Номинальный непрерывный ток коллектора IGBT Калькулятор

✖Общее напряжение коллектора и эмиттера (IGBT) известно как напряжение коллектор-эмиттер (Вⓘ Общее напряжение коллектора и эмиттера (IGBT) [V_ce(igbt)]			+10% -10%
✖Сопротивление коллектора и эмиттера (IGBT), также известное как сопротивление открытого состояния (Rⓘ Сопротивление коллектора и эмиттера (IGBT) [R_ce(igbt)]			+10% -10%
✖Максимальный рабочий спай (IGBT) — это самая высокая температура, при которой IGBT может безопасно работать. Обычно он указывается в градусах Цельсия (°C).ⓘ Максимальный рабочий переход (IGBT) [T_jmax(igbt)]			+10% -10%
✖Температура корпуса IGBT — это температура металлического корпуса IGBT. Обычно он измеряется в градусах Цельсия (°C).ⓘ Температура корпуса IGBT [T_c(igbt)]			+10% -10%
✖Термическое сопротивление (IGBT) — это сопротивление материала потоку тепла. Это показатель того, насколько хорошо материал проводит тепло.ⓘ Термическое сопротивление (IGBT) [R_th(jc)(igbt)]			+10% -10%

✖Прямой ток (IGBT) — это максимальный ток, который может протекать через устройство при его включении.ⓘ Номинальный непрерывный ток коллектора IGBT [i_f(igbt)]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Номинальный непрерывный ток коллектора IGBT

Формула

`"i"_{"f(igbt)"} = (-"V"_{"ce(igbt)"}+sqrt(("V"_{"ce(igbt)"})^2+4*"R"_{"ce(igbt)"}*(("T"_{"jmax(igbt)"}-"T"_{"c(igbt)"})/"R"_{"th(jc)(igbt)"})))/(2*"R"_{"ce(igbt)"})`

Пример

`"1.691553mA"=(-"21.56V"+sqrt(("21.56V")^2+4*"12.546kΩ"*(("283°C"-"250°C")/"0.456kΩ")))/(2*"12.546kΩ")`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Усовершенствованные транзисторные устройства Формулы PDF PDF Image

Номинальный непрерывный ток коллектора IGBT Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Прямой ток (IGBT) = (-Общее напряжение коллектора и эмиттера (IGBT)+sqrt((Общее напряжение коллектора и эмиттера (IGBT))^2+4*Сопротивление коллектора и эмиттера (IGBT)*((Максимальный рабочий переход (IGBT)-Температура корпуса IGBT)/Термическое сопротивление (IGBT))))/(2*Сопротивление коллектора и эмиттера (IGBT))
i_f(igbt) = (-V_ce(igbt)+sqrt((V_ce(igbt))^2+4*R_ce(igbt)*((T_jmax(igbt)-T_c(igbt))/R_th(jc)(igbt))))/(2*R_ce(igbt))
В этой формуле используются 1 Функции, 6 Переменные

Используемые функции

sqrt - Функция извлечения квадратного корня — это функция, которая принимает на вход неотрицательное число и возвращает квадратный корень из заданного входного числа., sqrt(Number)

Используемые переменные

Прямой ток (IGBT) - (Измеряется в Ампер) - Прямой ток (IGBT) — это максимальный ток, который может протекать через устройство при его включении.
Общее напряжение коллектора и эмиттера (IGBT) - (Измеряется в вольт) - Общее напряжение коллектора и эмиттера (IGBT) известно как напряжение коллектор-эмиттер (В
Сопротивление коллектора и эмиттера (IGBT) - (Измеряется в ом) - Сопротивление коллектора и эмиттера (IGBT), также известное как сопротивление открытого состояния (R
Максимальный рабочий переход (IGBT) - (Измеряется в Кельвин) - Максимальный рабочий спай (IGBT) — это самая высокая температура, при которой IGBT может безопасно работать. Обычно он указывается в градусах Цельсия (°C).
Температура корпуса IGBT - (Измеряется в Кельвин) - Температура корпуса IGBT — это температура металлического корпуса IGBT. Обычно он измеряется в градусах Цельсия (°C).
Термическое сопротивление (IGBT) - (Измеряется в ом) - Термическое сопротивление (IGBT) — это сопротивление материала потоку тепла. Это показатель того, насколько хорошо материал проводит тепло.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Общее напряжение коллектора и эмиттера (IGBT): 21.56 вольт --> 21.56 вольт Конверсия не требуется
Сопротивление коллектора и эмиттера (IGBT): 12.546 килоом --> 12546 ом (Проверьте преобразование здесь)
Максимальный рабочий переход (IGBT): 283 Цельсия --> 556.15 Кельвин (Проверьте преобразование здесь)
Температура корпуса IGBT: 250 Цельсия --> 523.15 Кельвин (Проверьте преобразование здесь)
Термическое сопротивление (IGBT): 0.456 килоом --> 456 ом (Проверьте преобразование здесь)

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

i_f(igbt) = (-V_ce(igbt)+sqrt((V_ce(igbt))^2+4*R_ce(igbt)*((T_jmax(igbt)-T_c(igbt))/R_th(jc)(igbt))))/(2*R_ce(igbt)) --> (-21.56+sqrt((21.56)^2+4*12546*((556.15-523.15)/456)))/(2*12546)

Оценка ... ...

i_f(igbt) = 0.00169155334065811

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

0.00169155334065811 Ампер -->1.69155334065811 Миллиампер (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

1.69155334065811 ≈ 1.691553 Миллиампер <-- Прямой ток (IGBT)

(Расчет завершен через 00.022 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электрические » Силовая электроника » Усовершенствованные транзисторные устройства » БТИЗ » Номинальный непрерывный ток коллектора IGBT

Кредиты

Сделано Мохамед Фазиль V

Технологический институт Ачарья (АИТ), Бангалор

Мохамед Фазиль V создал этот калькулятор и еще 50+!

Проверено Парминдер Сингх

Чандигархский университет (ТС), Пенджаб

Парминдер Сингх проверил этот калькулятор и еще 500+!

< 8 БТИЗ Калькуляторы

Номинальный непрерывный ток коллектора IGBT

Идти Прямой ток (IGBT) = (-Общее напряжение коллектора и эмиттера (IGBT)+sqrt((Общее напряжение коллектора и эмиттера (IGBT))^2+4*Сопротивление коллектора и эмиттера (IGBT)*((Максимальный рабочий переход (IGBT)-Температура корпуса IGBT)/Термическое сопротивление (IGBT))))/(2*Сопротивление коллектора и эмиттера (IGBT))

Падение напряжения в IGBT во включенном состоянии

Идти Падение напряжения на этапе включения (IGBT) = Прямой ток (IGBT)*Сопротивление N-канала (IGBT)+Прямой ток (IGBT)*Дрейфовое сопротивление (IGBT)+Напряжение Pn-перехода 1 (IGBT)

Напряжение насыщения IGBT

Идти Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (IGBT) = Напряжение базы-эмиттера PNP IGBT+Ток стока (IGBT)*(Сопротивление проводимости IGBT+Сопротивление N-канала (IGBT))

Время выключения IGBT

Идти Время выключения (IGBT) = Время задержки (IGBT)+Начальное время падения (IGBT)+Время последнего падения (IGBT)

Максимальная рассеиваемая мощность в IGBT

Идти Максимальная рассеиваемая мощность (IGBT) = Максимальный рабочий переход (IGBT)/Угол соединения с корпусом (IGBT)

Входная емкость IGBT

Идти Входная емкость (IGBT) = Емкость затвор-эмиттер (IGBT)+Емкость ворота-коллектора (IGBT)

Ток эмиттера IGBT

Идти Ток эмиттера (IGBT) = Ток дырки (IGBT)+Электронный ток (IGBT)

Напряжение пробоя прямосмещенного IGBT

Идти Напряжение пробоя SOA IGBT = (5.34*10^13)/((Чистый положительный заряд (IGBT))^(3/4))