Calculadora Corriente en Canal de Inversión de PMOS dada Movilidad

✖La movilidad de los agujeros en el canal depende de varios factores, como la estructura cristalina del material semiconductor, la presencia de impurezas, la temperatura,ⓘ Movilidad de agujeros en canal [μ_p]			+10% -10%
✖La Componente Horizontal del Campo Eléctrico en el Canal es la fuerza del campo eléctrico que existe en el material debajo de la capa de óxido de la puerta, en la región donde se forma la capa de inversión.ⓘ Componente horizontal del campo eléctrico en el canal [E_y]			+10% -10%

✖La velocidad de deriva de la capa de inversión en un MOSFET es la velocidad promedio de los electrones que forman la capa de inversión a medida que se mueven a través del material bajo la influencia de un campo eléctrico.ⓘ Corriente en Canal de Inversión de PMOS dada Movilidad [V_y]

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Fórmula

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Corriente en Canal de Inversión de PMOS dada Movilidad

Fórmula

`"V"_{"y"} = "μ"_{"p"}*"E"_{"y"}`

Ejemplo

`"1463cm/s"="2.66m²/V*s"*"5.5V/m"`

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Corriente en Canal de Inversión de PMOS dada Movilidad Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Velocidad de deriva de inversión = Movilidad de agujeros en canal*Componente horizontal del campo eléctrico en el canal
V_y = μ_p*E_y
Esta fórmula usa 3 Variables

Variables utilizadas

Velocidad de deriva de inversión - (Medido en Metro por Segundo) - La velocidad de deriva de la capa de inversión en un MOSFET es la velocidad promedio de los electrones que forman la capa de inversión a medida que se mueven a través del material bajo la influencia de un campo eléctrico.
Movilidad de agujeros en canal - (Medido en Metro cuadrado por voltio por segundo) - La movilidad de los agujeros en el canal depende de varios factores, como la estructura cristalina del material semiconductor, la presencia de impurezas, la temperatura,
Componente horizontal del campo eléctrico en el canal - (Medido en voltios por metro) - La Componente Horizontal del Campo Eléctrico en el Canal es la fuerza del campo eléctrico que existe en el material debajo de la capa de óxido de la puerta, en la región donde se forma la capa de inversión.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Movilidad de agujeros en canal: 2.66 Metro cuadrado por voltio por segundo --> 2.66 Metro cuadrado por voltio por segundo No se requiere conversión
Componente horizontal del campo eléctrico en el canal: 5.5 voltios por metro --> 5.5 voltios por metro No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

V_y = μ_p*E_y --> 2.66*5.5

Evaluar ... ...

V_y = 14.63

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

14.63 Metro por Segundo -->1463 centímetro por segundo (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

1463 centímetro por segundo <-- Velocidad de deriva de inversión

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Aman Dhussawat

INSTITUTO TECNOLÓGICO GURU TEGH BAHADUR (GTBIT), NUEVA DELHI

¡Aman Dhussawat ha creado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

Verificada por parminder singh

Universidad de Chandigarh (CU), Punjab

¡parminder singh ha verificado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

< 14 Mejora del canal P Calculadoras

Corriente de drenaje general del transistor PMOS

Vamos Corriente de drenaje = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*(Voltaje entre puerta y fuente-modulus(Voltaje de umbral))^2*(1+Voltaje entre drenaje y fuente/modulus(Voltaje temprano))

Corriente de drenaje en la región triodo del transistor PMOS

Vamos Corriente de drenaje = Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*((Voltaje entre puerta y fuente-modulus(Voltaje de umbral))*Voltaje entre drenaje y fuente-1/2*(Voltaje entre drenaje y fuente)^2)

Efecto corporal en PMOS

Vamos Cambio en el voltaje de umbral = Voltaje de umbral+Parámetro del proceso de fabricación*(sqrt(2*Parámetro físico+Voltaje entre el cuerpo y la fuente)-sqrt(2*Parámetro físico))

Corriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd

Vamos Corriente de drenaje = Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*(modulus(Voltaje efectivo)-1/2*Voltaje entre drenaje y fuente)*Voltaje entre drenaje y fuente

Corriente de drenaje en la región de saturación del transistor PMOS

Vamos Corriente de drenaje de saturación = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*(Voltaje entre puerta y fuente-modulus(Voltaje de umbral))^2

Parámetro de efecto de puerta trasera en PMOS

Vamos Parámetro de efecto de puerta trasera = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Concentración de donantes)/Capacitancia de óxido

Drenar la corriente de la fuente al drenaje

Vamos Corriente de drenaje = (Ancho de la unión*Carga de capa de inversión*Movilidad de agujeros en canal*Componente horizontal del campo eléctrico en el canal)

Carga de capa de inversión en condición de pellizco en PMOS

Vamos Carga de capa de inversión = -Capacitancia de óxido*(Voltaje entre puerta y fuente-Voltaje de umbral-Voltaje entre drenaje y fuente)

Corriente de drenaje en la región de saturación del transistor PMOS dado Vov

Vamos Corriente de drenaje de saturación = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*(Voltaje efectivo)^2

Corriente en el canal de inversión de PMOS

Vamos Corriente de drenaje = (Ancho de la unión*Carga de capa de inversión*Velocidad de deriva de inversión)

Carga de capa de inversión en PMOS

Vamos Carga de capa de inversión = -Capacitancia de óxido*(Voltaje entre puerta y fuente-Voltaje de umbral)

Corriente en Canal de Inversión de PMOS dada Movilidad

Vamos Velocidad de deriva de inversión = Movilidad de agujeros en canal*Componente horizontal del campo eléctrico en el canal

Voltaje de sobremarcha de PMOS

Vamos Voltaje efectivo = Voltaje entre puerta y fuente-modulus(Voltaje de umbral)

Parámetro de transconductancia de proceso de PMOS

Vamos Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS = Movilidad de agujeros en canal*Capacitancia de óxido

Corriente en Canal de Inversión de PMOS dada Movilidad Fórmula

Velocidad de deriva de inversión = Movilidad de agujeros en canal*Componente horizontal del campo eléctrico en el canal
V_y = μ_p*E_y

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