| ✖A mobilidade dos buracos no canal depende de vários fatores, como a estrutura cristalina do material semicondutor, a presença de impurezas, a temperatura,ⓘ Mobilidade de Furos no Canal [μp] |  |  | +10% -10% | 
| ✖A Componente Horizontal do Campo Elétrico no Canal é a intensidade do campo elétrico que existe no material sob a camada de óxido do portão, na região onde se forma a camada de inversão.ⓘ Componente horizontal do campo elétrico no canal [Ey] |  |  | +10% -10% |