Strom im Inversionskanal des PMOS bei gegebener Mobilität Taschenrechner

✖Die Beweglichkeit von Löchern im Kanal hängt von verschiedenen Faktoren ab, wie z. B. der Kristallstruktur des Halbleitermaterials, dem Vorhandensein von Verunreinigungen, der Temperatur,ⓘ Beweglichkeit von Löchern im Kanal [μ_p]			+10% -10%
✖Die horizontale Komponente des elektrischen Feldes im Kanal ist die Stärke des elektrischen Feldes, das im Material unter der Gate-Oxidschicht in dem Bereich vorhanden ist, in dem die Inversionsschicht gebildet wird.ⓘ Horizontale Komponente des elektrischen Feldes im Kanal [E_y]			+10% -10%

✖Die Driftgeschwindigkeit der Inversionsschicht in einem MOSFET ist die durchschnittliche Geschwindigkeit der Elektronen, aus denen die Inversionsschicht besteht, wenn sie sich unter dem Einfluss eines elektrischen Feldes durch das Material bewegen.ⓘ Strom im Inversionskanal des PMOS bei gegebener Mobilität [V_y]

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Formel

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Strom im Inversionskanal des PMOS bei gegebener Mobilität

Formel

`"V"_{"y"} = "μ"_{"p"}*"E"_{"y"}`

Beispiel

`"1463cm/s"="2.66m²/V*s"*"5.5V/m"`

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Strom im Inversionskanal des PMOS bei gegebener Mobilität Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Driftgeschwindigkeit der Inversion = Beweglichkeit von Löchern im Kanal*Horizontale Komponente des elektrischen Feldes im Kanal
V_y = μ_p*E_y
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Driftgeschwindigkeit der Inversion - (Gemessen in Meter pro Sekunde) - Die Driftgeschwindigkeit der Inversionsschicht in einem MOSFET ist die durchschnittliche Geschwindigkeit der Elektronen, aus denen die Inversionsschicht besteht, wenn sie sich unter dem Einfluss eines elektrischen Feldes durch das Material bewegen.
Beweglichkeit von Löchern im Kanal - (Gemessen in Quadratmeter pro Volt pro Sekunde) - Die Beweglichkeit von Löchern im Kanal hängt von verschiedenen Faktoren ab, wie z. B. der Kristallstruktur des Halbleitermaterials, dem Vorhandensein von Verunreinigungen, der Temperatur,
Horizontale Komponente des elektrischen Feldes im Kanal - (Gemessen in Volt pro Meter) - Die horizontale Komponente des elektrischen Feldes im Kanal ist die Stärke des elektrischen Feldes, das im Material unter der Gate-Oxidschicht in dem Bereich vorhanden ist, in dem die Inversionsschicht gebildet wird.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Beweglichkeit von Löchern im Kanal: 2.66 Quadratmeter pro Volt pro Sekunde --> 2.66 Quadratmeter pro Volt pro Sekunde Keine Konvertierung erforderlich
Horizontale Komponente des elektrischen Feldes im Kanal: 5.5 Volt pro Meter --> 5.5 Volt pro Meter Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

V_y = μ_p*E_y --> 2.66*5.5

Auswerten ... ...

V_y = 14.63

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

14.63 Meter pro Sekunde -->1463 Zentimeter pro Sekunde (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

1463 Zentimeter pro Sekunde <-- Driftgeschwindigkeit der Inversion

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Aman Dhussawat

GURU TEGH BAHADUR INSTITUT FÜR TECHNOLOGIE (GTBIT), NEU-DELHI

Aman Dhussawat hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Parminder Singh

Chandigarh-Universität (KU), Punjab

Parminder Singh hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner verifiziert!

< 14 P-Kanal-Verbesserung Taschenrechner

Gesamt-Drain-Strom des PMOS-Transistors

Gehen Stromverbrauch = 1/2*Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten*Seitenverhältnis*(Spannung zwischen Gate und Source-modulus(Grenzspannung))^2*(1+Spannung zwischen Drain und Source/modulus(Frühe Spannung))

Drainstrom im Triodenbereich des PMOS-Transistors

Gehen Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten*Seitenverhältnis*((Spannung zwischen Gate und Source-modulus(Grenzspannung))*Spannung zwischen Drain und Source-1/2*(Spannung zwischen Drain und Source)^2)

Körpereffekt in PMOS

Gehen Änderung der Schwellenspannung = Grenzspannung+Herstellungsprozessparameter*(sqrt(2*Physikalischer Parameter+Spannung zwischen Körper und Quelle)-sqrt(2*Physikalischer Parameter))

Drain-Strom im Triodenbereich des PMOS-Transistors bei Vsd

Gehen Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten*Seitenverhältnis*(modulus(Effektive Spannung)-1/2*Spannung zwischen Drain und Source)*Spannung zwischen Drain und Source

Drain-Strom im Sättigungsbereich des PMOS-Transistors

Gehen Sättigungsstrom = 1/2*Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten*Seitenverhältnis*(Spannung zwischen Gate und Source-modulus(Grenzspannung))^2

Strom von der Quelle zum Abfluss ableiten

Gehen Stromverbrauch = (Breite der Kreuzung*Ladung der Inversionsschicht*Beweglichkeit von Löchern im Kanal*Horizontale Komponente des elektrischen Feldes im Kanal)

Backgate-Effektparameter in PMOS

Gehen Backgate-Effekt-Parameter = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Spenderkonzentration)/Oxidkapazität

Ladung der Inversionsschicht bei Pinch-Off-Bedingung in PMOS

Gehen Ladung der Inversionsschicht = -Oxidkapazität*(Spannung zwischen Gate und Source-Grenzspannung-Spannung zwischen Drain und Source)

Drain-Strom im Sättigungsbereich des PMOS-Transistors gegeben Vov

Gehen Sättigungsstrom = 1/2*Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten*Seitenverhältnis*(Effektive Spannung)^2

Strom im Inversionskanal von PMOS

Gehen Stromverbrauch = (Breite der Kreuzung*Ladung der Inversionsschicht*Driftgeschwindigkeit der Inversion)

Strom im Inversionskanal des PMOS bei gegebener Mobilität

Gehen Driftgeschwindigkeit der Inversion = Beweglichkeit von Löchern im Kanal*Horizontale Komponente des elektrischen Feldes im Kanal

Ladung der Inversionsschicht in PMOS

Gehen Ladung der Inversionsschicht = -Oxidkapazität*(Spannung zwischen Gate und Source-Grenzspannung)

Übersteuerungsspannung von PMOS

Gehen Effektive Spannung = Spannung zwischen Gate und Source-modulus(Grenzspannung)

Prozesstranskonduktanzparameter von PMOS

Gehen Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten = Beweglichkeit von Löchern im Kanal*Oxidkapazität

Strom im Inversionskanal des PMOS bei gegebener Mobilität Formel

Driftgeschwindigkeit der Inversion = Beweglichkeit von Löchern im Kanal*Horizontale Komponente des elektrischen Feldes im Kanal
V_y = μ_p*E_y

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