Входная емкость IGBT Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Входная емкость (IGBT) = Емкость затвор-эмиттер (IGBT)+Емкость ворота-коллектора (IGBT)
Cin(igbt) = C(g-e)(igbt)+C(g-c)(igbt)
В этой формуле используются 3 Переменные
Используемые переменные
Входная емкость (IGBT) - (Измеряется в фарада) - Входная емкость (IGBT) — это емкость между выводами затвора и эмиттера устройства.
Емкость затвор-эмиттер (IGBT) - (Измеряется в фарада) - Емкость затвора-эмиттера (IGBT) — это емкость между выводами затвора и эмиттера устройства.
Емкость ворота-коллектора (IGBT) - (Измеряется в фарада) - Емкость затвора-коллектора (IGBT), также известная как емкость Миллера, представляет собой паразитную емкость, которая существует между выводами затвора и коллектора IGBT.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Емкость затвор-эмиттер (IGBT): 0.21 фарада --> 0.21 фарада Конверсия не требуется
Емкость ворота-коллектора (IGBT): 5.55 фарада --> 5.55 фарада Конверсия не требуется
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
Cin(igbt) = C(g-e)(igbt)+C(g-c)(igbt) --> 0.21+5.55
Оценка ... ...
Cin(igbt) = 5.76
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
5.76 фарада --> Конверсия не требуется
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
5.76 фарада <-- Входная емкость (IGBT)
(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Кредиты

Creator Image
Технологический институт Ачарья (АИТ), Бангалор
Мохамед Фазиль V создал этот калькулятор и еще 50+!
Verifier Image
Проверено Парминдер Сингх
Чандигархский университет (ТС), Пенджаб
Парминдер Сингх проверил этот калькулятор и еще 500+!

8 БТИЗ Калькуляторы

Номинальный непрерывный ток коллектора IGBT
​ Идти Прямой ток (IGBT) = (-Общее напряжение коллектора и эмиттера (IGBT)+sqrt((Общее напряжение коллектора и эмиттера (IGBT))^2+4*Сопротивление коллектора и эмиттера (IGBT)*((Максимальный рабочий переход (IGBT)-Температура корпуса IGBT)/Термическое сопротивление (IGBT))))/(2*Сопротивление коллектора и эмиттера (IGBT))
Падение напряжения в IGBT во включенном состоянии
​ Идти Падение напряжения на этапе включения (IGBT) = Прямой ток (IGBT)*Сопротивление N-канала (IGBT)+Прямой ток (IGBT)*Дрейфовое сопротивление (IGBT)+Напряжение Pn-перехода 1 (IGBT)
Напряжение насыщения IGBT
​ Идти Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (IGBT) = Напряжение базы-эмиттера PNP IGBT+Ток стока (IGBT)*(Сопротивление проводимости IGBT+Сопротивление N-канала (IGBT))
Время выключения IGBT
​ Идти Время выключения (IGBT) = Время задержки (IGBT)+Начальное время падения (IGBT)+Время последнего падения (IGBT)
Максимальная рассеиваемая мощность в IGBT
​ Идти Максимальная рассеиваемая мощность (IGBT) = Максимальный рабочий переход (IGBT)/Угол соединения с корпусом (IGBT)
Входная емкость IGBT
​ Идти Входная емкость (IGBT) = Емкость затвор-эмиттер (IGBT)+Емкость ворота-коллектора (IGBT)
Ток эмиттера IGBT
​ Идти Ток эмиттера (IGBT) = Ток дырки (IGBT)+Электронный ток (IGBT)
Напряжение пробоя прямосмещенного IGBT
​ Идти Напряжение пробоя SOA IGBT = (5.34*10^13)/((Чистый положительный заряд (IGBT))^(3/4))

Входная емкость IGBT формула

Входная емкость (IGBT) = Емкость затвор-эмиттер (IGBT)+Емкость ворота-коллектора (IGBT)
Cin(igbt) = C(g-e)(igbt)+C(g-c)(igbt)
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!