Espessura da Camada de Óxido Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Espessura da Camada de Óxido = Permissividade da camada de óxido*Largura do portão*Comprimento do portão/Capacitância da porta de entrada
tox = εox*Wg*Lg/Cin
Esta fórmula usa 5 Variáveis
Variáveis Usadas
Espessura da Camada de Óxido - (Medido em Metro) - A espessura da camada de óxido é determinada durante a tecnologia de processo usada para fabricar o MOSFET.
Permissividade da camada de óxido - (Medido em Farad por Metro) - A permissividade da camada de óxido é definida como a capacidade de uma substância armazenar energia elétrica em um campo elétrico.
Largura do portão - (Medido em Metro) - Largura da porta refere-se à distância entre a borda de um eletrodo de porta metálica e o material semicondutor adjacente em um CMOS.
Comprimento do portão - (Medido em Metro) - Comprimento do portão é a medida ou extensão de algo de ponta a ponta.
Capacitância da porta de entrada - (Medido em Farad) - A capacitância da porta de entrada em CMOS refere-se à capacitância entre os terminais de entrada de um circuito CMOS e o potencial de referência (geralmente terra).
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Permissividade da camada de óxido: 149.79 Microfarad por Milímetro --> 0.14979 Farad por Metro (Verifique a conversão aqui)
Largura do portão: 0.285 Milímetro --> 0.000285 Metro (Verifique a conversão aqui)
Comprimento do portão: 7 Milímetro --> 0.007 Metro (Verifique a conversão aqui)
Capacitância da porta de entrada: 60.01 Microfarad --> 6.001E-05 Farad (Verifique a conversão aqui)
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
tox = εox*Wg*Lg/Cin --> 0.14979*0.000285*0.007/6.001E-05
Avaliando ... ...
tox = 0.00497968755207465
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
0.00497968755207465 Metro -->4.97968755207465 Milímetro (Verifique a conversão aqui)
RESPOSTA FINAL
4.97968755207465 4.979688 Milímetro <-- Espessura da Camada de Óxido
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Criado por Shobhit Dimri
Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!
Verificado por Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

15 Características do circuito CMOS Calculadoras

Capacitância efetiva em CMOS
Vai Capacitância Efetiva em CMOS = Ciclo de trabalho*(Desatualizado*(10^(Tensão do Coletor Base)))/(Portões no Caminho Crítico*[BoltZ]*Tensão do Coletor Base)
Permissividade da Camada de Óxido
Vai Permissividade da camada de óxido = Espessura da Camada de Óxido*Capacitância da porta de entrada/(Largura do portão*Comprimento do portão)
Espessura da Camada de Óxido
Vai Espessura da Camada de Óxido = Permissividade da camada de óxido*Largura do portão*Comprimento do portão/Capacitância da porta de entrada
Largura do Portão
Vai Largura do portão = Capacitância da porta de entrada/(Capacitância da camada de óxido de porta*Comprimento do portão)
Perímetro de Difusão de Fonte de Parede Lateral
Vai Perímetro da parede lateral de difusão da fonte = (2*Largura da transição)+(2*Comprimento da Fonte)
Largura de transição do CMOS
Vai Largura da transição = Capacitância de sobreposição de porta MOS/Capacitância da Porta MOS
Largura da região de depleção
Vai Largura da região de esgotamento = Comprimento da junção PN-Comprimento Efetivo do Canal
Comprimento Efetivo do Canal
Vai Comprimento Efetivo do Canal = Comprimento da junção PN-Largura da região de esgotamento
Comprimento da junção PN
Vai Comprimento da junção PN = Largura da região de esgotamento+Comprimento Efetivo do Canal
Campo Elétrico Crítico
Vai Campo Elétrico Crítico = (2*Saturação de velocidade)/Mobilidade do Elétron
CMOS significa caminho livre
Vai Significa caminho livre = Tensão Crítica em CMOS/Campo Elétrico Crítico
Tensão Crítica CMOS
Vai Tensão Crítica em CMOS = Campo Elétrico Crítico*Significa caminho livre
Largura da Difusão da Fonte
Vai Largura da transição = Área de Difusão de Fonte/Comprimento da Fonte
Área de Difusão de Fonte
Vai Área de Difusão de Fonte = Comprimento da Fonte*Largura da transição
Tensão no Mínimo EDP
Vai Tensão no EDP Mínimo = (3*Tensão de limiar)/(3-Fator de atividade)

Espessura da Camada de Óxido Fórmula

Espessura da Camada de Óxido = Permissividade da camada de óxido*Largura do portão*Comprimento do portão/Capacitância da porta de entrada
tox = εox*Wg*Lg/Cin

Quais são as regiões de operação nos transistores MOS?

Os transistores MOS têm três regiões de operação que incluem, região de corte ou sublimiar, região linear e região de saturação.

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