Calculadora MCD

Calculadora Eficiencia de inyección del emisor

Ingenieria Financiero Física Mates Más >>

↳

Electrónica Ciencia de los Materiales Civil Eléctrico Más >>

⤿

Circuitos integrados (CI)Amplificadores Antena y propagación de ondas Comunicación digital Más >>

⤿

Fabricación de circuitos integrados bipolares Fabricación de circuitos integrados MOS Schmitt Trigger

✖La corriente del emisor se refiere a la corriente que fluye entre los terminales del emisor y la base del transistor cuando está en funcionamiento.ⓘ Corriente del emisor [I_E]			+10% -10%
✖La corriente del emisor debida a los electrones es la corriente máxima posible de portadores mayoritarios que fluyen hacia el emisor.ⓘ Corriente del emisor debida a los electrones. [I_Ee]			+10% -10%
✖La Corriente del Emisor debido a los Agujeros es la máxima corriente posible de portadoras minoritarias inyectadas en la base.ⓘ Corriente del emisor debido a los agujeros [I_Eh]			+10% -10%

✖La eficiencia de inyección del emisor es la relación entre la corriente de electrones que fluye en el emisor y la corriente total a través de la unión de la base del emisor.ⓘ Eficiencia de inyección del emisor [γ]

⎘ Copiar

👎

Fórmula

LaTeX

Reiniciar

👍

Descargar Circuitos integrados (CI) Fórmula PDF PDF Image

Eficiencia de inyección del emisor Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Eficiencia de inyección del emisor = Corriente del emisor/(Corriente del emisor debida a los electrones.+Corriente del emisor debido a los agujeros)
γ = I_E/(I_Ee+I_Eh)
Esta fórmula usa 4 Variables

Variables utilizadas

Eficiencia de inyección del emisor - La eficiencia de inyección del emisor es la relación entre la corriente de electrones que fluye en el emisor y la corriente total a través de la unión de la base del emisor.
Corriente del emisor - (Medido en Amperio) - La corriente del emisor se refiere a la corriente que fluye entre los terminales del emisor y la base del transistor cuando está en funcionamiento.
Corriente del emisor debida a los electrones. - (Medido en Amperio) - La corriente del emisor debida a los electrones es la corriente máxima posible de portadores mayoritarios que fluyen hacia el emisor.
Corriente del emisor debido a los agujeros - (Medido en Amperio) - La Corriente del Emisor debido a los Agujeros es la máxima corriente posible de portadoras minoritarias inyectadas en la base.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Corriente del emisor: 0.008 Amperio --> 0.008 Amperio No se requiere conversión
Corriente del emisor debida a los electrones.: 0.005 Amperio --> 0.005 Amperio No se requiere conversión
Corriente del emisor debido a los agujeros: 0.006 Amperio --> 0.006 Amperio No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

γ = I_E/(I_Ee+I_Eh) --> 0.008/(0.005+0.006)

Evaluar ... ...

γ = 0.727272727272727

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.727272727272727 --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

0.727272727272727 ≈ 0.727273 <-- Eficiencia de inyección del emisor

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Aquí estás -

Inicio » Ingenieria » Electrónica » Circuitos integrados (CI) » Fabricación de circuitos integrados bipolares » Eficiencia de inyección del emisor

Créditos

Creado por Banu Prakash

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

¡Banu Prakash ha creado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

Verificada por Santhosh Yadav

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), banglore

¡Santhosh Yadav ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

< Fabricación de circuitos integrados bipolares Calculadoras

Conductividad de tipo N

LaTeX Vamos Conductividad óhmica = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de equilibrio de tipo N+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*(Concentración intrínseca^2/Concentración de equilibrio de tipo N))

Conductividad óhmica de la impureza

LaTeX Vamos Conductividad óhmica = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de electrones+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*Concentración de agujeros)

Impureza con concentración intrínseca

LaTeX Vamos Concentración intrínseca = sqrt((Concentración de electrones*Concentración de agujeros)/Impureza de temperatura)

Voltaje de ruptura del emisor colector

LaTeX Vamos Voltaje de ruptura del emisor del colector = Voltaje de ruptura de la base del colector/(Ganancia actual de BJT)^(1/Número raíz)

Eficiencia de inyección del emisor Fórmula

LaTeX Vamos

Eficiencia de inyección del emisor = Corriente del emisor/(Corriente del emisor debida a los electrones.+Corriente del emisor debido a los agujeros)
γ = I_E/(I_Ee+I_Eh)

Inicio

GRATIS PDF

🔍 Búsqueda

Categorías

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!