Basis-Emitter-Übergangskapazität Taschenrechner

✖Die Basis-Emitter-Übergangskapazität ist die Kapazität des Übergangs, der in Vorwärtsrichtung vorgespannt ist und durch eine Diode dargestellt wird.ⓘ Basis-Emitter-Übergangskapazität [C]

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Formel

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Basis-Emitter-Übergangskapazität

Formel

`"C" = 2*"C"_{"eb"}`

Beispiel

`"3μF"=2*"1.5μF"`

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Basis-Emitter-Übergangskapazität Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Basis-Emitter-Übergangskapazität = 2*Emitter-Basis-Kapazität
C = 2*C_eb
Diese formel verwendet 2 Variablen

Verwendete Variablen

Basis-Emitter-Übergangskapazität - (Gemessen in Farad) - Die Basis-Emitter-Übergangskapazität ist die Kapazität des Übergangs, der in Vorwärtsrichtung vorgespannt ist und durch eine Diode dargestellt wird.
Emitter-Basis-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Emitter-Basis-Kapazität ist die Kapazität zwischen Emitter und Basis.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Emitter-Basis-Kapazität: 1.5 Mikrofarad --> 1.5E-06 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

C = 2*C_eb --> 2*1.5E-06

Auswerten ... ...

C = 3E-06

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

3E-06 Farad -->3 Mikrofarad (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

3 Mikrofarad <-- Basis-Emitter-Übergangskapazität

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Kollektor-Basis-Übergangskapazität

Gehen Kollektor-Basis-Übergangskapazität = Kollektor-Basis-Übergangskapazität bei 0 Spannung/(1+(Sperrvorspannung/Eingebaute Spannung))^Bewertungskoeffizient

Konzentration der vom Emitter zur Basis injizierten Elektronen

Gehen Konzentration von E-Injected vom Emitter zur Basis = Thermische Gleichgewichtskonzentration*e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung)

Übergangsfrequenz von BJT

Gehen Übergangsfrequenz = Steilheit/(2*pi*(Emitter-Basis-Kapazität+Kollektor-Basis-Übergangskapazität))

Unity-Gain-Bandbreite von BJT

Gehen Unity-Gain-Bandbreite = Steilheit/(Emitter-Basis-Kapazität+Kollektor-Basis-Übergangskapazität)

Kleinsignal-Diffusionskapazität von BJT

Gehen Emitter-Basis-Kapazität = Gerätekonstante*(Kollektorstrom/Grenzspannung)

Thermische Gleichgewichtskonzentration des Minoritätsladungsträgers

Gehen Thermische Gleichgewichtskonzentration = ((Intrinsische Trägerdichte)^2)/Dopingkonzentration der Base

Gespeicherte Elektronenladung in der Basis von BJT

Gehen Gespeicherte Elektronenladung = Gerätekonstante*Kollektorstrom

Kleinsignal-Diffusionskapazität

Gehen Emitter-Basis-Kapazität = Gerätekonstante*Steilheit

Übergangsfrequenz von BJT bei gegebener Gerätekonstante

Gehen Übergangsfrequenz = 1/(2*pi*Gerätekonstante)

Basis-Emitter-Übergangskapazität

Gehen Basis-Emitter-Übergangskapazität = 2*Emitter-Basis-Kapazität

Basis-Emitter-Übergangskapazität Formel

Basis-Emitter-Übergangskapazität = 2*Emitter-Basis-Kapazität
C = 2*C_eb

Was ist BJT und seine Typen?

Ein Bipolartransistor (Bipolartransistor: BJT) besteht aus drei Halbleiterbereichen, die zwei Übergänge bilden. Es gibt zwei Arten von Strukturen: NPN und PNP. Produkte mit NPN bis 800 V und PNP bis -600 V sind erhältlich. Zusätzlich gibt es eingebaute Vorspannungswiderstandstransistoren (BRTs).

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