Effet corporel dans PMOS Calculatrice

✖La tension de seuil, également connue sous le nom de tension de seuil de grille ou simplement Vth, est un paramètre critique dans le fonctionnement des transistors à effet de champ, qui sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne.ⓘ Tension de seuil [V_T]			+10% -10%
✖Le paramètre du processus de fabrication est le processus qui commence par l'oxydation du substrat de silicium dans lequel une couche d'oxyde relativement épaisse est déposée sur la surface.ⓘ Paramètre de processus de fabrication [γ]			+10% -10%
✖Les paramètres physiques peuvent être utilisés pour décrire l'état ou la condition d'un système physique, ou pour caractériser la manière dont le système répond à divers stimuli ou entrées.ⓘ Paramètre physique [φ_f]			+10% -10%
✖La tension entre le corps et la source est importante car elle peut avoir un effet sur le fonctionnement sûr des appareils électroniques.ⓘ Tension entre le corps et la source [V_SB]			+10% -10%

✖La modification de la tension de seuil peut être causée par divers facteurs, notamment les changements de température, l'exposition aux rayonnements et le vieillissement.ⓘ Effet corporel dans PMOS [ΔV_t]

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Formule

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Effet corporel dans PMOS

Formule

`"ΔV"_{"t"} = "V"_{"T"}+"γ"*(sqrt(2*"φ"_{"f"}+"V"_{"SB"})-sqrt(2*"φ"_{"f"}))`

Exemple

`"1.600478V"="0.7V"+"0.4"*(sqrt(2*"0.6V"+"10V")-sqrt(2*"0.6V"))`

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Effet corporel dans PMOS Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Changement de tension de seuil = Tension de seuil+Paramètre de processus de fabrication*(sqrt(2*Paramètre physique+Tension entre le corps et la source)-sqrt(2*Paramètre physique))
ΔV_t = V_T+γ*(sqrt(2*φ_f+V_SB)-sqrt(2*φ_f))
Cette formule utilise 1 Les fonctions, 5 Variables

Fonctions utilisées

sqrt - Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné., sqrt(Number)

Variables utilisées

Changement de tension de seuil - (Mesuré en Volt) - La modification de la tension de seuil peut être causée par divers facteurs, notamment les changements de température, l'exposition aux rayonnements et le vieillissement.
Tension de seuil - (Mesuré en Volt) - La tension de seuil, également connue sous le nom de tension de seuil de grille ou simplement Vth, est un paramètre critique dans le fonctionnement des transistors à effet de champ, qui sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne.
Paramètre de processus de fabrication - Le paramètre du processus de fabrication est le processus qui commence par l'oxydation du substrat de silicium dans lequel une couche d'oxyde relativement épaisse est déposée sur la surface.
Paramètre physique - (Mesuré en Volt) - Les paramètres physiques peuvent être utilisés pour décrire l'état ou la condition d'un système physique, ou pour caractériser la manière dont le système répond à divers stimuli ou entrées.
Tension entre le corps et la source - (Mesuré en Volt) - La tension entre le corps et la source est importante car elle peut avoir un effet sur le fonctionnement sûr des appareils électroniques.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Tension de seuil: 0.7 Volt --> 0.7 Volt Aucune conversion requise
Paramètre de processus de fabrication: 0.4 --> Aucune conversion requise
Paramètre physique: 0.6 Volt --> 0.6 Volt Aucune conversion requise
Tension entre le corps et la source: 10 Volt --> 10 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

ΔV_t = V_T+γ*(sqrt(2*φ_f+V_SB)-sqrt(2*φ_f)) --> 0.7+0.4*(sqrt(2*0.6+10)-sqrt(2*0.6))

Évaluer ... ...

ΔV_t = 1.60047799645039

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

1.60047799645039 Volt --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

1.60047799645039 ≈ 1.600478 Volt <-- Changement de tension de seuil

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 14 Amélioration du canal P Calculatrices

Courant de drain global du transistor PMOS

Aller Courant de vidange = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*(Tension entre la porte et la source-modulus(Tension de seuil))^2*(1+Tension entre drain et source/modulus(Tension précoce))

Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS

Aller Courant de vidange = Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*((Tension entre la porte et la source-modulus(Tension de seuil))*Tension entre drain et source-1/2*(Tension entre drain et source)^2)

Effet corporel dans PMOS

Aller Changement de tension de seuil = Tension de seuil+Paramètre de processus de fabrication*(sqrt(2*Paramètre physique+Tension entre le corps et la source)-sqrt(2*Paramètre physique))

Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS donné Vsd

Aller Courant de vidange = Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*(modulus(Tension efficace)-1/2*Tension entre drain et source)*Tension entre drain et source

Courant de drain dans la région de saturation du transistor PMOS

Aller Courant de drain de saturation = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*(Tension entre la porte et la source-modulus(Tension de seuil))^2

Drainer le courant de la source au drain

Aller Courant de vidange = (Largeur de jonction*Charge de couche d'inversion*Mobilité des trous dans le canal*Composante horizontale du champ électrique dans le canal)

Paramètre d'effet de backgate dans PMOS

Aller Paramètre d'effet de backgate = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Concentration des donateurs)/Capacité d'oxyde

Charge de la couche d'inversion à la condition de pincement dans PMOS

Aller Charge de couche d'inversion = -Capacité d'oxyde*(Tension entre la porte et la source-Tension de seuil-Tension entre drain et source)

Courant de drain dans la région de saturation du transistor PMOS donné Vov

Aller Courant de drain de saturation = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*(Tension efficace)^2

Charge de couche d'inversion dans PMOS

Aller Charge de couche d'inversion = -Capacité d'oxyde*(Tension entre la porte et la source-Tension de seuil)

Courant dans le canal d'inversion du PMOS

Aller Courant de vidange = (Largeur de jonction*Charge de couche d'inversion*Vitesse de dérive d'inversion)

Courant dans le canal d'inversion du PMOS compte tenu de la mobilité

Aller Vitesse de dérive d'inversion = Mobilité des trous dans le canal*Composante horizontale du champ électrique dans le canal

Tension de surmultiplication du PMOS

Aller Tension efficace = Tension entre la porte et la source-modulus(Tension de seuil)

Paramètre de transconductance de processus de PMOS

Aller Paramètre de transconductance de processus dans PMOS = Mobilité des trous dans le canal*Capacité d'oxyde

Effet corporel dans PMOS Formule

Quelle est la cause de l'effet corporel du PMOS? qu'est-ce que le biais corporel?

L'effet du corps est causé parce que la différence de tension entre la source et le corps affecte le V

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