Gespeicherte Elektronenladung in der Basis von BJT Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Gespeicherte Elektronenladung = Gerätekonstante*Kollektorstrom
Qn = 𝛕F*Ic
Diese formel verwendet 3 Variablen
Verwendete Variablen
Gespeicherte Elektronenladung - (Gemessen in Coulomb) - Gespeicherte Elektronenladung wird normalerweise von einem Kondensator erzeugt, der aus zwei Platten besteht, die durch ein dünnes Isoliermaterial, das als Dielektrikum bekannt ist, getrennt sind.
Gerätekonstante - (Gemessen in Zweite) - Ein Gerätekonstantenwert wird einmal definiert und kann in einem Programm viele Male referenziert werden.
Kollektorstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Kollektorstrom ist ein verstärkter Ausgangsstrom eines Bipolartransistors.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Gerätekonstante: 2 Zweite --> 2 Zweite Keine Konvertierung erforderlich
Kollektorstrom: 5 Milliampere --> 0.005 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Qn = 𝛕F*Ic --> 2*0.005
Auswerten ... ...
Qn = 0.01
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
0.01 Coulomb --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
0.01 Coulomb <-- Gespeicherte Elektronenladung
(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri
Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Kollektor-Basis-Übergangskapazität
​ Gehen Kollektor-Basis-Übergangskapazität = Kollektor-Basis-Übergangskapazität bei 0 Spannung/(1+(Sperrvorspannung/Eingebaute Spannung))^Bewertungskoeffizient
Konzentration der vom Emitter zur Basis injizierten Elektronen
​ Gehen Konzentration von E-Injected vom Emitter zur Basis = Thermische Gleichgewichtskonzentration*e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung)
Übergangsfrequenz von BJT
​ Gehen Übergangsfrequenz = Steilheit/(2*pi*(Emitter-Basis-Kapazität+Kollektor-Basis-Übergangskapazität))
Unity-Gain-Bandbreite von BJT
​ Gehen Unity-Gain-Bandbreite = Steilheit/(Emitter-Basis-Kapazität+Kollektor-Basis-Übergangskapazität)
Kleinsignal-Diffusionskapazität von BJT
​ Gehen Emitter-Basis-Kapazität = Gerätekonstante*(Kollektorstrom/Grenzspannung)
Thermische Gleichgewichtskonzentration des Minoritätsladungsträgers
​ Gehen Thermische Gleichgewichtskonzentration = ((Intrinsische Trägerdichte)^2)/Dopingkonzentration der Base
Gespeicherte Elektronenladung in der Basis von BJT
​ Gehen Gespeicherte Elektronenladung = Gerätekonstante*Kollektorstrom
Kleinsignal-Diffusionskapazität
​ Gehen Emitter-Basis-Kapazität = Gerätekonstante*Steilheit
Übergangsfrequenz von BJT bei gegebener Gerätekonstante
​ Gehen Übergangsfrequenz = 1/(2*pi*Gerätekonstante)
Basis-Emitter-Übergangskapazität
​ Gehen Basis-Emitter-Übergangskapazität = 2*Emitter-Basis-Kapazität

Gespeicherte Elektronenladung in der Basis von BJT Formel

Gespeicherte Elektronenladung = Gerätekonstante*Kollektorstrom
Qn = 𝛕F*Ic

Wie speichert man Elektronen?

Elektronen werden routinemäßig gesammelt und in einem Elektronenspeicherring gespeichert. Es besteht aus einer Reihe magnetischer Elemente, hauptsächlich Dipolen, um die Teilchen zu einem Ring zu biegen, und Quadrupolen, um die Elektronen eng fokussiert zu halten.

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