Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung Taschenrechner

Null-Bias-Seitenwandübergangspotential = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((Seitenwand-Dotierungsdichte*Dopingkonzentration des Spenders)/(Seitenwand-Dotierungsdichte+Dopingkonzentration des Spenders))*1/Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen)
C_j0sw = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((N_A(sw)*N_D)/(N_A(sw)+N_D))*1/Φ_osw)
Diese formel verwendet 2 Konstanten, 1 Funktionen, 4 Variablen
[Permitivity-silicon] - Permittivität von Silizium Wert genommen als 11.7
[Charge-e] - Ladung eines Elektrons Wert genommen als 1.60217662E-19sqrt - Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt., sqrt(Number)Null-Bias-Seitenwandübergangspotential - (Gemessen in Farad) - Das Zero Bias Sidewall Junction Potential ist das eingebaute Potential im Seitenwandübergang bestimmter Transistorstrukturen.
Seitenwand-Dotierungsdichte - (Gemessen in Elektronen pro Kubikmeter) - Die Seitenwand-Dotierungsdichte bezieht sich auf die Konzentration von Dotierstoffatomen entlang der Seitenwände der Transistorstruktur.
Dopingkonzentration des Spenders - (Gemessen in Elektronen pro Kubikmeter) - Die Dotierungskonzentration des Donors bezieht sich auf die Konzentration der Donoratome, die einem Halbleitermaterial absichtlich hinzugefügt werden.
Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen - (Gemessen in Volt) - Das eingebaute Potenzial von Seitenwandübergängen bezieht sich auf den Übergang, der entlang der vertikalen oder Seitenwandoberflächen der Transistorstruktur gebildet wird.

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)