Corrente no Canal de Inversão do PMOS devido à Mobilidade Calculadora

✖A mobilidade dos buracos no canal depende de vários fatores, como a estrutura cristalina do material semicondutor, a presença de impurezas, a temperatura,ⓘ Mobilidade de Furos no Canal [μ_p]			+10% -10%
✖A Componente Horizontal do Campo Elétrico no Canal é a intensidade do campo elétrico que existe no material sob a camada de óxido do portão, na região onde se forma a camada de inversão.ⓘ Componente horizontal do campo elétrico no canal [E_y]			+10% -10%

✖A velocidade de deriva da camada de inversão em um MOSFET é a velocidade média dos elétrons que compõem a camada de inversão à medida que se movem através do material sob a influência de um campo elétrico.ⓘ Corrente no Canal de Inversão do PMOS devido à Mobilidade [V_y]

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Fórmula

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Corrente no Canal de Inversão do PMOS devido à Mobilidade

Fórmula

`"V"_{"y"} = "μ"_{"p"}*"E"_{"y"}`

Exemplo

`"1463cm/s"="2.66m²/V*s"*"5.5V/m"`

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Corrente no Canal de Inversão do PMOS devido à Mobilidade Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Velocidade de deriva da inversão = Mobilidade de Furos no Canal*Componente horizontal do campo elétrico no canal
V_y = μ_p*E_y
Esta fórmula usa 3 Variáveis

Variáveis Usadas

Velocidade de deriva da inversão - (Medido em Metro por segundo) - A velocidade de deriva da camada de inversão em um MOSFET é a velocidade média dos elétrons que compõem a camada de inversão à medida que se movem através do material sob a influência de um campo elétrico.
Mobilidade de Furos no Canal - (Medido em Metro quadrado por volt por segundo) - A mobilidade dos buracos no canal depende de vários fatores, como a estrutura cristalina do material semicondutor, a presença de impurezas, a temperatura,
Componente horizontal do campo elétrico no canal - (Medido em Volt por Metro) - A Componente Horizontal do Campo Elétrico no Canal é a intensidade do campo elétrico que existe no material sob a camada de óxido do portão, na região onde se forma a camada de inversão.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Mobilidade de Furos no Canal: 2.66 Metro quadrado por volt por segundo --> 2.66 Metro quadrado por volt por segundo Nenhuma conversão necessária
Componente horizontal do campo elétrico no canal: 5.5 Volt por Metro --> 5.5 Volt por Metro Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

V_y = μ_p*E_y --> 2.66*5.5

Avaliando ... ...

V_y = 14.63

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

14.63 Metro por segundo -->1463 Centímetro por Segundo (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

1463 Centímetro por Segundo <-- Velocidade de deriva da inversão

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Aman Dhussawat

INSTITUTO DE TECNOLOGIA GURU TEGH BAHADUR (GTBIT), NOVA DELHI

Aman Dhussawat criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

Verificado por Parminder Singh

Universidade de Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh verificou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

< 14 Aprimoramento do Canal P Calculadoras

Corrente de drenagem geral do transistor PMOS

Vai Drenar Corrente = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))^2*(1+Tensão entre Dreno e Fonte/modulus(Tensão inicial))

Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS

Vai Drenar Corrente = Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*((Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))*Tensão entre Dreno e Fonte-1/2*(Tensão entre Dreno e Fonte)^2)

Efeito corporal em PMOS

Vai Mudança na Tensão Limiar = Tensão de limiar+Parâmetro do Processo de Fabricação*(sqrt(2*Parâmetro físico+Tensão entre Corpo e Fonte)-sqrt(2*Parâmetro físico))

Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS dado Vsd

Vai Drenar Corrente = Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(modulus(Tensão efetiva)-1/2*Tensão entre Dreno e Fonte)*Tensão entre Dreno e Fonte

Corrente de drenagem na região de saturação do transistor PMOS

Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))^2

Parâmetro de efeito Backgate em PMOS

Vai Parâmetro do Efeito Backgate = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Concentração de Doadores)/Capacitância de Óxido

Corrente de dreno da fonte para o dreno

Vai Drenar Corrente = (Largura da Junção*Cobrança da Camada de Inversão*Mobilidade de Furos no Canal*Componente horizontal do campo elétrico no canal)

Carga da Camada de Inversão na Condição Pinch-Off no PMOS

Vai Cobrança da Camada de Inversão = -Capacitância de Óxido*(Tensão entre Gate e Source-Tensão de limiar-Tensão entre Dreno e Fonte)

Corrente de dreno na região de saturação do transistor PMOS dado Vov

Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(Tensão efetiva)^2

Corrente no canal de inversão do PMOS

Vai Drenar Corrente = (Largura da Junção*Cobrança da Camada de Inversão*Velocidade de deriva da inversão)

Carga da Camada de Inversão em PMOS

Vai Cobrança da Camada de Inversão = -Capacitância de Óxido*(Tensão entre Gate e Source-Tensão de limiar)

Corrente no Canal de Inversão do PMOS devido à Mobilidade

Vai Velocidade de deriva da inversão = Mobilidade de Furos no Canal*Componente horizontal do campo elétrico no canal

Parâmetro de Transcondutância do Processo de PMOS

Vai Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS = Mobilidade de Furos no Canal*Capacitância de Óxido

Tensão Overdrive do PMOS

Vai Tensão efetiva = Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar)

Corrente no Canal de Inversão do PMOS devido à Mobilidade Fórmula

Velocidade de deriva da inversão = Mobilidade de Furos no Canal*Componente horizontal do campo elétrico no canal
V_y = μ_p*E_y

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