Calculadora Efecto corporal en PMOS

✖El voltaje de umbral, también conocido como voltaje de umbral de puerta o simplemente Vth, es un parámetro crítico en el funcionamiento de los transistores de efecto de campo, que son componentes fundamentales en la electrónica moderna.ⓘ Voltaje de umbral [V_T]			+10% -10%
✖El parámetro del proceso de fabricación es el proceso que comienza con la oxidación del sustrato de silicio en el que se deposita una capa de óxido relativamente gruesa en la superficie.ⓘ Parámetro del proceso de fabricación [γ]			+10% -10%
✖Los parámetros físicos se pueden utilizar para describir el estado o condición de un sistema físico, o para caracterizar la forma en que el sistema responde a diversos estímulos o entradas.ⓘ Parámetro físico [φ_f]			+10% -10%
✖El voltaje entre el cuerpo y la fuente es importante porque puede afectar el funcionamiento seguro de los dispositivos electrónicos.ⓘ Voltaje entre el cuerpo y la fuente [V_SB]			+10% -10%

✖El cambio en el voltaje de umbral puede deberse a varios factores, incluidos los cambios de temperatura, la exposición a la radiación y el envejecimiento.ⓘ Efecto corporal en PMOS [ΔV_t]

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Efecto corporal en PMOS Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Cambio en el voltaje de umbral = Voltaje de umbral+Parámetro del proceso de fabricación*(sqrt(2*Parámetro físico+Voltaje entre el cuerpo y la fuente)-sqrt(2*Parámetro físico))
ΔV_t = V_T+γ*(sqrt(2*φ_f+V_SB)-sqrt(2*φ_f))
Esta fórmula usa 1 Funciones, 5 Variables

Funciones utilizadas

sqrt - Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado., sqrt(Number)

Variables utilizadas

Cambio en el voltaje de umbral - (Medido en Voltio) - El cambio en el voltaje de umbral puede deberse a varios factores, incluidos los cambios de temperatura, la exposición a la radiación y el envejecimiento.
Voltaje de umbral - (Medido en Voltio) - El voltaje de umbral, también conocido como voltaje de umbral de puerta o simplemente Vth, es un parámetro crítico en el funcionamiento de los transistores de efecto de campo, que son componentes fundamentales en la electrónica moderna.
Parámetro del proceso de fabricación - El parámetro del proceso de fabricación es el proceso que comienza con la oxidación del sustrato de silicio en el que se deposita una capa de óxido relativamente gruesa en la superficie.
Parámetro físico - (Medido en Voltio) - Los parámetros físicos se pueden utilizar para describir el estado o condición de un sistema físico, o para caracterizar la forma en que el sistema responde a diversos estímulos o entradas.
Voltaje entre el cuerpo y la fuente - (Medido en Voltio) - El voltaje entre el cuerpo y la fuente es importante porque puede afectar el funcionamiento seguro de los dispositivos electrónicos.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Voltaje de umbral: 0.7 Voltio --> 0.7 Voltio No se requiere conversión
Parámetro del proceso de fabricación: 0.4 --> No se requiere conversión
Parámetro físico: 0.6 Voltio --> 0.6 Voltio No se requiere conversión
Voltaje entre el cuerpo y la fuente: 10 Voltio --> 10 Voltio No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

ΔV_t = V_T+γ*(sqrt(2*φ_f+V_SB)-sqrt(2*φ_f)) --> 0.7+0.4*(sqrt(2*0.6+10)-sqrt(2*0.6))

Evaluar ... ...

ΔV_t = 1.60047799645039

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

1.60047799645039 Voltio --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

1.60047799645039 ≈ 1.600478 Voltio <-- Cambio en el voltaje de umbral

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Payal Priya

Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri

¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

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Corriente de drenaje en la región triodo del transistor PMOS

LaTeX Vamos Corriente de drenaje = Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*((Voltaje entre puerta y fuente-modulus(Voltaje de umbral))*Voltaje entre drenaje y fuente-1/2*(Voltaje entre drenaje y fuente)^2)

Corriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd

LaTeX Vamos Corriente de drenaje = Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*(modulus(Voltaje efectivo)-1/2*Voltaje entre drenaje y fuente)*Voltaje entre drenaje y fuente

Corriente de drenaje en la región de saturación del transistor PMOS

LaTeX Vamos Corriente de drenaje de saturación = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*(Voltaje entre puerta y fuente-modulus(Voltaje de umbral))^2

Corriente de drenaje en la región de saturación del transistor PMOS dado Vov

LaTeX Vamos Corriente de drenaje de saturación = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*(Voltaje efectivo)^2