✖Die Seitenwand-Dotierungsdichte bezieht sich auf die Konzentration von Dotierstoffatomen entlang der Seitenwände der Transistorstruktur.ⓘ Seitenwand-Dotierungsdichte [NA(sw)] | | | +10% -10% |
✖Die Dotierungskonzentration des Donors bezieht sich auf die Konzentration der Donoratome, die einem Halbleitermaterial absichtlich hinzugefügt werden.ⓘ Dopingkonzentration des Spenders [ND] | | | +10% -10% |
✖Das eingebaute Potenzial von Seitenwandübergängen bezieht sich auf den Übergang, der entlang der vertikalen oder Seitenwandoberflächen der Transistorstruktur gebildet wird.ⓘ Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen [Φosw] | | | +10% -10% |