Efecto corporal en PMOS Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Cambio en el voltaje de umbral = Voltaje de umbral+Parámetro del proceso de fabricación*(sqrt(2*Parámetro físico+Voltaje entre el cuerpo y la fuente)-sqrt(2*Parámetro físico))
ΔVt = VT+γ*(sqrt(2*φf+VSB)-sqrt(2*φf))
Esta fórmula usa 1 Funciones, 5 Variables
Funciones utilizadas
sqrt - Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado., sqrt(Number)
Variables utilizadas
Cambio en el voltaje de umbral - (Medido en Voltio) - El cambio en el voltaje de umbral puede deberse a varios factores, incluidos los cambios de temperatura, la exposición a la radiación y el envejecimiento.
Voltaje de umbral - (Medido en Voltio) - El voltaje de umbral, también conocido como voltaje de umbral de puerta o simplemente Vth, es un parámetro crítico en el funcionamiento de los transistores de efecto de campo, que son componentes fundamentales en la electrónica moderna.
Parámetro del proceso de fabricación - El parámetro del proceso de fabricación es el proceso que comienza con la oxidación del sustrato de silicio en el que se deposita una capa de óxido relativamente gruesa en la superficie.
Parámetro físico - (Medido en Voltio) - Los parámetros físicos se pueden utilizar para describir el estado o condición de un sistema físico, o para caracterizar la forma en que el sistema responde a diversos estímulos o entradas.
Voltaje entre el cuerpo y la fuente - (Medido en Voltio) - El voltaje entre el cuerpo y la fuente es importante porque puede afectar el funcionamiento seguro de los dispositivos electrónicos.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Voltaje de umbral: 0.7 Voltio --> 0.7 Voltio No se requiere conversión
Parámetro del proceso de fabricación: 0.4 --> No se requiere conversión
Parámetro físico: 0.6 Voltio --> 0.6 Voltio No se requiere conversión
Voltaje entre el cuerpo y la fuente: 10 Voltio --> 10 Voltio No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
ΔVt = VT+γ*(sqrt(2*φf+VSB)-sqrt(2*φf)) --> 0.7+0.4*(sqrt(2*0.6+10)-sqrt(2*0.6))
Evaluar ... ...
ΔVt = 1.60047799645039
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
1.60047799645039 Voltio --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
1.60047799645039 1.600478 Voltio <-- Cambio en el voltaje de umbral
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

Creado por Payal Priya
Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri
¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!
Verificada por Urvi Rathod
Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

14 Mejora del canal P Calculadoras

Corriente de drenaje general del transistor PMOS
Vamos Corriente de drenaje = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*(Voltaje entre puerta y fuente-modulus(Voltaje de umbral))^2*(1+Voltaje entre drenaje y fuente/modulus(Voltaje temprano))
Corriente de drenaje en la región triodo del transistor PMOS
Vamos Corriente de drenaje = Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*((Voltaje entre puerta y fuente-modulus(Voltaje de umbral))*Voltaje entre drenaje y fuente-1/2*(Voltaje entre drenaje y fuente)^2)
Efecto corporal en PMOS
Vamos Cambio en el voltaje de umbral = Voltaje de umbral+Parámetro del proceso de fabricación*(sqrt(2*Parámetro físico+Voltaje entre el cuerpo y la fuente)-sqrt(2*Parámetro físico))
Corriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd
Vamos Corriente de drenaje = Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*(modulus(Voltaje efectivo)-1/2*Voltaje entre drenaje y fuente)*Voltaje entre drenaje y fuente
Corriente de drenaje en la región de saturación del transistor PMOS
Vamos Corriente de drenaje de saturación = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*(Voltaje entre puerta y fuente-modulus(Voltaje de umbral))^2
Parámetro de efecto de puerta trasera en PMOS
Vamos Parámetro de efecto de puerta trasera = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Concentración de donantes)/Capacitancia de óxido
Drenar la corriente de la fuente al drenaje
Vamos Corriente de drenaje = (Ancho de la unión*Carga de capa de inversión*Movilidad de agujeros en canal*Componente horizontal del campo eléctrico en el canal)
Carga de capa de inversión en condición de pellizco en PMOS
Vamos Carga de capa de inversión = -Capacitancia de óxido*(Voltaje entre puerta y fuente-Voltaje de umbral-Voltaje entre drenaje y fuente)
Corriente de drenaje en la región de saturación del transistor PMOS dado Vov
Vamos Corriente de drenaje de saturación = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*(Voltaje efectivo)^2
Corriente en el canal de inversión de PMOS
Vamos Corriente de drenaje = (Ancho de la unión*Carga de capa de inversión*Velocidad de deriva de inversión)
Carga de capa de inversión en PMOS
Vamos Carga de capa de inversión = -Capacitancia de óxido*(Voltaje entre puerta y fuente-Voltaje de umbral)
Corriente en Canal de Inversión de PMOS dada Movilidad
Vamos Velocidad de deriva de inversión = Movilidad de agujeros en canal*Componente horizontal del campo eléctrico en el canal
Voltaje de sobremarcha de PMOS
Vamos Voltaje efectivo = Voltaje entre puerta y fuente-modulus(Voltaje de umbral)
Parámetro de transconductancia de proceso de PMOS
Vamos Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS = Movilidad de agujeros en canal*Capacitancia de óxido

Efecto corporal en PMOS Fórmula

Cambio en el voltaje de umbral = Voltaje de umbral+Parámetro del proceso de fabricación*(sqrt(2*Parámetro físico+Voltaje entre el cuerpo y la fuente)-sqrt(2*Parámetro físico))
ΔVt = VT+γ*(sqrt(2*φf+VSB)-sqrt(2*φf))

¿Cuál es la causa del efecto corporal en PMOS? ¿Qué es el sesgo corporal?

El efecto corporal se debe a que la diferencia de voltaje entre la fuente y el cuerpo afecta la V

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