Gate-Drain-Kapazität des FET Taschenrechner

✖Die Ausschaltzeit der Gate-Drain-Kapazität eines FET wirkt sich negativ auf die Ausschaltzeit des FET aus. Die Ausschaltzeit ist die Zeit, die der FET benötigt, um vom Ein-Zustand in den Aus-Zustand zu wechseln.ⓘ Ausschaltzeit der Gate-Abflusskapazität [C_off(g-d)]			+10% -10%
✖Die Gate-Drain-Spannung ist die Spannungsdifferenz zwischen den Gate- und Drain-Anschlüssen eines FET. Dies ist ein wichtiger Parameter für den FET-Betrieb.ⓘ Gate-zu-Drain-Spannung [V_(g-d)]			+10% -10%
✖Psi (ψ) ist das Oberflächenpotential eines FET. Es handelt sich um die Potentialdifferenz zwischen der Halbleiteroberfläche und dem massiven Halbleiter.ⓘ Psi [Ψ₀]			+10% -10%

✖Die Gate-Drain-Kapazität eines FET ist die Kapazität zwischen den Gate- und Drain-Anschlüssen des FET. Dies wird durch die Überlappung zwischen den Gate- und Drain-Bereichen verursacht.ⓘ Gate-Drain-Kapazität des FET [C_(g-d)]

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Formel

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Gate-Drain-Kapazität des FET

Formel

`"C"_{"(g-d)"} = "C"_{"off(g-d)"}/(1-"V"_{"(g-d)"}/"Ψ"_{"0"})^(1/3)`

Beispiel

`"9.536121F"="6.47F"/(1-"12.784V"/"0.01859kPa")^(1/3)`

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Gate-Drain-Kapazität des FET Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Gate-to-Drain-Kapazität = Ausschaltzeit der Gate-Abflusskapazität/(1-Gate-zu-Drain-Spannung/Psi)^(1/3)
C_(g-d) = C_off(g-d)/(1-V_(g-d)/Ψ₀)^(1/3)
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Gate-to-Drain-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Gate-Drain-Kapazität eines FET ist die Kapazität zwischen den Gate- und Drain-Anschlüssen des FET. Dies wird durch die Überlappung zwischen den Gate- und Drain-Bereichen verursacht.
Ausschaltzeit der Gate-Abflusskapazität - (Gemessen in Farad) - Die Ausschaltzeit der Gate-Drain-Kapazität eines FET wirkt sich negativ auf die Ausschaltzeit des FET aus. Die Ausschaltzeit ist die Zeit, die der FET benötigt, um vom Ein-Zustand in den Aus-Zustand zu wechseln.
Gate-zu-Drain-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Gate-Drain-Spannung ist die Spannungsdifferenz zwischen den Gate- und Drain-Anschlüssen eines FET. Dies ist ein wichtiger Parameter für den FET-Betrieb.
Psi - (Gemessen in Pascal) - Psi (ψ) ist das Oberflächenpotential eines FET. Es handelt sich um die Potentialdifferenz zwischen der Halbleiteroberfläche und dem massiven Halbleiter.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Ausschaltzeit der Gate-Abflusskapazität: 6.47 Farad --> 6.47 Farad Keine Konvertierung erforderlich
Gate-zu-Drain-Spannung: 12.784 Volt --> 12.784 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Psi: 0.01859 Kilopascal --> 18.59 Pascal (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

C_(g-d) = C_off(g-d)/(1-V_(g-d)/Ψ₀)^(1/3) --> 6.47/(1-12.784/18.59)^(1/3)

Auswerten ... ...

C_(g-d) = 9.53612056981509

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

9.53612056981509 Farad --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

9.53612056981509 ≈ 9.536121 Farad <-- Gate-to-Drain-Kapazität

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Mohamed Fazil V

Acharya-Institut für Technologie (AIT), Bengaluru

Mohamed Fazil V hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Parminder Singh

Chandigarh-Universität (KU), Punjab

Parminder Singh hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner verifiziert!

< 9 FET Taschenrechner

Ohmscher Bereich Drainstrom des FET

Gehen Stromverbrauch = Kanalleitfähigkeit*(Drain-Source-Spannung+3/2*((Psi+Verstärkung zur Quellenspannung-Drain-Source-Spannung)^(3/2)-(Psi+Verstärkung zur Quellenspannung)^(3/2))/((Psi+Pinch-Off-Spannung)^(1/2)))

Transkonduktanz von FET

Gehen Vorwärtstranskonduktanz = (2*Drainstrom mit Nullvorspannung)/Pinch-Off-Spannung*(1-Verstärkung zur Quellenspannung/Pinch-Off-Spannung)

Drain-Source-Spannung des FET

Gehen Drain-Source-Spannung = Versorgungsspannung am Drain-Stromverbrauch*(Abflusswiderstand+Quellenwiderstand)

Drainstrom des FET

Gehen Stromverbrauch = Drainstrom mit Nullvorspannung*(1-Verstärkung zur Quellenspannung/Cuttoff-Verstärkung zur Quellenspannung)^2

Gate-Source-Kapazität des FET

Gehen Gate-Source-Kapazität = Ausschaltzeit der Gate-Quellenkapazität/(1-(Verstärkung zur Quellenspannung/Psi))^(1/3)

Gate-Substratkapazität des FET

Gehen Gate-Substratkapazität = Ausschaltzeit der Gate-Substratkapazität/(1-(Gate-Substratspannung/Psi))^(1/2)

Gate-Drain-Kapazität des FET

Gehen Gate-to-Drain-Kapazität = Ausschaltzeit der Gate-Abflusskapazität/(1-Gate-zu-Drain-Spannung/Psi)^(1/3)

Abschnürspannung des FET

Gehen Pinch-Off-Spannung = Abklemmen der Drain-Source-Spannung-Verstärkung zur Quellenspannung

Spannungsverstärkung des FET

Gehen Spannungsverstärkung = -Vorwärtstranskonduktanz*Abflusswiderstand

Gate-Drain-Kapazität des FET Formel

Gate-to-Drain-Kapazität = Ausschaltzeit der Gate-Abflusskapazität/(1-Gate-zu-Drain-Spannung/Psi)^(1/3)
C_(g-d) = C_off(g-d)/(1-V_(g-d)/Ψ₀)^(1/3)

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