Espesor de la capa de óxido Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Espesor de la capa de óxido = Permitividad de la capa de óxido*Ancho de la puerta*Longitud de la puerta/Capacitancia de la puerta de entrada
tox = εox*Wg*Lg/Cin
Esta fórmula usa 5 Variables
Variables utilizadas
Espesor de la capa de óxido - (Medido en Metro) - El espesor de la capa de óxido tox se determina durante la tecnología del proceso que se utiliza para fabricar el MOSFET.
Permitividad de la capa de óxido - (Medido en farad por metro) - La permitividad de la capa de óxido se define como la capacidad de una sustancia para almacenar energía eléctrica en un campo eléctrico.
Ancho de la puerta - (Medido en Metro) - El ancho de la compuerta se refiere a la distancia entre el borde de un electrodo de compuerta metálica y el material semiconductor adyacente en un CMOS.
Longitud de la puerta - (Medido en Metro) - La longitud de la puerta es la medida o extensión de algo de un extremo a otro.
Capacitancia de la puerta de entrada - (Medido en Faradio) - La capacitancia de la puerta de entrada en CMOS se refiere a la capacitancia entre los terminales de entrada de un circuito CMOS y el potencial de referencia (generalmente tierra).
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Permitividad de la capa de óxido: 149.79 Microfaradio por milímetro --> 0.14979 farad por metro (Verifique la conversión ​aquí)
Ancho de la puerta: 0.285 Milímetro --> 0.000285 Metro (Verifique la conversión ​aquí)
Longitud de la puerta: 7 Milímetro --> 0.007 Metro (Verifique la conversión ​aquí)
Capacitancia de la puerta de entrada: 60.01 Microfaradio --> 6.001E-05 Faradio (Verifique la conversión ​aquí)
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
tox = εox*Wg*Lg/Cin --> 0.14979*0.000285*0.007/6.001E-05
Evaluar ... ...
tox = 0.00497968755207465
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
0.00497968755207465 Metro -->4.97968755207465 Milímetro (Verifique la conversión ​aquí)
RESPUESTA FINAL
4.97968755207465 4.979688 Milímetro <-- Espesor de la capa de óxido
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por Shobhit Dimri
Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!
Verifier Image
Verificada por Urvi Rathod
Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

15 Características del circuito CMOS Calculadoras

Capacitancia efectiva en CMOS
​ Vamos Capacitancia efectiva en CMOS = Ciclo de trabajo*(Apagado actual*(10^(Voltaje base del colector)))/(Puertas en el camino crítico*[BoltZ]*Voltaje base del colector)
Permitividad de la capa de óxido
​ Vamos Permitividad de la capa de óxido = Espesor de la capa de óxido*Capacitancia de la puerta de entrada/(Ancho de la puerta*Longitud de la puerta)
Espesor de la capa de óxido
​ Vamos Espesor de la capa de óxido = Permitividad de la capa de óxido*Ancho de la puerta*Longitud de la puerta/Capacitancia de la puerta de entrada
Ancho de la puerta
​ Vamos Ancho de la puerta = Capacitancia de la puerta de entrada/(Capacitancia de la capa de óxido de puerta*Longitud de la puerta)
Perímetro de la pared lateral de la fuente de difusión
​ Vamos Perímetro de difusión de la fuente en la pared lateral = (2*Ancho de transición)+(2*Longitud de la fuente)
Ancho de transición de CMOS
​ Vamos Ancho de transición = Capacitancia de superposición de puerta MOS/Capacitancia de puerta MOS
Ancho de la región de agotamiento
​ Vamos Ancho de la región de agotamiento = Longitud de unión PN-Longitud efectiva del canal
Longitud efectiva del canal
​ Vamos Longitud efectiva del canal = Longitud de unión PN-Ancho de la región de agotamiento
Longitud de unión PN
​ Vamos Longitud de unión PN = Ancho de la región de agotamiento+Longitud efectiva del canal
Campo eléctrico crítico
​ Vamos Campo eléctrico crítico = (2*Saturación de velocidad)/Movilidad del electrón
Ancho de difusión de la fuente
​ Vamos Ancho de transición = Área de difusión de fuentes/Longitud de la fuente
Área de difusión de fuentes
​ Vamos Área de difusión de fuentes = Longitud de la fuente*Ancho de transición
CMOS significa ruta libre
​ Vamos Camino libre medio = Voltaje crítico en CMOS/Campo eléctrico crítico
Voltaje crítico CMOS
​ Vamos Voltaje crítico en CMOS = Campo eléctrico crítico*Camino libre medio
Voltaje en EDP Mínimo
​ Vamos Tensión al mínimo EDP = (3*Voltaje umbral)/(3-Factor de actividad)

Espesor de la capa de óxido Fórmula

Espesor de la capa de óxido = Permitividad de la capa de óxido*Ancho de la puerta*Longitud de la puerta/Capacitancia de la puerta de entrada
tox = εox*Wg*Lg/Cin

¿Cuáles son las regiones de operación en los transistores MOS?

Los transistores MOS tienen tres regiones de operación que incluyen, región de corte o subumbral, región lineal y región de saturación.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!