Nominale continue collectorstroom van IGBT Rekenmachine

✖De totale spanning van collector en emitter (IGBT) staat bekend als de collector-emitterspanning (Vⓘ Totale spanning van collector en emitter (IGBT) [V_ce(igbt)]			+10% -10%
✖Weerstand van collector en emitter (IGBT), ook bekend als de weerstand in de toestand (Rⓘ Weerstand van collector en emitter (IGBT) [R_ce(igbt)]			+10% -10%
✖Maximum Operating Junction (IGBT) is de hoogste temperatuur waarbij de IGBT veilig kan werken. Het wordt doorgaans gespecificeerd in graden Celsius (°C).ⓘ Maximaal operationeel kruispunt (IGBT) [T_jmax(igbt)]			+10% -10%
✖Behuizingstemperatuur IGBT is de temperatuur van de metalen behuizing van de IGBT. Het wordt doorgaans gemeten in graden Celsius (°C).ⓘ Behuizingstemperatuur IGBT [T_c(igbt)]			+10% -10%
✖Thermische weerstand (IGBT) is de weerstand van een materiaal tegen de warmtestroom. Het is een maatstaf voor hoe goed een materiaal warmte geleidt.ⓘ Thermische weerstand (IGBT) [R_th(jc)(igbt)]			+10% -10%

✖Voorwaartse stroom (IGBT) is de maximale stroom die door het apparaat kan stromen wanneer het is ingeschakeld.ⓘ Nominale continue collectorstroom van IGBT [i_f(igbt)]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Nominale continue collectorstroom van IGBT

Formule

`"i"_{"f(igbt)"} = (-"V"_{"ce(igbt)"}+sqrt(("V"_{"ce(igbt)"})^2+4*"R"_{"ce(igbt)"}*(("T"_{"jmax(igbt)"}-"T"_{"c(igbt)"})/"R"_{"th(jc)(igbt)"})))/(2*"R"_{"ce(igbt)"})`

Voorbeeld

`"1.691553mA"=(-"21.56V"+sqrt(("21.56V")^2+4*"12.546kΩ"*(("283°C"-"250°C")/"0.456kΩ")))/(2*"12.546kΩ")`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Geavanceerde transistorapparaten Formules Pdf PDF Image

Nominale continue collectorstroom van IGBT Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Voorwaartse stroom (IGBT) = (-Totale spanning van collector en emitter (IGBT)+sqrt((Totale spanning van collector en emitter (IGBT))^2+4*Weerstand van collector en emitter (IGBT)*((Maximaal operationeel kruispunt (IGBT)-Behuizingstemperatuur IGBT)/Thermische weerstand (IGBT))))/(2*Weerstand van collector en emitter (IGBT))
i_f(igbt) = (-V_ce(igbt)+sqrt((V_ce(igbt))^2+4*R_ce(igbt)*((T_jmax(igbt)-T_c(igbt))/R_th(jc)(igbt))))/(2*R_ce(igbt))
Deze formule gebruikt 1 Functies, 6 Variabelen

Functies die worden gebruikt

sqrt - Een vierkantswortelfunctie is een functie die een niet-negatief getal als invoer neemt en de vierkantswortel van het gegeven invoergetal retourneert., sqrt(Number)

Variabelen gebruikt

Voorwaartse stroom (IGBT) - (Gemeten in Ampère) - Voorwaartse stroom (IGBT) is de maximale stroom die door het apparaat kan stromen wanneer het is ingeschakeld.
Totale spanning van collector en emitter (IGBT) - (Gemeten in Volt) - De totale spanning van collector en emitter (IGBT) staat bekend als de collector-emitterspanning (V
Weerstand van collector en emitter (IGBT) - (Gemeten in Ohm) - Weerstand van collector en emitter (IGBT), ook bekend als de weerstand in de toestand (R
Maximaal operationeel kruispunt (IGBT) - (Gemeten in Kelvin) - Maximum Operating Junction (IGBT) is de hoogste temperatuur waarbij de IGBT veilig kan werken. Het wordt doorgaans gespecificeerd in graden Celsius (°C).
Behuizingstemperatuur IGBT - (Gemeten in Kelvin) - Behuizingstemperatuur IGBT is de temperatuur van de metalen behuizing van de IGBT. Het wordt doorgaans gemeten in graden Celsius (°C).
Thermische weerstand (IGBT) - (Gemeten in Ohm) - Thermische weerstand (IGBT) is de weerstand van een materiaal tegen de warmtestroom. Het is een maatstaf voor hoe goed een materiaal warmte geleidt.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Totale spanning van collector en emitter (IGBT): 21.56 Volt --> 21.56 Volt Geen conversie vereist
Weerstand van collector en emitter (IGBT): 12.546 Kilohm --> 12546 Ohm (Bekijk de conversie hier)
Maximaal operationeel kruispunt (IGBT): 283 Celsius --> 556.15 Kelvin (Bekijk de conversie hier)
Behuizingstemperatuur IGBT: 250 Celsius --> 523.15 Kelvin (Bekijk de conversie hier)
Thermische weerstand (IGBT): 0.456 Kilohm --> 456 Ohm (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

i_f(igbt) = (-V_ce(igbt)+sqrt((V_ce(igbt))^2+4*R_ce(igbt)*((T_jmax(igbt)-T_c(igbt))/R_th(jc)(igbt))))/(2*R_ce(igbt)) --> (-21.56+sqrt((21.56)^2+4*12546*((556.15-523.15)/456)))/(2*12546)

Evalueren ... ...

i_f(igbt) = 0.00169155334065811

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.00169155334065811 Ampère -->1.69155334065811 milliampère (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

1.69155334065811 ≈ 1.691553 milliampère <-- Voorwaartse stroom (IGBT)

(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektrisch » Vermogenselektronica » Geavanceerde transistorapparaten » IGBT » Nominale continue collectorstroom van IGBT

Credits

Gemaakt door Mohammed Fazil V

Acharya instituut voor technologie (AIT), Bengaluru

Mohammed Fazil V heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Parminder Singh

Universiteit van Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 500+ rekenmachines!

< 8 IGBT Rekenmachines

Nominale continue collectorstroom van IGBT

Gaan Voorwaartse stroom (IGBT) = (-Totale spanning van collector en emitter (IGBT)+sqrt((Totale spanning van collector en emitter (IGBT))^2+4*Weerstand van collector en emitter (IGBT)*((Maximaal operationeel kruispunt (IGBT)-Behuizingstemperatuur IGBT)/Thermische weerstand (IGBT))))/(2*Weerstand van collector en emitter (IGBT))

Spanningsdaling in IGBT in AAN-status

Gaan Spanningsval OP podium (IGBT) = Voorwaartse stroom (IGBT)*N-kanaalweerstand (IGBT)+Voorwaartse stroom (IGBT)*Driftweerstand (IGBT)+Spanning Pn Junction 1 (IGBT)

Verzadigingsspanning van IGBT

Gaan Verzadigingsspanning van collector naar emitter (IGBT) = Basis-emitterspanning PNP IGBT+Afvoerstroom (IGBT)*(Geleidbaarheidsweerstand IGBT+N-kanaalweerstand (IGBT))

IGBT-uitschakeltijd

Gaan Uitschakeltijd (IGBT) = Vertragingstijd (IGBT)+Initiële valtijd (IGBT)+Laatste herfsttijd (IGBT)

Maximale vermogensdissipatie in IGBT

Gaan Maximale vermogensdissipatie (IGBT) = Maximaal operationeel kruispunt (IGBT)/Verbinding met hoek van behuizing (IGBT)

Ingangscapaciteit van IGBT

Gaan Ingangscapaciteit (IGBT) = Poort-naar-emittercapaciteit (IGBT)+Poort naar collectorcapaciteit (IGBT)

Emitterstroom van IGBT

Gaan Emitterstroom (IGBT) = Gatstroom (IGBT)+Elektronische stroom (IGBT)

Doorslagspanning van voorwaartse bias van IGBT

Gaan Doorslagspanning SOA IGBT = (5.34*10^13)/((Netto positieve lading (IGBT))^(3/4))

Nominale continue collectorstroom van IGBT Formule

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!