Prąd w kanale inwersji PMOS przy danej mobilności Kalkulator

✖Ruchliwość dziur w kanale zależy od różnych czynników, takich jak struktura krystaliczna materiału półprzewodnikowego, obecność zanieczyszczeń, temperatura,ⓘ Ruchliwość otworów w kanale [μ_p]			+10% -10%
✖Pozioma składowa pola elektrycznego w kanale to siła pola elektrycznego istniejącego w materiale pod tlenkową warstwą bramki, w obszarze, w którym tworzy się warstwa inwersyjna.ⓘ Pozioma składowa pola elektrycznego w kanale [E_y]			+10% -10%

✖Prędkość dryfu warstwy inwersyjnej w tranzystorze MOSFET to średnia prędkość elektronów tworzących warstwę inwersyjną podczas przemieszczania się przez materiał pod wpływem pola elektrycznego.ⓘ Prąd w kanale inwersji PMOS przy danej mobilności [V_y]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Prąd w kanale inwersji PMOS przy danej mobilności

Formuła

`"V"_{"y"} = "μ"_{"p"}*"E"_{"y"}`

Przykład

`"1463cm/s"="2.66m²/V*s"*"5.5V/m"`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać MOSFET Formułę PDF PDF Image

Prąd w kanale inwersji PMOS przy danej mobilności Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Prędkość dryfu inwersji = Ruchliwość otworów w kanale*Pozioma składowa pola elektrycznego w kanale
V_y = μ_p*E_y
Ta formuła używa 3 Zmienne

Używane zmienne

Prędkość dryfu inwersji - (Mierzone w Metr na sekundę) - Prędkość dryfu warstwy inwersyjnej w tranzystorze MOSFET to średnia prędkość elektronów tworzących warstwę inwersyjną podczas przemieszczania się przez materiał pod wpływem pola elektrycznego.
Ruchliwość otworów w kanale - (Mierzone w Metr kwadratowy na wolt na sekundę) - Ruchliwość dziur w kanale zależy od różnych czynników, takich jak struktura krystaliczna materiału półprzewodnikowego, obecność zanieczyszczeń, temperatura,
Pozioma składowa pola elektrycznego w kanale - (Mierzone w Wolt na metr) - Pozioma składowa pola elektrycznego w kanale to siła pola elektrycznego istniejącego w materiale pod tlenkową warstwą bramki, w obszarze, w którym tworzy się warstwa inwersyjna.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Ruchliwość otworów w kanale: 2.66 Metr kwadratowy na wolt na sekundę --> 2.66 Metr kwadratowy na wolt na sekundę Nie jest wymagana konwersja
Pozioma składowa pola elektrycznego w kanale: 5.5 Wolt na metr --> 5.5 Wolt na metr Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

V_y = μ_p*E_y --> 2.66*5.5

Ocenianie ... ...

V_y = 14.63

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

14.63 Metr na sekundę -->1463 Centymetr na sekundę (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

1463 Centymetr na sekundę <-- Prędkość dryfu inwersji

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » MOSFET » Elektronika analogowa » Ulepszenie kanału P » Prąd w kanale inwersji PMOS przy danej mobilności

Kredyty

Stworzone przez Aman Dhussawat

GURU TEGH BAHADUR INSTYTUT TECHNOLOGII (GTBIT), NOWE DELHI

Aman Dhussawat utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Parminder Singh

Uniwersytet Chandigarh (CU), Pendżab

Parminder Singh zweryfikował ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

< 14 Ulepszenie kanału P Kalkulatory

Całkowity prąd drenu tranzystora PMOS

Iść Prąd spustowy = 1/2*Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS*Współczynnik proporcji*(Napięcie między bramką a źródłem-modulus(Próg napięcia))^2*(1+Napięcie między drenem a źródłem/modulus(Wczesne napięcie))

Prąd spustowy w regionie triody tranzystora PMOS

Iść Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS*Współczynnik proporcji*((Napięcie między bramką a źródłem-modulus(Próg napięcia))*Napięcie między drenem a źródłem-1/2*(Napięcie między drenem a źródłem)^2)

Efekt ciała w PMOS

Iść Zmiana napięcia progowego = Próg napięcia+Parametr procesu produkcyjnego*(sqrt(2*Parametr fizyczny+Napięcie między ciałem a źródłem)-sqrt(2*Parametr fizyczny))

Prąd drenażowy w regionie triody tranzystora PMOS, biorąc pod uwagę Vsd

Iść Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS*Współczynnik proporcji*(modulus(Efektywne napięcie)-1/2*Napięcie między drenem a źródłem)*Napięcie między drenem a źródłem

Prąd spustowy w regionie nasycenia tranzystora PMOS

Iść Prąd drenu nasycenia = 1/2*Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS*Współczynnik proporcji*(Napięcie między bramką a źródłem-modulus(Próg napięcia))^2

Prąd spustowy od źródła do drenu

Iść Prąd spustowy = (Szerokość skrzyżowania*Opłata warstwy inwersyjnej*Ruchliwość otworów w kanale*Pozioma składowa pola elektrycznego w kanale)

Parametr efektu backgate w PMOS

Iść Parametr efektu backgate = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Koncentracja dawców)/Pojemność tlenkowa

Ładunek warstwy inwersji w warunkach zwarcia w PMOS

Iść Opłata warstwy inwersyjnej = -Pojemność tlenkowa*(Napięcie między bramką a źródłem-Próg napięcia-Napięcie między drenem a źródłem)

Prąd odpływowy w regionie nasycenia tranzystora PMOS podanego Vov

Iść Prąd drenu nasycenia = 1/2*Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS*Współczynnik proporcji*(Efektywne napięcie)^2

Inversion Layer Charge w PMOS

Iść Opłata warstwy inwersyjnej = -Pojemność tlenkowa*(Napięcie między bramką a źródłem-Próg napięcia)

Prąd w kanale inwersji PMOS

Iść Prąd spustowy = (Szerokość skrzyżowania*Opłata warstwy inwersyjnej*Prędkość dryfu inwersji)

Napięcie przesterowania PMOS

Iść Efektywne napięcie = Napięcie między bramką a źródłem-modulus(Próg napięcia)

Prąd w kanale inwersji PMOS przy danej mobilności

Iść Prędkość dryfu inwersji = Ruchliwość otworów w kanale*Pozioma składowa pola elektrycznego w kanale

Procesowy parametr transkonduktancji PMOS

Iść Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS = Ruchliwość otworów w kanale*Pojemność tlenkowa

Prąd w kanale inwersji PMOS przy danej mobilności Formułę

Prędkość dryfu inwersji = Ruchliwość otworów w kanale*Pozioma składowa pola elektrycznego w kanale
V_y = μ_p*E_y

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!