Nomineller kontinuierlicher Kollektorstrom des IGBT Taschenrechner

✖Die Gesamtspannung von Kollektor und Emitter (IGBT) wird als Kollektor-Emitter-Spannung bezeichnet (Vⓘ Gesamtspannung von Kollektor und Emitter (IGBT) [V_ce(igbt)]			+10% -10%
✖Widerstand von Kollektor und Emitter (IGBT), auch Durchlasswiderstand genannt (Rⓘ Widerstand von Kollektor und Emitter (IGBT) [R_ce(igbt)]			+10% -10%
✖Die maximale Betriebstemperatur (IGBT) ist die höchste Temperatur, bei der der IGBT sicher betrieben werden kann. Sie wird normalerweise in Grad Celsius (°C) angegeben.ⓘ Maximale Betriebsspannung (IGBT) [T_jmax(igbt)]			+10% -10%
✖Die Gehäusetemperatur IGBT ist die Temperatur des Metallgehäuses des IGBT. Sie wird normalerweise in Grad Celsius (°C) gemessen.ⓘ Gehäusetemperatur IGBT [T_c(igbt)]			+10% -10%
✖Der thermische Widerstand (IGBT) ist der Widerstand eines Materials gegen den Wärmefluss. Er ist ein Maß dafür, wie gut ein Material Wärme leitet.ⓘ Thermischer Widerstand (IGBT) [R_th(jc)(igbt)]			+10% -10%

✖Der Durchlassstrom (IGBT) ist der maximale Strom, der durch das Gerät fließen kann, wenn es eingeschaltet ist.ⓘ Nomineller kontinuierlicher Kollektorstrom des IGBT [i_f(igbt)]

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Formel

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Nomineller kontinuierlicher Kollektorstrom des IGBT

Formel

`"i"_{"f(igbt)"} = (-"V"_{"ce(igbt)"}+sqrt(("V"_{"ce(igbt)"})^2+4*"R"_{"ce(igbt)"}*(("T"_{"jmax(igbt)"}-"T"_{"c(igbt)"})/"R"_{"th(jc)(igbt)"})))/(2*"R"_{"ce(igbt)"})`

Beispiel

`"1.691553mA"=(-"21.56V"+sqrt(("21.56V")^2+4*"12.546kΩ"*(("283°C"-"250°C")/"0.456kΩ")))/(2*"12.546kΩ")`

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Nomineller kontinuierlicher Kollektorstrom des IGBT Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Durchlassstrom (IGBT) = (-Gesamtspannung von Kollektor und Emitter (IGBT)+sqrt((Gesamtspannung von Kollektor und Emitter (IGBT))^2+4*Widerstand von Kollektor und Emitter (IGBT)*((Maximale Betriebsspannung (IGBT)-Gehäusetemperatur IGBT)/Thermischer Widerstand (IGBT))))/(2*Widerstand von Kollektor und Emitter (IGBT))
i_f(igbt) = (-V_ce(igbt)+sqrt((V_ce(igbt))^2+4*R_ce(igbt)*((T_jmax(igbt)-T_c(igbt))/R_th(jc)(igbt))))/(2*R_ce(igbt))
Diese formel verwendet 1 Funktionen, 6 Variablen

Verwendete Funktionen

sqrt - Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt., sqrt(Number)

Verwendete Variablen

Durchlassstrom (IGBT) - (Gemessen in Ampere) - Der Durchlassstrom (IGBT) ist der maximale Strom, der durch das Gerät fließen kann, wenn es eingeschaltet ist.
Gesamtspannung von Kollektor und Emitter (IGBT) - (Gemessen in Volt) - Die Gesamtspannung von Kollektor und Emitter (IGBT) wird als Kollektor-Emitter-Spannung bezeichnet (V
Widerstand von Kollektor und Emitter (IGBT) - (Gemessen in Ohm) - Widerstand von Kollektor und Emitter (IGBT), auch Durchlasswiderstand genannt (R
Maximale Betriebsspannung (IGBT) - (Gemessen in Kelvin) - Die maximale Betriebstemperatur (IGBT) ist die höchste Temperatur, bei der der IGBT sicher betrieben werden kann. Sie wird normalerweise in Grad Celsius (°C) angegeben.
Gehäusetemperatur IGBT - (Gemessen in Kelvin) - Die Gehäusetemperatur IGBT ist die Temperatur des Metallgehäuses des IGBT. Sie wird normalerweise in Grad Celsius (°C) gemessen.
Thermischer Widerstand (IGBT) - (Gemessen in Ohm) - Der thermische Widerstand (IGBT) ist der Widerstand eines Materials gegen den Wärmefluss. Er ist ein Maß dafür, wie gut ein Material Wärme leitet.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Gesamtspannung von Kollektor und Emitter (IGBT): 21.56 Volt --> 21.56 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Widerstand von Kollektor und Emitter (IGBT): 12.546 Kiloohm --> 12546 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Maximale Betriebsspannung (IGBT): 283 Celsius --> 556.15 Kelvin (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Gehäusetemperatur IGBT: 250 Celsius --> 523.15 Kelvin (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Thermischer Widerstand (IGBT): 0.456 Kiloohm --> 456 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

i_f(igbt) = (-V_ce(igbt)+sqrt((V_ce(igbt))^2+4*R_ce(igbt)*((T_jmax(igbt)-T_c(igbt))/R_th(jc)(igbt))))/(2*R_ce(igbt)) --> (-21.56+sqrt((21.56)^2+4*12546*((556.15-523.15)/456)))/(2*12546)

Auswerten ... ...

i_f(igbt) = 0.00169155334065811

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.00169155334065811 Ampere -->1.69155334065811 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

1.69155334065811 ≈ 1.691553 Milliampere <-- Durchlassstrom (IGBT)

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Mohamed Fazil V

Acharya-Institut für Technologie (AIT), Bengaluru

Mohamed Fazil V hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Parminder Singh

Chandigarh-Universität (KU), Punjab

Parminder Singh hat diesen Rechner und 500+ weitere Rechner verifiziert!

< 8 IGBT Taschenrechner

Nomineller kontinuierlicher Kollektorstrom des IGBT

Gehen Durchlassstrom (IGBT) = (-Gesamtspannung von Kollektor und Emitter (IGBT)+sqrt((Gesamtspannung von Kollektor und Emitter (IGBT))^2+4*Widerstand von Kollektor und Emitter (IGBT)*((Maximale Betriebsspannung (IGBT)-Gehäusetemperatur IGBT)/Thermischer Widerstand (IGBT))))/(2*Widerstand von Kollektor und Emitter (IGBT))

Spannungsabfall im IGBT im EIN-Zustand

Gehen Spannungsabfall EIN-Stufe (IGBT) = Durchlassstrom (IGBT)*N-Kanal-Widerstand (IGBT)+Durchlassstrom (IGBT)*Driftfestigkeit (IGBT)+Spannung Pn-Übergang 1 (IGBT)

Sättigungsspannung des IGBT

Gehen Sättigungsspannung Kollektor-Emitter (IGBT) = Basis-Emitter-Spannung PNP IGBT+Drain-Strom (IGBT)*(Leitfähigkeit Widerstand IGBT+N-Kanal-Widerstand (IGBT))

IGBT-Ausschaltzeit

Gehen Ausschaltzeit (IGBT) = Verzögerungszeit (IGBT)+Anfängliche Abfallzeit (IGBT)+Endgültige Abfallzeit (IGBT)

Maximale Verlustleistung im IGBT

Gehen Maximale Verlustleistung (IGBT) = Maximale Betriebsspannung (IGBT)/Anschlusswinkel zum Gehäuse (IGBT)

Eingangskapazität des IGBT

Gehen Eingangskapazität (IGBT) = Gate-Emitter-Kapazität (IGBT)+Gate-Kollektor-Kapazität (IGBT)

Emitterstrom des IGBT

Gehen Emitterstrom (IGBT) = Löcherstrom (IGBT)+Elektronischer Strom (IGBT)

Durchbruchspannung des IGBT in Durchlassrichtung

Gehen Durchbruchspannung SOA IGBT = (5.34*10^13)/((Positive Nettoladung (IGBT))^(3/4))

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