Körpereffekt in PMOS Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Änderung der Schwellenspannung = Grenzspannung+Herstellungsprozessparameter*(sqrt(2*Physikalischer Parameter+Spannung zwischen Körper und Quelle)-sqrt(2*Physikalischer Parameter))
ΔVt = VT+γ*(sqrt(2*φf+VSB)-sqrt(2*φf))
Diese formel verwendet 1 Funktionen, 5 Variablen
Verwendete Funktionen
sqrt - Функция извлечения квадратного корня — это функция, которая принимает на вход неотрицательное число и возвращает квадратный корень из заданного входного числа., sqrt(Number)
Verwendete Variablen
Änderung der Schwellenspannung - (Gemessen in Volt) - Eine Änderung der Schwellenspannung kann durch verschiedene Faktoren verursacht werden, darunter Temperaturänderungen, Strahlungseinwirkung und Alterung.
Grenzspannung - (Gemessen in Volt) - Die Schwellenspannung, auch Gate-Schwellenspannung oder einfach Vth genannt, ist ein kritischer Parameter beim Betrieb von Feldeffekttransistoren, die grundlegende Komponenten moderner Elektronik sind.
Herstellungsprozessparameter - Der Parameter des Herstellungsprozesses ist der Prozess, der mit der Oxidation des Siliziumsubstrats beginnt, bei dem eine relativ dicke Oxidschicht auf der Oberfläche abgeschieden wird.
Physikalischer Parameter - (Gemessen in Volt) - Physikalische Parameter können verwendet werden, um den Zustand oder Zustand eines physikalischen Systems zu beschreiben oder um die Art und Weise zu charakterisieren, wie das System auf verschiedene Reize oder Eingaben reagiert.
Spannung zwischen Körper und Quelle - (Gemessen in Volt) - Die Spannung zwischen Körper und Quelle ist wichtig, da sie Auswirkungen auf den sicheren Betrieb elektronischer Geräte haben kann.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Grenzspannung: 0.7 Volt --> 0.7 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Herstellungsprozessparameter: 0.4 --> Keine Konvertierung erforderlich
Physikalischer Parameter: 0.6 Volt --> 0.6 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Spannung zwischen Körper und Quelle: 10 Volt --> 10 Volt Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
ΔVt = VT+γ*(sqrt(2*φf+VSB)-sqrt(2*φf)) --> 0.7+0.4*(sqrt(2*0.6+10)-sqrt(2*0.6))
Auswerten ... ...
ΔVt = 1.60047799645039
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
1.60047799645039 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
1.60047799645039 1.600478 Volt <-- Änderung der Schwellenspannung
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Erstellt von Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri
Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

14 P-Kanal-Verbesserung Taschenrechner

Gesamt-Drain-Strom des PMOS-Transistors
Gehen Stromverbrauch = 1/2*Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten*Seitenverhältnis*(Spannung zwischen Gate und Source-modulus(Grenzspannung))^2*(1+Spannung zwischen Drain und Source/modulus(Frühe Spannung))
Drainstrom im Triodenbereich des PMOS-Transistors
Gehen Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten*Seitenverhältnis*((Spannung zwischen Gate und Source-modulus(Grenzspannung))*Spannung zwischen Drain und Source-1/2*(Spannung zwischen Drain und Source)^2)
Körpereffekt in PMOS
Gehen Änderung der Schwellenspannung = Grenzspannung+Herstellungsprozessparameter*(sqrt(2*Physikalischer Parameter+Spannung zwischen Körper und Quelle)-sqrt(2*Physikalischer Parameter))
Drain-Strom im Triodenbereich des PMOS-Transistors bei Vsd
Gehen Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten*Seitenverhältnis*(modulus(Effektive Spannung)-1/2*Spannung zwischen Drain und Source)*Spannung zwischen Drain und Source
Drain-Strom im Sättigungsbereich des PMOS-Transistors
Gehen Sättigungsstrom = 1/2*Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten*Seitenverhältnis*(Spannung zwischen Gate und Source-modulus(Grenzspannung))^2
Strom von der Quelle zum Abfluss ableiten
Gehen Stromverbrauch = (Breite der Kreuzung*Ladung der Inversionsschicht*Beweglichkeit von Löchern im Kanal*Horizontale Komponente des elektrischen Feldes im Kanal)
Backgate-Effektparameter in PMOS
Gehen Backgate-Effekt-Parameter = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Spenderkonzentration)/Oxidkapazität
Ladung der Inversionsschicht bei Pinch-Off-Bedingung in PMOS
Gehen Ladung der Inversionsschicht = -Oxidkapazität*(Spannung zwischen Gate und Source-Grenzspannung-Spannung zwischen Drain und Source)
Drain-Strom im Sättigungsbereich des PMOS-Transistors gegeben Vov
Gehen Sättigungsstrom = 1/2*Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten*Seitenverhältnis*(Effektive Spannung)^2
Strom im Inversionskanal von PMOS
Gehen Stromverbrauch = (Breite der Kreuzung*Ladung der Inversionsschicht*Driftgeschwindigkeit der Inversion)
Strom im Inversionskanal des PMOS bei gegebener Mobilität
Gehen Driftgeschwindigkeit der Inversion = Beweglichkeit von Löchern im Kanal*Horizontale Komponente des elektrischen Feldes im Kanal
Ladung der Inversionsschicht in PMOS
Gehen Ladung der Inversionsschicht = -Oxidkapazität*(Spannung zwischen Gate und Source-Grenzspannung)
Übersteuerungsspannung von PMOS
Gehen Effektive Spannung = Spannung zwischen Gate und Source-modulus(Grenzspannung)
Prozesstranskonduktanzparameter von PMOS
Gehen Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten = Beweglichkeit von Löchern im Kanal*Oxidkapazität

Körpereffekt in PMOS Formel

Änderung der Schwellenspannung = Grenzspannung+Herstellungsprozessparameter*(sqrt(2*Physikalischer Parameter+Spannung zwischen Körper und Quelle)-sqrt(2*Physikalischer Parameter))
ΔVt = VT+γ*(sqrt(2*φf+VSB)-sqrt(2*φf))

Was ist die Ursache für Körpereffekte bei PMOS? Was ist Körperbias?

Der Körpereffekt wird verursacht, weil die Spannungsdifferenz zwischen der Quelle und dem Körper das V beeinflusst

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