Lichaamseffect bij PMOS Rekenmachine

✖Drempelspanning, ook wel poortdrempelspanning of gewoon Vth genoemd, is een kritieke parameter bij de werking van veldeffecttransistors, die fundamentele componenten zijn in moderne elektronica.ⓘ Drempelspanning [V_T]			+10% -10%
✖De fabricageprocesparameter is het proces dat begint met de oxidatie van siliciumsubstraat waarbij een relatief dikke oxidelaag op het oppervlak wordt afgezet.ⓘ Fabricageprocesparameter [γ]			+10% -10%
✖Fysieke parameters kunnen worden gebruikt om de toestand van een fysiek systeem te beschrijven, of om de manier te karakteriseren waarop het systeem reageert op verschillende stimuli of invoer.ⓘ Fysieke parameters [φ_f]			+10% -10%
✖De spanning tussen lichaam en bron is belangrijk omdat deze een effect kan hebben op de veilige werking van elektronische apparaten.ⓘ Spanning tussen Lichaam en Bron [V_SB]			+10% -10%

✖Veranderingen in de drempelspanning kunnen worden veroorzaakt door verschillende factoren, waaronder veranderingen in temperatuur, blootstelling aan straling en veroudering.ⓘ Lichaamseffect bij PMOS [ΔV_t]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Lichaamseffect bij PMOS

Formule

`"ΔV"_{"t"} = "V"_{"T"}+"γ"*(sqrt(2*"φ"_{"f"}+"V"_{"SB"})-sqrt(2*"φ"_{"f"}))`

Voorbeeld

`"1.600478V"="0.7V"+"0.4"*(sqrt(2*"0.6V"+"10V")-sqrt(2*"0.6V"))`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET Formule Pdf

Lichaamseffect bij PMOS Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Verandering in drempelspanning = Drempelspanning+Fabricageprocesparameter*(sqrt(2*Fysieke parameters+Spanning tussen Lichaam en Bron)-sqrt(2*Fysieke parameters))
ΔV_t = V_T+γ*(sqrt(2*φ_f+V_SB)-sqrt(2*φ_f))
Deze formule gebruikt 1 Functies, 5 Variabelen

Functies die worden gebruikt

sqrt - Een vierkantswortelfunctie is een functie die een niet-negatief getal als invoer neemt en de vierkantswortel van het gegeven invoergetal retourneert., sqrt(Number)

Variabelen gebruikt

Verandering in drempelspanning - (Gemeten in Volt) - Veranderingen in de drempelspanning kunnen worden veroorzaakt door verschillende factoren, waaronder veranderingen in temperatuur, blootstelling aan straling en veroudering.
Drempelspanning - (Gemeten in Volt) - Drempelspanning, ook wel poortdrempelspanning of gewoon Vth genoemd, is een kritieke parameter bij de werking van veldeffecttransistors, die fundamentele componenten zijn in moderne elektronica.
Fabricageprocesparameter - De fabricageprocesparameter is het proces dat begint met de oxidatie van siliciumsubstraat waarbij een relatief dikke oxidelaag op het oppervlak wordt afgezet.
Fysieke parameters - (Gemeten in Volt) - Fysieke parameters kunnen worden gebruikt om de toestand van een fysiek systeem te beschrijven, of om de manier te karakteriseren waarop het systeem reageert op verschillende stimuli of invoer.
Spanning tussen Lichaam en Bron - (Gemeten in Volt) - De spanning tussen lichaam en bron is belangrijk omdat deze een effect kan hebben op de veilige werking van elektronische apparaten.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Drempelspanning: 0.7 Volt --> 0.7 Volt Geen conversie vereist
Fabricageprocesparameter: 0.4 --> Geen conversie vereist
Fysieke parameters: 0.6 Volt --> 0.6 Volt Geen conversie vereist
Spanning tussen Lichaam en Bron: 10 Volt --> 10 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

ΔV_t = V_T+γ*(sqrt(2*φ_f+V_SB)-sqrt(2*φ_f)) --> 0.7+0.4*(sqrt(2*0.6+10)-sqrt(2*0.6))

Evalueren ... ...

ΔV_t = 1.60047799645039

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

1.60047799645039 Volt --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

1.60047799645039 ≈ 1.600478 Volt <-- Verandering in drempelspanning

(Berekening voltooid in 00.022 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » MOSFET » Analoge elektronica » P-Channel-verbetering » Lichaamseffect bij PMOS

Credits

Gemaakt door Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri

Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 14 P-Channel-verbetering Rekenmachines

Totale afvoerstroom van PMOS-transistor

Gaan Afvoerstroom = 1/2*Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*(Spanning tussen poort en bron-modulus(Drempelspanning))^2*(1+Spanning tussen afvoer en bron/modulus(Vroege spanning))

Afvoerstroom in triodegebied van PMOS-transistor

Gaan Afvoerstroom = Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*((Spanning tussen poort en bron-modulus(Drempelspanning))*Spanning tussen afvoer en bron-1/2*(Spanning tussen afvoer en bron)^2)

Lichaamseffect bij PMOS

Gaan Verandering in drempelspanning = Drempelspanning+Fabricageprocesparameter*(sqrt(2*Fysieke parameters+Spanning tussen Lichaam en Bron)-sqrt(2*Fysieke parameters))

Afvoerstroom in triodegebied van PMOS-transistor gegeven Vsd

Gaan Afvoerstroom = Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*(modulus(Effectieve spanning)-1/2*Spanning tussen afvoer en bron)*Spanning tussen afvoer en bron

Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor

Gaan Verzadigingsafvoerstroom = 1/2*Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*(Spanning tussen poort en bron-modulus(Drempelspanning))^2

Afvoerstroom van bron naar afvoer

Gaan Afvoerstroom = (Breedte van de kruising*Inversielaaglading*Mobiliteit van gaten in kanaal*Horizontale component van elektrisch veld in kanaal)

Backgate-effectparameter in PMOS

Gaan Backgate-effectparameter = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Donor concentratie)/Oxide capaciteit

Inversion Layer Charge bij Pinch-Off-conditie in PMOS

Gaan Inversielaaglading = -Oxide capaciteit*(Spanning tussen poort en bron-Drempelspanning-Spanning tussen afvoer en bron)

Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor gegeven Vov

Gaan Verzadigingsafvoerstroom = 1/2*Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*(Effectieve spanning)^2

Stroom in inversiekanaal van PMOS

Gaan Afvoerstroom = (Breedte van de kruising*Inversielaaglading*Driftsnelheid van inversie)

Inversielaaglading in PMOS

Gaan Inversielaaglading = -Oxide capaciteit*(Spanning tussen poort en bron-Drempelspanning)

Stroom in inversiekanaal van PMOS gegeven mobiliteit

Gaan Driftsnelheid van inversie = Mobiliteit van gaten in kanaal*Horizontale component van elektrisch veld in kanaal

Overdrive-spanning van PMOS

Gaan Effectieve spanning = Spanning tussen poort en bron-modulus(Drempelspanning)

Procestransconductantieparameter van PMOS

Gaan Procestransconductantieparameter in PMOS = Mobiliteit van gaten in kanaal*Oxide capaciteit

Lichaamseffect bij PMOS Formule

Wat is de oorzaak van het lichaamseffect in PMOS? wat is lichaamsbias?

Body-effect wordt veroorzaakt doordat het spanningsverschil tussen de bron en het lichaam de V beïnvloedt

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!