Calculadora Eficiencia de inyección del emisor

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Fabricación de circuitos integrados bipolares

Fabricación de circuitos integrados MOS

Schmitt Trigger

✖La corriente del emisor se refiere a la corriente que fluye entre los terminales del emisor y la base del transistor cuando está en funcionamiento.ⓘ Corriente del emisor [I_E]			+10% -10%
✖La corriente del emisor debida a los electrones es la corriente máxima posible de portadores mayoritarios que fluyen hacia el emisor.ⓘ Corriente del emisor debida a los electrones. [I_Ee]			+10% -10%
✖La Corriente del Emisor debido a los Agujeros es la máxima corriente posible de portadoras minoritarias inyectadas en la base.ⓘ Corriente del emisor debido a los agujeros [I_Eh]			+10% -10%

✖La eficiencia de inyección del emisor es la relación entre la corriente de electrones que fluye en el emisor y la corriente total a través de la unión de la base del emisor.ⓘ Eficiencia de inyección del emisor [γ]

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Fórmula

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Eficiencia de inyección del emisor

Fórmula

`"γ" = "I"_{"E"}/("I"_{"Ee"}+"I"_{"Eh"})`

Ejemplo

`"0.727273"="0.008A"/("0.005A"+"0.006A")`

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Eficiencia de inyección del emisor Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Eficiencia de inyección del emisor = Corriente del emisor/(Corriente del emisor debida a los electrones.+Corriente del emisor debido a los agujeros)
γ = I_E/(I_Ee+I_Eh)
Esta fórmula usa 4 Variables

Variables utilizadas

Eficiencia de inyección del emisor - La eficiencia de inyección del emisor es la relación entre la corriente de electrones que fluye en el emisor y la corriente total a través de la unión de la base del emisor.
Corriente del emisor - (Medido en Amperio) - La corriente del emisor se refiere a la corriente que fluye entre los terminales del emisor y la base del transistor cuando está en funcionamiento.
Corriente del emisor debida a los electrones. - (Medido en Amperio) - La corriente del emisor debida a los electrones es la corriente máxima posible de portadores mayoritarios que fluyen hacia el emisor.
Corriente del emisor debido a los agujeros - (Medido en Amperio) - La Corriente del Emisor debido a los Agujeros es la máxima corriente posible de portadoras minoritarias inyectadas en la base.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Corriente del emisor: 0.008 Amperio --> 0.008 Amperio No se requiere conversión
Corriente del emisor debida a los electrones.: 0.005 Amperio --> 0.005 Amperio No se requiere conversión
Corriente del emisor debido a los agujeros: 0.006 Amperio --> 0.006 Amperio No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

γ = I_E/(I_Ee+I_Eh) --> 0.008/(0.005+0.006)

Evaluar ... ...

γ = 0.727272727272727

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.727272727272727 --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

0.727272727272727 ≈ 0.727273 <-- Eficiencia de inyección del emisor

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por banuprakash

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

¡banuprakash ha creado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

Verificada por Santhosh Yadav

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), banglore

¡Santhosh Yadav ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

< 19 Fabricación de circuitos integrados bipolares Calculadoras

Resistencia del paralelepípedo rectangular

Vamos Resistencia = ((Resistividad*Grosor de la capa)/(Ancho de la capa difundida*Longitud de la capa difundida))*(ln(Ancho del rectángulo inferior/Longitud del rectángulo inferior)/(Ancho del rectángulo inferior-Longitud del rectángulo inferior))

Átomos de impureza por unidad de área

Vamos Impureza total = Difusión efectiva*(Área de unión de la base del emisor*((Cargar*Concentración intrínseca^2)/Colector actual)*exp(Emisor de base de voltaje/Voltaje térmico))

Conductividad del tipo P

Vamos Conductividad óhmica = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*(Concentración intrínseca^2/Concentración de equilibrio del tipo P)+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*Concentración de equilibrio del tipo P)

Conductividad de tipo N

Vamos Conductividad óhmica = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de equilibrio de tipo N+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*(Concentración intrínseca^2/Concentración de equilibrio de tipo N))

Conductividad óhmica de la impureza

Vamos Conductividad óhmica = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de electrones+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*Concentración de agujeros)

Capacitancia de la fuente de puerta dada la capacitancia de superposición

Vamos Capacitancia de la fuente de puerta = (2/3*Ancho del transistor*Longitud del transistor*Capacitancia de óxido)+(Ancho del transistor*Capacitancia de superposición)

Corriente de colector del transistor PNP

Vamos Colector actual = (Cargar*Área de unión de la base del emisor*Concentración de equilibrio de tipo N*Constante de difusión para PNP)/Ancho de la base

Corriente de saturación en transistor

Vamos Corriente de saturación = (Cargar*Área de unión de la base del emisor*Difusión efectiva*Concentración intrínseca^2)/Impureza total

Consumo de energía de carga capacitiva dado el voltaje de suministro

Vamos Consumo de energía de carga capacitiva = Capacitancia de carga*Tensión de alimentación^2*Frecuencia de señal de salida*Número total de salidas conmutadas

Resistencia laminar de la capa

Vamos Resistencia de la hoja = 1/(Cargar*Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de equilibrio de tipo N*Grosor de la capa)

Agujero de densidad actual

Vamos Densidad de corriente del agujero = Cargar*Constante de difusión para PNP*(Concentración de equilibrio del agujero/Ancho de la base)

Eficiencia de inyección del emisor

Vamos Eficiencia de inyección del emisor = Corriente del emisor/(Corriente del emisor debida a los electrones.+Corriente del emisor debido a los agujeros)

Resistencia de la capa difusa

Vamos Resistencia = (1/Conductividad óhmica)*(Longitud de la capa difundida/(Ancho de la capa difundida*Grosor de la capa))

Impureza con concentración intrínseca

Vamos Concentración intrínseca = sqrt((Concentración de electrones*Concentración de agujeros)/Impureza de temperatura)

Voltaje de ruptura del emisor colector

Vamos Voltaje de ruptura del emisor del colector = Voltaje de ruptura de la base del colector/(Ganancia actual de BJT)^(1/Número raíz)

Corriente que fluye en el diodo Zener

Vamos Corriente de diodo = (Voltaje de referencia de entrada-Voltaje de salida estable)/Resistencia Zener

Eficiencia de inyección del emisor dadas las constantes de dopaje

Vamos Eficiencia de inyección del emisor = Dopaje en el lado N/(Dopaje en el lado N+Dopaje en el lado P)

Factor de conversión de voltaje a frecuencia en circuitos integrados

Vamos Factor de conversión de voltaje a frecuencia en circuitos integrados = Frecuencia de señal de salida/Voltaje de entrada

Factor de transporte base dado el ancho de la base

Vamos Factor de transporte básico = 1-(1/2*(Ancho físico/Longitud de difusión de electrones)^2)

Eficiencia de inyección del emisor Fórmula

Eficiencia de inyección del emisor = Corriente del emisor/(Corriente del emisor debida a los electrones.+Corriente del emisor debido a los agujeros)
γ = I_E/(I_Ee+I_Eh)

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