Толщина оксидного слоя Калькулятор

✖Диэлектрическая проницаемость оксидного слоя определяется как способность вещества сохранять электрическую энергию в электрическом поле.ⓘ Диэлектрическая проницаемость оксидного слоя [ε_ox]			+10% -10%
✖Ширина затвора относится к расстоянию между краем металлического электрода затвора и прилегающим полупроводниковым материалом в КМОП.ⓘ Ширина ворот [W_g]			+10% -10%
✖Длина ворот — это измерение или протяженность чего-либо от начала до конца.ⓘ Длина ворот [L_g]			+10% -10%
✖Емкость входного затвора в КМОП представляет собой емкость между входными клеммами схемы КМОП и опорным потенциалом (обычно землей).ⓘ Емкость входного затвора [C_in]			+10% -10%

✖Толщина оксидного слоя определяется в ходе технологического процесса, который используется для изготовления МОП-транзистора.ⓘ Толщина оксидного слоя [t_ox]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Толщина оксидного слоя

Формула

`"t"_{"ox"} = "ε"_{"ox"}*"W"_{"g"}*"L"_{"g"}/"C"_{"in"}`

Пример

`"4.979688mm"="149.79μF/mm"*"0.285mm"*"7mm"/"60.01μF"`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Характеристики схемы КМОП Формулы PDF

Толщина оксидного слоя Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Толщина оксидного слоя = Диэлектрическая проницаемость оксидного слоя*Ширина ворот*Длина ворот/Емкость входного затвора
t_ox = ε_ox*W_g*L_g/C_in
В этой формуле используются 5 Переменные

Используемые переменные

Толщина оксидного слоя - (Измеряется в метр) - Толщина оксидного слоя определяется в ходе технологического процесса, который используется для изготовления МОП-транзистора.
Диэлектрическая проницаемость оксидного слоя - (Измеряется в Фарада на метр) - Диэлектрическая проницаемость оксидного слоя определяется как способность вещества сохранять электрическую энергию в электрическом поле.
Ширина ворот - (Измеряется в метр) - Ширина затвора относится к расстоянию между краем металлического электрода затвора и прилегающим полупроводниковым материалом в КМОП.
Длина ворот - (Измеряется в метр) - Длина ворот — это измерение или протяженность чего-либо от начала до конца.
Емкость входного затвора - (Измеряется в фарада) - Емкость входного затвора в КМОП представляет собой емкость между входными клеммами схемы КМОП и опорным потенциалом (обычно землей).

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Диэлектрическая проницаемость оксидного слоя: 149.79 Микрофарад на миллиметр --> 0.14979 Фарада на метр (Проверьте преобразование здесь)
Ширина ворот: 0.285 Миллиметр --> 0.000285 метр (Проверьте преобразование здесь)
Длина ворот: 7 Миллиметр --> 0.007 метр (Проверьте преобразование здесь)
Емкость входного затвора: 60.01 Микрофарад --> 6.001E-05 фарада (Проверьте преобразование здесь)

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

t_ox = ε_ox*W_g*L_g/C_in --> 0.14979*0.000285*0.007/6.001E-05

Оценка ... ...

t_ox = 0.00497968755207465

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

0.00497968755207465 метр -->4.97968755207465 Миллиметр (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

4.97968755207465 ≈ 4.979688 Миллиметр <-- Толщина оксидного слоя

(Расчет завершен через 00.020 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Проектирование и применение КМОП » Характеристики схемы КМОП » Толщина оксидного слоя

Кредиты

Сделано Шобхит Димри

Технологический институт Бипина Трипати Кумаон (BTKIT), Дварахат

Шобхит Димри создал этот калькулятор и еще 900+!

Проверено Урви Ратод

Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад

Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

< 15 Характеристики схемы КМОП Калькуляторы

Эффективная емкость CMOS

Идти Эффективная емкость в КМОП = Рабочий цикл*(Выкл. ток*(10^(Базовое напряжение коллектора)))/(Гейтс на критическом пути*[BoltZ]*Базовое напряжение коллектора)

Проницаемость оксидного слоя

Идти Диэлектрическая проницаемость оксидного слоя = Толщина оксидного слоя*Емкость входного затвора/(Ширина ворот*Длина ворот)

Толщина оксидного слоя

Идти Толщина оксидного слоя = Диэлектрическая проницаемость оксидного слоя*Ширина ворот*Длина ворот/Емкость входного затвора

Ширина ворот

Идти Ширина ворот = Емкость входного затвора/(Емкость оксидного слоя затвора*Длина ворот)

Средний свободный путь CMOS

Идти Длина свободного пробега = Критическое напряжение в КМОП/Критическое электрическое поле

Критическое напряжение КМОП

Идти Критическое напряжение в КМОП = Критическое электрическое поле*Длина свободного пробега

Периметр боковой стенки источника диффузии

Идти Периметр боковой стенки диффузии источника = (2*Ширина перехода)+(2*Длина источника)

Напряжение при минимальной ЭДП

Идти Напряжение при минимальном EDP = (3*Пороговое напряжение)/(3-Фактор активности)

Критическое электрическое поле

Идти Критическое электрическое поле = (2*Насыщение скорости)/Мобильность электрона

Ширина области истощения

Идти Ширина области истощения = Длина соединения PN-Эффективная длина канала

Эффективная длина канала

Идти Эффективная длина канала = Длина соединения PN-Ширина области истощения

Длина соединения PN

Идти Длина соединения PN = Ширина области истощения+Эффективная длина канала

Ширина перехода КМОП

Идти Ширина перехода = Емкость перекрытия МОП-затвора/Емкость МОП-ворота

Ширина исходного распространения

Идти Ширина перехода = Область диффузии источника/Длина источника

Область диффузии источника

Идти Область диффузии источника = Длина источника*Ширина перехода

Толщина оксидного слоя формула

Толщина оксидного слоя = Диэлектрическая проницаемость оксидного слоя*Ширина ворот*Длина ворот/Емкость входного затвора
t_ox = ε_ox*W_g*L_g/C_in

Каковы области работы МОП-транзисторов?

МОП-транзисторы имеют три области работы, включая область отсечки или подпороговую область, линейную область и область насыщения.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!