Dikte van de oxidelaag Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Dikte van de oxidelaag = Permittiviteit van de oxidelaag*Poortbreedte*Lengte van de poort/Ingangspoortcapaciteit
tox = εox*Wg*Lg/Cin
Deze formule gebruikt 5 Variabelen
Variabelen gebruikt
Dikte van de oxidelaag - (Gemeten in Meter) - De dikte van de oxidelaag tox wordt bepaald tijdens de procestechnologie die wordt gebruikt om de MOSFET te vervaardigen.
Permittiviteit van de oxidelaag - (Gemeten in Farad per meter) - Permittiviteit van de oxidelaag wordt gedefinieerd als het vermogen van een stof om elektrische energie op te slaan in een elektrisch veld.
Poortbreedte - (Gemeten in Meter) - Poortbreedte verwijst naar de afstand tussen de rand van een metalen poortelektrode en het aangrenzende halfgeleidermateriaal in een CMOS.
Lengte van de poort - (Gemeten in Meter) - Lengte van de poort is de maat of omvang van iets van begin tot eind.
Ingangspoortcapaciteit - (Gemeten in Farad) - Ingangspoortcapaciteit in CMOS verwijst naar de capaciteit tussen de ingangsklemmen van een CMOS-circuit en het referentiepotentiaal (meestal aarde).
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Permittiviteit van de oxidelaag: 149.79 Microfarad per millimeter --> 0.14979 Farad per meter (Bekijk de conversie hier)
Poortbreedte: 0.285 Millimeter --> 0.000285 Meter (Bekijk de conversie hier)
Lengte van de poort: 7 Millimeter --> 0.007 Meter (Bekijk de conversie hier)
Ingangspoortcapaciteit: 60.01 Microfarad --> 6.001E-05 Farad (Bekijk de conversie hier)
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
tox = εox*Wg*Lg/Cin --> 0.14979*0.000285*0.007/6.001E-05
Evalueren ... ...
tox = 0.00497968755207465
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
0.00497968755207465 Meter -->4.97968755207465 Millimeter (Bekijk de conversie hier)
DEFINITIEVE ANTWOORD
4.97968755207465 4.979688 Millimeter <-- Dikte van de oxidelaag
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!
Geverifieërd door Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

15 Kenmerken van CMOS-circuits Rekenmachines

Effectieve capaciteit in CMOS
Gaan Effectieve capaciteit in CMOS = Arbeidscyclus*(Uit huidige*(10^(Basiscollectorspanning)))/(Poorten op kritiek pad*[BoltZ]*Basiscollectorspanning)
Permittiviteit van oxidelaag
Gaan Permittiviteit van de oxidelaag = Dikte van de oxidelaag*Ingangspoortcapaciteit/(Poortbreedte*Lengte van de poort)
Dikte van de oxidelaag
Gaan Dikte van de oxidelaag = Permittiviteit van de oxidelaag*Poortbreedte*Lengte van de poort/Ingangspoortcapaciteit
Breedte van poort:
Gaan Poortbreedte = Ingangspoortcapaciteit/(Capaciteit van Gate Oxide Layer*Lengte van de poort)
Zijwand Omtrek van bronverspreiding
Gaan Zijwandomtrek van brondiffusie = (2*Overgangsbreedte)+(2*Lengte van de bron)
Kritisch elektrisch veld
Gaan Kritisch elektrisch veld = (2*Snelheidsverzadiging)/Mobiliteit van elektronen
Breedte uitputtingsgebied
Gaan Breedte uitputtingsregio = PN-verbindingslengte-Effectieve kanaallengte
Effectieve kanaallengte
Gaan Effectieve kanaallengte = PN-verbindingslengte-Breedte uitputtingsregio
CMOS betekent vrij pad
Gaan Bedoel vrij pad = Kritische spanning in CMOS/Kritisch elektrisch veld
PN-verbindingslengte
Gaan PN-verbindingslengte = Breedte uitputtingsregio+Effectieve kanaallengte
Overgangsbreedte van CMOS
Gaan Overgangsbreedte = MOS-poortoverlappingscapaciteit/MOS-poortcapaciteit
Spanning bij minimale EDP
Gaan Spanning bij minimale EDP = (3*Drempelspanning)/(3-Activiteitsfactor)
CMOS kritische spanning
Gaan Kritische spanning in CMOS = Kritisch elektrisch veld*Bedoel vrij pad
Breedte van bronverspreiding
Gaan Overgangsbreedte = Gebied van bronverspreiding/Lengte van de bron
Gebied van bronverspreiding
Gaan Gebied van bronverspreiding = Lengte van de bron*Overgangsbreedte

Dikte van de oxidelaag Formule

Dikte van de oxidelaag = Permittiviteit van de oxidelaag*Poortbreedte*Lengte van de poort/Ingangspoortcapaciteit
tox = εox*Wg*Lg/Cin

Wat zijn de werkgebieden in MOS-transistors?

MOS-transistors hebben drie werkgebieden, waaronder een afsnij- of subdrempelgebied, een lineair gebied en een verzadigingsgebied.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!