Wydajność wtrysku emitera Kalkulator

↳

Elektronika

Cywilny

Elektronika i oprzyrządowanie

Elektryczny

Inżynieria chemiczna

Inżynieria materiałowa

Inżynieria produkcji

Mechaniczny

⤿

Produkcja bipolarnych układów scalonych

Produkcja układów scalonych MOS

Wyzwalacz Schmitta

✖Prąd emitera odnosi się do prądu przepływającego pomiędzy emiterem a zaciskami bazy tranzystora podczas jego pracy.ⓘ Prąd emitera [I_E]			+10% -10%
✖Prąd emitera powodowany przez elektrony to maksymalny możliwy prąd większości nośników wpływających do emitera.ⓘ Prąd emitera powodowany przez elektrony [I_Ee]			+10% -10%
✖Prąd emitera spowodowany dziurami to maksymalny możliwy prąd nośników mniejszościowych wprowadzony do bazy.ⓘ Prąd emitera z powodu dziur [I_Eh]			+10% -10%

✖Efektywność wtrysku emitera to stosunek prądu elektronów przepływających w emiterze do całkowitego prądu w złączu bazowym emitera.ⓘ Wydajność wtrysku emitera [γ]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Wydajność wtrysku emitera

Formuła

`"γ" = "I"_{"E"}/("I"_{"Ee"}+"I"_{"Eh"})`

Przykład

`"0.727273"="0.008A"/("0.005A"+"0.006A")`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Elektronika Formułę PDF PDF Image

Wydajność wtrysku emitera Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Wydajność wtrysku emitera = Prąd emitera/(Prąd emitera powodowany przez elektrony+Prąd emitera z powodu dziur)
γ = I_E/(I_Ee+I_Eh)
Ta formuła używa 4 Zmienne

Używane zmienne

Wydajność wtrysku emitera - Efektywność wtrysku emitera to stosunek prądu elektronów przepływających w emiterze do całkowitego prądu w złączu bazowym emitera.
Prąd emitera - (Mierzone w Amper) - Prąd emitera odnosi się do prądu przepływającego pomiędzy emiterem a zaciskami bazy tranzystora podczas jego pracy.
Prąd emitera powodowany przez elektrony - (Mierzone w Amper) - Prąd emitera powodowany przez elektrony to maksymalny możliwy prąd większości nośników wpływających do emitera.
Prąd emitera z powodu dziur - (Mierzone w Amper) - Prąd emitera spowodowany dziurami to maksymalny możliwy prąd nośników mniejszościowych wprowadzony do bazy.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Prąd emitera: 0.008 Amper --> 0.008 Amper Nie jest wymagana konwersja
Prąd emitera powodowany przez elektrony: 0.005 Amper --> 0.005 Amper Nie jest wymagana konwersja
Prąd emitera z powodu dziur: 0.006 Amper --> 0.006 Amper Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

γ = I_E/(I_Ee+I_Eh) --> 0.008/(0.005+0.006)

Ocenianie ... ...

γ = 0.727272727272727

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.727272727272727 --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

0.727272727272727 ≈ 0.727273 <-- Wydajność wtrysku emitera

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Układy scalone (IC) » Produkcja bipolarnych układów scalonych » Wydajność wtrysku emitera

Kredyty

Stworzone przez banuprakasz

Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakasz utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Santhosh Yadav

Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

< 19 Produkcja bipolarnych układów scalonych Kalkulatory

Opór równoległościanu prostokątnego

Iść Opór = ((Oporność*Grubość warstwy)/(Szerokość rozproszonej warstwy*Długość warstwy rozproszonej))*(ln(Szerokość dolnego prostokąta/Długość dolnego prostokąta)/(Szerokość dolnego prostokąta-Długość dolnego prostokąta))

Atomy zanieczyszczeń na jednostkę powierzchni

Iść Całkowita nieczystość = Efektywna dyfuzja*(Obszar połączenia podstawy emitera*((Opłata*Wewnętrzna koncentracja^2)/Prąd kolektora)*exp(Emiter podstawy napięcia/Napięcie termiczne))

Przewodność typu N

Iść Przewodność omowa = Opłata*(Mobilność krzemu z domieszką elektronów*Stężenie równowagowe typu N+Hole Doping Mobilność krzemu*(Wewnętrzna koncentracja^2/Stężenie równowagowe typu N))

Przewodność typu P

Iść Przewodność omowa = Opłata*(Mobilność krzemu z domieszką elektronów*(Wewnętrzna koncentracja^2/Stężenie równowagowe typu P)+Hole Doping Mobilność krzemu*Stężenie równowagowe typu P)

Pojemność źródła bramki Biorąc pod uwagę pojemność nakładania się

Iść Pojemność źródła bramki = (2/3*Szerokość tranzystora*Długość tranzystora*Pojemność tlenkowa)+(Szerokość tranzystora*Pojemność nakładania)

Przewodność omowa zanieczyszczeń

Iść Przewodność omowa = Opłata*(Mobilność krzemu z domieszką elektronów*Stężenie elektronów+Hole Doping Mobilność krzemu*Zagęszczenie dziur)

Prąd kolektora tranzystora PNP

Iść Prąd kolektora = (Opłata*Obszar połączenia podstawy emitera*Stężenie równowagowe typu N*Stała dyfuzji dla PNP)/Szerokość podstawy

Prąd nasycenia w tranzystorze

Iść Prąd nasycenia = (Opłata*Obszar połączenia podstawy emitera*Efektywna dyfuzja*Wewnętrzna koncentracja^2)/Całkowita nieczystość

Pobór mocy obciążenia pojemnościowego przy danym napięciu zasilania

Iść Pobór mocy obciążenia pojemnościowego = Pojemność obciążenia*Napięcie zasilania^2*Częstotliwość sygnału wyjściowego*Całkowita liczba przełączanych wyjść

Opór arkusza warstwy

Iść Odporność arkusza = 1/(Opłata*Mobilność krzemu z domieszką elektronów*Stężenie równowagowe typu N*Grubość warstwy)

Opór warstwy rozproszonej

Iść Opór = (1/Przewodność omowa)*(Długość warstwy rozproszonej/(Szerokość rozproszonej warstwy*Grubość warstwy))

Zanieczyszczenie o wewnętrznym stężeniu

Iść Wewnętrzna koncentracja = sqrt((Stężenie elektronów*Zagęszczenie dziur)/Zanieczyszczenie temperaturowe)

Dziura gęstości prądu

Iść Gęstość prądu otworu = Opłata*Stała dyfuzji dla PNP*(Stężenie równowagi w otworze/Szerokość podstawy)

Napięcie przebicia emitera kolektora

Iść Napięcie przebicia emitera kolektora = Napięcie przebicia podstawy kolektora/(Obecny zysk BJT)^(1/Numer główny)

Wydajność wtrysku emitera

Iść Wydajność wtrysku emitera = Prąd emitera/(Prąd emitera powodowany przez elektrony+Prąd emitera z powodu dziur)

Współczynnik konwersji napięcia na częstotliwość w układach scalonych

Iść Współczynnik konwersji napięcia na częstotliwość w układach scalonych = Częstotliwość sygnału wyjściowego/Napięcie wejściowe

Wydajność wtrysku emitera przy danych stałych domieszkowania

Iść Wydajność wtrysku emitera = Doping po stronie N/(Doping po stronie N+Doping po stronie P)

Prąd płynący w diodzie Zenera

Iść Prąd diody = (Wejściowe napięcie odniesienia-Stabilne napięcie wyjściowe)/Opór Zenera

Podstawowy współczynnik transportu przy danej szerokości podstawowej

Iść Podstawowy współczynnik transportu = 1-(1/2*(Szerokość fizyczna/Długość dyfuzji elektronów)^2)

Wydajność wtrysku emitera Formułę

Wydajność wtrysku emitera = Prąd emitera/(Prąd emitera powodowany przez elektrony+Prąd emitera z powodu dziur)
γ = I_E/(I_Ee+I_Eh)

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!