Efeito corporal em PMOS Calculadora

✖A tensão limiar, também conhecida como tensão limiar da porta ou simplesmente Vth, é um parâmetro crítico na operação dos transistores de efeito de campo, que são componentes fundamentais da eletrônica moderna.ⓘ Tensão de limiar [V_T]			+10% -10%
✖O parâmetro do processo de fabricação é o processo que se inicia com a oxidação do substrato de silício no qual uma camada de óxido relativamente espessa é depositada na superfície.ⓘ Parâmetro do Processo de Fabricação [γ]			+10% -10%
✖Parâmetros físicos podem ser usados para descrever o estado ou condição de um sistema físico, ou para caracterizar a maneira como o sistema responde a vários estímulos ou entradas.ⓘ Parâmetro físico [φ_f]			+10% -10%
✖A tensão entre o corpo e a fonte é importante porque pode afetar a operação segura de dispositivos eletrônicos.ⓘ Tensão entre Corpo e Fonte [V_SB]			+10% -10%

✖A alteração na tensão limite pode ser causada por vários fatores, incluindo alterações na temperatura, exposição à radiação e envelhecimento.ⓘ Efeito corporal em PMOS [ΔV_t]

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Fórmula

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Efeito corporal em PMOS

Fórmula

`"ΔV"_{"t"} = "V"_{"T"}+"γ"*(sqrt(2*"φ"_{"f"}+"V"_{"SB"})-sqrt(2*"φ"_{"f"}))`

Exemplo

`"1.600478V"="0.7V"+"0.4"*(sqrt(2*"0.6V"+"10V")-sqrt(2*"0.6V"))`

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Efeito corporal em PMOS Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Mudança na Tensão Limiar = Tensão de limiar+Parâmetro do Processo de Fabricação*(sqrt(2*Parâmetro físico+Tensão entre Corpo e Fonte)-sqrt(2*Parâmetro físico))
ΔV_t = V_T+γ*(sqrt(2*φ_f+V_SB)-sqrt(2*φ_f))
Esta fórmula usa 1 Funções, 5 Variáveis

Funções usadas

sqrt - Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido., sqrt(Number)

Variáveis Usadas

Mudança na Tensão Limiar - (Medido em Volt) - A alteração na tensão limite pode ser causada por vários fatores, incluindo alterações na temperatura, exposição à radiação e envelhecimento.
Tensão de limiar - (Medido em Volt) - A tensão limiar, também conhecida como tensão limiar da porta ou simplesmente Vth, é um parâmetro crítico na operação dos transistores de efeito de campo, que são componentes fundamentais da eletrônica moderna.
Parâmetro do Processo de Fabricação - O parâmetro do processo de fabricação é o processo que se inicia com a oxidação do substrato de silício no qual uma camada de óxido relativamente espessa é depositada na superfície.
Parâmetro físico - (Medido em Volt) - Parâmetros físicos podem ser usados para descrever o estado ou condição de um sistema físico, ou para caracterizar a maneira como o sistema responde a vários estímulos ou entradas.
Tensão entre Corpo e Fonte - (Medido em Volt) - A tensão entre o corpo e a fonte é importante porque pode afetar a operação segura de dispositivos eletrônicos.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Tensão de limiar: 0.7 Volt --> 0.7 Volt Nenhuma conversão necessária
Parâmetro do Processo de Fabricação: 0.4 --> Nenhuma conversão necessária
Parâmetro físico: 0.6 Volt --> 0.6 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão entre Corpo e Fonte: 10 Volt --> 10 Volt Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

ΔV_t = V_T+γ*(sqrt(2*φ_f+V_SB)-sqrt(2*φ_f)) --> 0.7+0.4*(sqrt(2*0.6+10)-sqrt(2*0.6))

Avaliando ... ...

ΔV_t = 1.60047799645039

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

1.60047799645039 Volt --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

1.60047799645039 ≈ 1.600478 Volt <-- Mudança na Tensão Limiar

(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

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Créditos

Criado por Payal Priya

Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri

Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< 14 Aprimoramento do Canal P Calculadoras

Corrente de drenagem geral do transistor PMOS

Vai Drenar Corrente = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))^2*(1+Tensão entre Dreno e Fonte/modulus(Tensão inicial))

Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS

Vai Drenar Corrente = Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*((Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))*Tensão entre Dreno e Fonte-1/2*(Tensão entre Dreno e Fonte)^2)

Efeito corporal em PMOS

Vai Mudança na Tensão Limiar = Tensão de limiar+Parâmetro do Processo de Fabricação*(sqrt(2*Parâmetro físico+Tensão entre Corpo e Fonte)-sqrt(2*Parâmetro físico))

Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS dado Vsd

Vai Drenar Corrente = Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(modulus(Tensão efetiva)-1/2*Tensão entre Dreno e Fonte)*Tensão entre Dreno e Fonte

Corrente de drenagem na região de saturação do transistor PMOS

Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))^2

Parâmetro de efeito Backgate em PMOS

Vai Parâmetro do Efeito Backgate = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Concentração de Doadores)/Capacitância de Óxido

Corrente de dreno da fonte para o dreno

Vai Drenar Corrente = (Largura da Junção*Cobrança da Camada de Inversão*Mobilidade de Furos no Canal*Componente horizontal do campo elétrico no canal)

Carga da Camada de Inversão na Condição Pinch-Off no PMOS

Vai Cobrança da Camada de Inversão = -Capacitância de Óxido*(Tensão entre Gate e Source-Tensão de limiar-Tensão entre Dreno e Fonte)

Corrente de dreno na região de saturação do transistor PMOS dado Vov

Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(Tensão efetiva)^2

Corrente no canal de inversão do PMOS

Vai Drenar Corrente = (Largura da Junção*Cobrança da Camada de Inversão*Velocidade de deriva da inversão)

Carga da Camada de Inversão em PMOS

Vai Cobrança da Camada de Inversão = -Capacitância de Óxido*(Tensão entre Gate e Source-Tensão de limiar)

Corrente no Canal de Inversão do PMOS devido à Mobilidade

Vai Velocidade de deriva da inversão = Mobilidade de Furos no Canal*Componente horizontal do campo elétrico no canal

Parâmetro de Transcondutância do Processo de PMOS

Vai Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS = Mobilidade de Furos no Canal*Capacitância de Óxido

Tensão Overdrive do PMOS

Vai Tensão efetiva = Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar)

Efeito corporal em PMOS Fórmula

Qual é a causa do efeito corporal no PMOS? o que é preconceito corporal?

O efeito do corpo é causado porque a diferença de voltagem entre a fonte e o corpo afeta o V

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