétron

CMOS significa caminho livre

Vai Significa caminho livre = Tensão Crítica em CMOS/Campo Elétrico Crítico

Tensão Crítica CMOS

Vai Tensão Crítica em CMOS = Campo Elétrico Crítico*Significa caminho livre

Largura da Difusão da Fonte

Vai Largura da transição = Área de Difusão de Fonte/Comprimento da Fonte

Área de Difusão de Fonte

Vai Área de Difusão de Fonte = Comprimento da Fonte*Largura da transição

Tensão no Mínimo EDP

Vai Tensão no EDP Mínimo = (3*Tensão de limiar)/(3-Fator de atividade)

Campo Elétrico Crítico Fórmula

Campo Elétrico Crítico = (2*Saturação de velocidade)/Mobilidade do Elétron
E_c = (2*V_sat)/µ_e

O que é saturação de velocidade?

A saturação de velocidade é a velocidade máxima que um portador de carga em um semicondutor, geralmente um elétron, atinge na presença de campos elétricos muito altos. Quando isso acontece, diz-se que o semicondutor está em um estado de saturação de velocidade.

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