Effetto corporeo in PMOS calcolatrice

✖La tensione di soglia, nota anche come tensione di soglia del gate o semplicemente Vth, è un parametro critico nel funzionamento dei transistor ad effetto di campo, componenti fondamentali dell'elettronica moderna.ⓘ Soglia di voltaggio [V_T]			+10% -10%
✖Il parametro del processo di fabbricazione è il processo che inizia con l'ossidazione del substrato di silicio in cui viene depositato sulla superficie uno strato di ossido relativamente spesso.ⓘ Parametro del processo di fabbricazione [γ]			+10% -10%
✖I parametri fisici possono essere utilizzati per descrivere lo stato o la condizione di un sistema fisico o per caratterizzare il modo in cui il sistema risponde a vari stimoli o input.ⓘ Parametro fisico [φ_f]			+10% -10%
✖La tensione tra corpo e sorgente è importante perché può influire sul funzionamento sicuro dei dispositivi elettronici.ⓘ Tensione tra Body e Source [V_SB]			+10% -10%

✖La variazione della tensione di soglia può essere causata da vari fattori, tra cui variazioni di temperatura, esposizione alle radiazioni e invecchiamento.ⓘ Effetto corporeo in PMOS [ΔV_t]

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Formula

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Effetto corporeo in PMOS

Formula

`"ΔV"_{"t"} = "V"_{"T"}+"γ"*(sqrt(2*"φ"_{"f"}+"V"_{"SB"})-sqrt(2*"φ"_{"f"}))`

Esempio

`"1.600478V"="0.7V"+"0.4"*(sqrt(2*"0.6V"+"10V")-sqrt(2*"0.6V"))`

Calcolatrice

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Effetto corporeo in PMOS Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Variazione della tensione di soglia = Soglia di voltaggio+Parametro del processo di fabbricazione*(sqrt(2*Parametro fisico+Tensione tra Body e Source)-sqrt(2*Parametro fisico))
ΔV_t = V_T+γ*(sqrt(2*φ_f+V_SB)-sqrt(2*φ_f))
Questa formula utilizza 1 Funzioni, 5 Variabili

Funzioni utilizzate

sqrt - Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato., sqrt(Number)

Variabili utilizzate

Variazione della tensione di soglia - (Misurato in Volt) - La variazione della tensione di soglia può essere causata da vari fattori, tra cui variazioni di temperatura, esposizione alle radiazioni e invecchiamento.
Soglia di voltaggio - (Misurato in Volt) - La tensione di soglia, nota anche come tensione di soglia del gate o semplicemente Vth, è un parametro critico nel funzionamento dei transistor ad effetto di campo, componenti fondamentali dell'elettronica moderna.
Parametro del processo di fabbricazione - Il parametro del processo di fabbricazione è il processo che inizia con l'ossidazione del substrato di silicio in cui viene depositato sulla superficie uno strato di ossido relativamente spesso.
Parametro fisico - (Misurato in Volt) - I parametri fisici possono essere utilizzati per descrivere lo stato o la condizione di un sistema fisico o per caratterizzare il modo in cui il sistema risponde a vari stimoli o input.
Tensione tra Body e Source - (Misurato in Volt) - La tensione tra corpo e sorgente è importante perché può influire sul funzionamento sicuro dei dispositivi elettronici.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Soglia di voltaggio: 0.7 Volt --> 0.7 Volt Nessuna conversione richiesta
Parametro del processo di fabbricazione: 0.4 --> Nessuna conversione richiesta
Parametro fisico: 0.6 Volt --> 0.6 Volt Nessuna conversione richiesta
Tensione tra Body e Source: 10 Volt --> 10 Volt Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

ΔV_t = V_T+γ*(sqrt(2*φ_f+V_SB)-sqrt(2*φ_f)) --> 0.7+0.4*(sqrt(2*0.6+10)-sqrt(2*0.6))

Valutare ... ...

ΔV_t = 1.60047799645039

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

1.60047799645039 Volt --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

1.60047799645039 ≈ 1.600478 Volt <-- Variazione della tensione di soglia

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 14 Miglioramento del canale P Calcolatrici

Corrente di scarico complessiva del transistor PMOS

Partire Assorbimento di corrente = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*(Tensione tra Gate e Source-modulus(Soglia di voltaggio))^2*(1+Tensione tra Drain e Source/modulus(Tensione iniziale))

Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS

Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*((Tensione tra Gate e Source-modulus(Soglia di voltaggio))*Tensione tra Drain e Source-1/2*(Tensione tra Drain e Source)^2)

Effetto corporeo in PMOS

Partire Variazione della tensione di soglia = Soglia di voltaggio+Parametro del processo di fabbricazione*(sqrt(2*Parametro fisico+Tensione tra Body e Source)-sqrt(2*Parametro fisico))

Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS dato Vsd

Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*(modulus(Tensione effettiva)-1/2*Tensione tra Drain e Source)*Tensione tra Drain e Source

Corrente di drenaggio nella regione di saturazione del transistor PMOS

Partire Corrente di scarico di saturazione = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*(Tensione tra Gate e Source-modulus(Soglia di voltaggio))^2

Assorbimento di corrente dalla sorgente allo scarico

Partire Assorbimento di corrente = (Larghezza della giunzione*Carica dello strato di inversione*Mobilità dei fori nel canale*Componente orizzontale del campo elettrico nel canale)

Parametro effetto backgate in PMOS

Partire Parametro effetto backgate = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Concentrazione dei donatori)/Capacità di ossido

Carica dello strato di inversione in condizione di pizzicotto in PMOS

Partire Carica dello strato di inversione = -Capacità di ossido*(Tensione tra Gate e Source-Soglia di voltaggio-Tensione tra Drain e Source)

Assorbimento di corrente nella regione di saturazione del transistor PMOS dato Vov

Partire Corrente di scarico di saturazione = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*(Tensione effettiva)^2

Corrente nel canale di inversione del PMOS

Partire Assorbimento di corrente = (Larghezza della giunzione*Carica dello strato di inversione*Velocità di deriva dell'inversione)

Carica dello strato di inversione in PMOS

Partire Carica dello strato di inversione = -Capacità di ossido*(Tensione tra Gate e Source-Soglia di voltaggio)

Corrente nel canale di inversione del PMOS data la mobilità

Partire Velocità di deriva dell'inversione = Mobilità dei fori nel canale*Componente orizzontale del campo elettrico nel canale

Tensione di overdrive del PMOS

Partire Tensione effettiva = Tensione tra Gate e Source-modulus(Soglia di voltaggio)

Parametro di transconduttanza di processo di PMOS

Partire Parametro di transconduttanza di processo in PMOS = Mobilità dei fori nel canale*Capacità di ossido

Effetto corporeo in PMOS Formula

Qual è la causa dell'effetto del corpo nel PMOS? cos'è il bias del corpo?

L'effetto del corpo è causato perché la differenza di tensione tra la sorgente e il corpo influisce sulla V.

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