Eingangskapazität des IGBT Taschenrechner

✖Die Gate-Emitter-Kapazität (IGBT) ist die Kapazität zwischen den Gate- und Emitter-Anschlüssen des Geräts.ⓘ Gate-Emitter-Kapazität (IGBT) [C_(g-e)(igbt)]			+10% -10%
✖Die Gate-Kollektor-Kapazität (IGBT), auch als Miller-Kapazität bekannt, ist eine parasitäre Kapazität, die zwischen den Gate- und Kollektoranschlüssen eines IGBT besteht.ⓘ Gate-Kollektor-Kapazität (IGBT) [C_(g-c)(igbt)]			+10% -10%

✖Die Eingangskapazität (IGBT) ist die Kapazität zwischen den Gate- und Emitteranschlüssen des Geräts.ⓘ Eingangskapazität des IGBT [C_in(igbt)]

⎘ Kopie

👎

Formel

✖

Eingangskapazität des IGBT

Formel

`"C"_{"in(igbt)"} = "C"_{"(g-e)(igbt)"}+"C"_{"(g-c)(igbt)"}`

Beispiel

`"5.76F"="0.21F"+"5.55F"`

Taschenrechner

LaTeX

Rücksetzen

👍

Herunterladen Fortschrittliche Transistorgeräte Formeln Pdf PDF Image

Eingangskapazität des IGBT Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Eingangskapazität (IGBT) = Gate-Emitter-Kapazität (IGBT)+Gate-Kollektor-Kapazität (IGBT)
C_in(igbt) = C_(g-e)(igbt)+C_(g-c)(igbt)
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Eingangskapazität (IGBT) - (Gemessen in Farad) - Die Eingangskapazität (IGBT) ist die Kapazität zwischen den Gate- und Emitteranschlüssen des Geräts.
Gate-Emitter-Kapazität (IGBT) - (Gemessen in Farad) - Die Gate-Emitter-Kapazität (IGBT) ist die Kapazität zwischen den Gate- und Emitter-Anschlüssen des Geräts.
Gate-Kollektor-Kapazität (IGBT) - (Gemessen in Farad) - Die Gate-Kollektor-Kapazität (IGBT), auch als Miller-Kapazität bekannt, ist eine parasitäre Kapazität, die zwischen den Gate- und Kollektoranschlüssen eines IGBT besteht.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Gate-Emitter-Kapazität (IGBT): 0.21 Farad --> 0.21 Farad Keine Konvertierung erforderlich
Gate-Kollektor-Kapazität (IGBT): 5.55 Farad --> 5.55 Farad Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

C_in(igbt) = C_(g-e)(igbt)+C_(g-c)(igbt) --> 0.21+5.55

Auswerten ... ...

C_in(igbt) = 5.76

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

5.76 Farad --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

5.76 Farad <-- Eingangskapazität (IGBT)

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Du bist da -

Zuhause » Maschinenbau » Elektrisch » Leistungselektronik » Fortschrittliche Transistorgeräte » IGBT » Eingangskapazität des IGBT

Credits

Erstellt von Mohamed Fazil V

Acharya-Institut für Technologie (AIT), Bengaluru

Mohamed Fazil V hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Parminder Singh

Chandigarh-Universität (KU), Punjab

Parminder Singh hat diesen Rechner und 500+ weitere Rechner verifiziert!

< 8 IGBT Taschenrechner

Nomineller kontinuierlicher Kollektorstrom des IGBT

Gehen Durchlassstrom (IGBT) = (-Gesamtspannung von Kollektor und Emitter (IGBT)+sqrt((Gesamtspannung von Kollektor und Emitter (IGBT))^2+4*Widerstand von Kollektor und Emitter (IGBT)*((Maximale Betriebsspannung (IGBT)-Gehäusetemperatur IGBT)/Thermischer Widerstand (IGBT))))/(2*Widerstand von Kollektor und Emitter (IGBT))

Spannungsabfall im IGBT im EIN-Zustand

Gehen Spannungsabfall EIN-Stufe (IGBT) = Durchlassstrom (IGBT)*N-Kanal-Widerstand (IGBT)+Durchlassstrom (IGBT)*Driftfestigkeit (IGBT)+Spannung Pn-Übergang 1 (IGBT)

Sättigungsspannung des IGBT

Gehen Sättigungsspannung Kollektor-Emitter (IGBT) = Basis-Emitter-Spannung PNP IGBT+Drain-Strom (IGBT)*(Leitfähigkeit Widerstand IGBT+N-Kanal-Widerstand (IGBT))

IGBT-Ausschaltzeit

Gehen Ausschaltzeit (IGBT) = Verzögerungszeit (IGBT)+Anfängliche Abfallzeit (IGBT)+Endgültige Abfallzeit (IGBT)

Maximale Verlustleistung im IGBT

Gehen Maximale Verlustleistung (IGBT) = Maximale Betriebsspannung (IGBT)/Anschlusswinkel zum Gehäuse (IGBT)

Eingangskapazität des IGBT

Gehen Eingangskapazität (IGBT) = Gate-Emitter-Kapazität (IGBT)+Gate-Kollektor-Kapazität (IGBT)

Emitterstrom des IGBT

Gehen Emitterstrom (IGBT) = Löcherstrom (IGBT)+Elektronischer Strom (IGBT)

Durchbruchspannung des IGBT in Durchlassrichtung

Gehen Durchbruchspannung SOA IGBT = (5.34*10^13)/((Positive Nettoladung (IGBT))^(3/4))

Eingangskapazität des IGBT Formel

Eingangskapazität (IGBT) = Gate-Emitter-Kapazität (IGBT)+Gate-Kollektor-Kapazität (IGBT)
C_in(igbt) = C_(g-e)(igbt)+C_(g-c)(igbt)

Zuhause

FREI PDFs

🔍 Suche

Kategorien

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!