Kritisch elektrisch veld Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

Kenmerken van CMOS-circuits

Array Datapath-subsysteem

CMOS-omvormers

CMOS-ontwerpkenmerken

CMOS-subsysteem voor speciale doeleinden

CMOS-tijdkenmerken

CMOS-vermogensstatistieken

Kenmerken van CMOS-vertraging

✖snelheidsverzadiging is het fenomeen waarbij dragers een maximale snelheid vsat naderen wanneer hoge velden worden toegepast.ⓘ Snelheidsverzadiging [V_sat]			+10% -10%
✖Mobiliteit van elektronen wordt gedefinieerd als de grootte van de gemiddelde driftsnelheid per eenheid elektrisch veld.ⓘ Mobiliteit van elektronen [µ_e]			+10% -10%

✖Kritisch elektrisch veld wordt gedefinieerd als de elektrische kracht per ladingseenheid.ⓘ Kritisch elektrisch veld [E_c]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Kritisch elektrisch veld

Formule

`"E"_{"c"} = (2*"V"_{"sat"})/"µ"_{"e"}`

Voorbeeld

`"0.004064V/mm"=(2*"10.12mm/s")/"49.8cm²/V*s"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Kenmerken van CMOS-circuits Formules Pdf PDF Image

Kritisch elektrisch veld Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Kritisch elektrisch veld = (2*Snelheidsverzadiging)/Mobiliteit van elektronen
E_c = (2*V_sat)/µ_e
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Kritisch elektrisch veld - (Gemeten in Volt per meter) - Kritisch elektrisch veld wordt gedefinieerd als de elektrische kracht per ladingseenheid.
Snelheidsverzadiging - (Gemeten in Meter per seconde) - snelheidsverzadiging is het fenomeen waarbij dragers een maximale snelheid vsat naderen wanneer hoge velden worden toegepast.
Mobiliteit van elektronen - (Gemeten in Vierkante meter per volt per seconde) - Mobiliteit van elektronen wordt gedefinieerd als de grootte van de gemiddelde driftsnelheid per eenheid elektrisch veld.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Snelheidsverzadiging: 10.12 Millimeter/Seconde --> 0.01012 Meter per seconde (Bekijk de conversie hier)
Mobiliteit van elektronen: 49.8 Vierkante centimeter per volt seconde --> 0.00498 Vierkante meter per volt per seconde (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

E_c = (2*V_sat)/µ_e --> (2*0.01012)/0.00498

Evalueren ... ...

E_c = 4.06425702811245

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

4.06425702811245 Volt per meter -->0.00406425702811245 Volt per millimeter (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.00406425702811245 ≈ 0.004064 Volt per millimeter <-- Kritisch elektrisch veld

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » CMOS-ontwerp en toepassingen » Kenmerken van CMOS-circuits » Kritisch elektrisch veld

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 15 Kenmerken van CMOS-circuits Rekenmachines

Effectieve capaciteit in CMOS

Gaan Effectieve capaciteit in CMOS = Arbeidscyclus*(Uit huidige*(10^(Basiscollectorspanning)))/(Poorten op kritiek pad*[BoltZ]*Basiscollectorspanning)

Permittiviteit van oxidelaag

Gaan Permittiviteit van de oxidelaag = Dikte van de oxidelaag*Ingangspoortcapaciteit/(Poortbreedte*Lengte van de poort)

Dikte van de oxidelaag

Gaan Dikte van de oxidelaag = Permittiviteit van de oxidelaag*Poortbreedte*Lengte van de poort/Ingangspoortcapaciteit

Breedte van poort:

Gaan Poortbreedte = Ingangspoortcapaciteit/(Capaciteit van Gate Oxide Layer*Lengte van de poort)

Kritisch elektrisch veld

Gaan Kritisch elektrisch veld = (2*Snelheidsverzadiging)/Mobiliteit van elektronen

Zijwand Omtrek van bronverspreiding

Gaan Zijwandomtrek van brondiffusie = (2*Overgangsbreedte)+(2*Lengte van de bron)

Breedte uitputtingsgebied

Gaan Breedte uitputtingsregio = PN-verbindingslengte-Effectieve kanaallengte

Effectieve kanaallengte

Gaan Effectieve kanaallengte = PN-verbindingslengte-Breedte uitputtingsregio

PN-verbindingslengte

Gaan PN-verbindingslengte = Breedte uitputtingsregio+Effectieve kanaallengte

Overgangsbreedte van CMOS

Gaan Overgangsbreedte = MOS-poortoverlappingscapaciteit/MOS-poortcapaciteit

Spanning bij minimale EDP

Gaan Spanning bij minimale EDP = (3*Drempelspanning)/(3-Activiteitsfactor)

CMOS kritische spanning

Gaan Kritische spanning in CMOS = Kritisch elektrisch veld*Bedoel vrij pad

CMOS betekent vrij pad

Gaan Bedoel vrij pad = Kritische spanning in CMOS/Kritisch elektrisch veld

Breedte van bronverspreiding

Gaan Overgangsbreedte = Gebied van bronverspreiding/Lengte van de bron

Gebied van bronverspreiding

Gaan Gebied van bronverspreiding = Lengte van de bron*Overgangsbreedte

Kritisch elektrisch veld Formule

Kritisch elektrisch veld = (2*Snelheidsverzadiging)/Mobiliteit van elektronen
E_c = (2*V_sat)/µ_e

Wat is snelheidsverzadiging?

Snelheidsverzadiging is de maximale snelheid die een ladingsdrager in een halfgeleider, in het algemeen een elektron, bereikt in de aanwezigheid van zeer hoge elektrische velden. Wanneer dit gebeurt, wordt gezegd dat de halfgeleider zich in een staat van snelheidsverzadiging bevindt.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!