Corrente nel canale di inversione del PMOS data la mobilità calcolatrice

✖La mobilità dei fori nel canale dipende da vari fattori come la struttura cristallina del materiale semiconduttore, la presenza di impurità, la temperatura,ⓘ Mobilità dei fori nel canale [μ_p]			+10% -10%
✖La componente orizzontale del campo elettrico nel canale è l'intensità del campo elettrico esistente nel materiale sotto lo strato di ossido di gate, nella regione in cui si forma lo strato di inversione.ⓘ Componente orizzontale del campo elettrico nel canale [E_y]			+10% -10%

✖La velocità di deriva dello strato di inversione in un MOSFET è la velocità media degli elettroni che compongono lo strato di inversione mentre si muovono attraverso il materiale sotto l'influenza di un campo elettrico.ⓘ Corrente nel canale di inversione del PMOS data la mobilità [V_y]

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Formula

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Corrente nel canale di inversione del PMOS data la mobilità

Formula

`"V"_{"y"} = "μ"_{"p"}*"E"_{"y"}`

Esempio

`"1463cm/s"="2.66m²/V*s"*"5.5V/m"`

Calcolatrice

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Corrente nel canale di inversione del PMOS data la mobilità Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Velocità di deriva dell'inversione = Mobilità dei fori nel canale*Componente orizzontale del campo elettrico nel canale
V_y = μ_p*E_y
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Velocità di deriva dell'inversione - (Misurato in Metro al secondo) - La velocità di deriva dello strato di inversione in un MOSFET è la velocità media degli elettroni che compongono lo strato di inversione mentre si muovono attraverso il materiale sotto l'influenza di un campo elettrico.
Mobilità dei fori nel canale - (Misurato in Metro quadrato per Volt al secondo) - La mobilità dei fori nel canale dipende da vari fattori come la struttura cristallina del materiale semiconduttore, la presenza di impurità, la temperatura,
Componente orizzontale del campo elettrico nel canale - (Misurato in Volt per metro) - La componente orizzontale del campo elettrico nel canale è l'intensità del campo elettrico esistente nel materiale sotto lo strato di ossido di gate, nella regione in cui si forma lo strato di inversione.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Mobilità dei fori nel canale: 2.66 Metro quadrato per Volt al secondo --> 2.66 Metro quadrato per Volt al secondo Nessuna conversione richiesta
Componente orizzontale del campo elettrico nel canale: 5.5 Volt per metro --> 5.5 Volt per metro Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

V_y = μ_p*E_y --> 2.66*5.5

Valutare ... ...

V_y = 14.63

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

14.63 Metro al secondo -->1463 Centimetro al secondo (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

1463 Centimetro al secondo <-- Velocità di deriva dell'inversione

(Calcolo completato in 00.020 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Aman Dhussawat

GURU TEGH BAHADUR ISTITUTO DI TECNOLOGIA (GTBIT), NUOVA DELHI

Aman Dhussawat ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

Verificato da Parminder Singh

Università di Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh ha verificato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

< 14 Miglioramento del canale P Calcolatrici

Corrente di scarico complessiva del transistor PMOS

Partire Assorbimento di corrente = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*(Tensione tra Gate e Source-modulus(Soglia di voltaggio))^2*(1+Tensione tra Drain e Source/modulus(Tensione iniziale))

Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS

Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*((Tensione tra Gate e Source-modulus(Soglia di voltaggio))*Tensione tra Drain e Source-1/2*(Tensione tra Drain e Source)^2)

Effetto corporeo in PMOS

Partire Variazione della tensione di soglia = Soglia di voltaggio+Parametro del processo di fabbricazione*(sqrt(2*Parametro fisico+Tensione tra Body e Source)-sqrt(2*Parametro fisico))

Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS dato Vsd

Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*(modulus(Tensione effettiva)-1/2*Tensione tra Drain e Source)*Tensione tra Drain e Source

Corrente di drenaggio nella regione di saturazione del transistor PMOS

Partire Corrente di scarico di saturazione = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*(Tensione tra Gate e Source-modulus(Soglia di voltaggio))^2

Assorbimento di corrente dalla sorgente allo scarico

Partire Assorbimento di corrente = (Larghezza della giunzione*Carica dello strato di inversione*Mobilità dei fori nel canale*Componente orizzontale del campo elettrico nel canale)

Parametro effetto backgate in PMOS

Partire Parametro effetto backgate = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Concentrazione dei donatori)/Capacità di ossido

Carica dello strato di inversione in condizione di pizzicotto in PMOS

Partire Carica dello strato di inversione = -Capacità di ossido*(Tensione tra Gate e Source-Soglia di voltaggio-Tensione tra Drain e Source)

Assorbimento di corrente nella regione di saturazione del transistor PMOS dato Vov

Partire Corrente di scarico di saturazione = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*(Tensione effettiva)^2

Corrente nel canale di inversione del PMOS

Partire Assorbimento di corrente = (Larghezza della giunzione*Carica dello strato di inversione*Velocità di deriva dell'inversione)

Carica dello strato di inversione in PMOS

Partire Carica dello strato di inversione = -Capacità di ossido*(Tensione tra Gate e Source-Soglia di voltaggio)

Corrente nel canale di inversione del PMOS data la mobilità

Partire Velocità di deriva dell'inversione = Mobilità dei fori nel canale*Componente orizzontale del campo elettrico nel canale

Tensione di overdrive del PMOS

Partire Tensione effettiva = Tensione tra Gate e Source-modulus(Soglia di voltaggio)

Parametro di transconduttanza di processo di PMOS

Partire Parametro di transconduttanza di processo in PMOS = Mobilità dei fori nel canale*Capacità di ossido

Corrente nel canale di inversione del PMOS data la mobilità Formula

Velocità di deriva dell'inversione = Mobilità dei fori nel canale*Componente orizzontale del campo elettrico nel canale
V_y = μ_p*E_y

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