Courant dans le canal d'inversion du PMOS compte tenu de la mobilité Calculatrice

✖La mobilité des trous dans le canal dépend de divers facteurs tels que la structure cristalline du matériau semi-conducteur, la présence d'impuretés, la température,ⓘ Mobilité des trous dans le canal [μ_p]			+10% -10%
✖La composante horizontale du champ électrique dans le canal est la force du champ électrique qui existe dans le matériau sous la couche d'oxyde de grille, dans la région où la couche d'inversion est formée.ⓘ Composante horizontale du champ électrique dans le canal [E_y]			+10% -10%

✖La vitesse de dérive de la couche d'inversion dans un MOSFET est la vitesse moyenne des électrons qui composent la couche d'inversion lorsqu'ils se déplacent à travers le matériau sous l'influence d'un champ électrique.ⓘ Courant dans le canal d'inversion du PMOS compte tenu de la mobilité [V_y]

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Courant dans le canal d'inversion du PMOS compte tenu de la mobilité

Formule

`"V"_{"y"} = "μ"_{"p"}*"E"_{"y"}`

Exemple

`"1463cm/s"="2.66m²/V*s"*"5.5V/m"`

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Courant dans le canal d'inversion du PMOS compte tenu de la mobilité Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Vitesse de dérive d'inversion = Mobilité des trous dans le canal*Composante horizontale du champ électrique dans le canal
V_y = μ_p*E_y
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Vitesse de dérive d'inversion - (Mesuré en Mètre par seconde) - La vitesse de dérive de la couche d'inversion dans un MOSFET est la vitesse moyenne des électrons qui composent la couche d'inversion lorsqu'ils se déplacent à travers le matériau sous l'influence d'un champ électrique.
Mobilité des trous dans le canal - (Mesuré en Mètre carré par volt par seconde) - La mobilité des trous dans le canal dépend de divers facteurs tels que la structure cristalline du matériau semi-conducteur, la présence d'impuretés, la température,
Composante horizontale du champ électrique dans le canal - (Mesuré en Volt par mètre) - La composante horizontale du champ électrique dans le canal est la force du champ électrique qui existe dans le matériau sous la couche d'oxyde de grille, dans la région où la couche d'inversion est formée.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Mobilité des trous dans le canal: 2.66 Mètre carré par volt par seconde --> 2.66 Mètre carré par volt par seconde Aucune conversion requise
Composante horizontale du champ électrique dans le canal: 5.5 Volt par mètre --> 5.5 Volt par mètre Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

V_y = μ_p*E_y --> 2.66*5.5

Évaluer ... ...

V_y = 14.63

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

14.63 Mètre par seconde -->1463 Centimètre par seconde (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

1463 Centimètre par seconde <-- Vitesse de dérive d'inversion

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Aman Dhussawat

INSTITUT DE TECHNOLOGIE GURU TEGH BAHADUR (GTBIT), NEW DELHI

Aman Dhussawat a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

Vérifié par Parminder Singh

Université de Chandigarh (UC), Pendjab

Parminder Singh a validé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

< 14 Amélioration du canal P Calculatrices

Courant de drain global du transistor PMOS

Aller Courant de vidange = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*(Tension entre la porte et la source-modulus(Tension de seuil))^2*(1+Tension entre drain et source/modulus(Tension précoce))

Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS

Aller Courant de vidange = Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*((Tension entre la porte et la source-modulus(Tension de seuil))*Tension entre drain et source-1/2*(Tension entre drain et source)^2)

Effet corporel dans PMOS

Aller Changement de tension de seuil = Tension de seuil+Paramètre de processus de fabrication*(sqrt(2*Paramètre physique+Tension entre le corps et la source)-sqrt(2*Paramètre physique))

Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS donné Vsd

Aller Courant de vidange = Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*(modulus(Tension efficace)-1/2*Tension entre drain et source)*Tension entre drain et source

Courant de drain dans la région de saturation du transistor PMOS

Aller Courant de drain de saturation = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*(Tension entre la porte et la source-modulus(Tension de seuil))^2

Drainer le courant de la source au drain

Aller Courant de vidange = (Largeur de jonction*Charge de couche d'inversion*Mobilité des trous dans le canal*Composante horizontale du champ électrique dans le canal)

Paramètre d'effet de backgate dans PMOS

Aller Paramètre d'effet de backgate = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Concentration des donateurs)/Capacité d'oxyde

Charge de la couche d'inversion à la condition de pincement dans PMOS

Aller Charge de couche d'inversion = -Capacité d'oxyde*(Tension entre la porte et la source-Tension de seuil-Tension entre drain et source)

Courant de drain dans la région de saturation du transistor PMOS donné Vov

Aller Courant de drain de saturation = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*(Tension efficace)^2

Charge de couche d'inversion dans PMOS

Aller Charge de couche d'inversion = -Capacité d'oxyde*(Tension entre la porte et la source-Tension de seuil)

Courant dans le canal d'inversion du PMOS

Aller Courant de vidange = (Largeur de jonction*Charge de couche d'inversion*Vitesse de dérive d'inversion)

Courant dans le canal d'inversion du PMOS compte tenu de la mobilité

Aller Vitesse de dérive d'inversion = Mobilité des trous dans le canal*Composante horizontale du champ électrique dans le canal

Tension de surmultiplication du PMOS

Aller Tension efficace = Tension entre la porte et la source-modulus(Tension de seuil)

Paramètre de transconductance de processus de PMOS

Aller Paramètre de transconductance de processus dans PMOS = Mobilité des trous dans le canal*Capacité d'oxyde

Courant dans le canal d'inversion du PMOS compte tenu de la mobilité Formule

Vitesse de dérive d'inversion = Mobilité des trous dans le canal*Composante horizontale du champ électrique dans le canal
V_y = μ_p*E_y

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