Calcolatore mcd

Efficienza di iniezione dell'emettitore calcolatrice

Ingegneria Chimica Finanziario Fisica Di Più >>

↳

Elettronica Civile Elettrico Elettronica e strumentazione Di Più >>

⤿

Circuiti integrati (IC)Amplificatori Antenna e propagazione delle onde Comunicazione digitale Di Più >>

⤿

Fabbricazione di circuiti integrati bipolari Fabbricazione di circuiti integrati MOS Trigger di Schmitt

✖La corrente dell'emettitore si riferisce alla corrente che scorre tra l'emettitore e i terminali di base del transistor quando è in funzione.ⓘ Corrente dell'emettitore [I_E]			+10% -10%
✖La corrente dell'emettitore dovuta agli elettroni è la corrente massima possibile dei portatori maggioritari che fluiscono nell'emettitore.ⓘ Corrente di emettitore dovuta agli elettroni [I_Ee]			+10% -10%
✖La corrente di emettitore dovuta ai fori è la corrente massima possibile dei portatori minoritari iniettati nella base.ⓘ Corrente dell'emettitore dovuta ai fori [I_Eh]			+10% -10%

✖L'efficienza di iniezione dell'emettitore è il rapporto tra la corrente dell'elettrone che scorre nell'emettitore e la corrente totale attraverso la giunzione della base dell'emettitore.ⓘ Efficienza di iniezione dell'emettitore [γ]

⎘ Copia

👎

Formula

LaTeX

Ripristina

👍

Scaricamento Circuiti integrati (IC) Formula PDF PDF Image

Efficienza di iniezione dell'emettitore Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Efficienza dell'iniezione dell'emettitore = Corrente dell'emettitore/(Corrente di emettitore dovuta agli elettroni+Corrente dell'emettitore dovuta ai fori)
γ = I_E/(I_Ee+I_Eh)
Questa formula utilizza 4 Variabili

Variabili utilizzate

Efficienza dell'iniezione dell'emettitore - L'efficienza di iniezione dell'emettitore è il rapporto tra la corrente dell'elettrone che scorre nell'emettitore e la corrente totale attraverso la giunzione della base dell'emettitore.
Corrente dell'emettitore - (Misurato in Ampere) - La corrente dell'emettitore si riferisce alla corrente che scorre tra l'emettitore e i terminali di base del transistor quando è in funzione.
Corrente di emettitore dovuta agli elettroni - (Misurato in Ampere) - La corrente dell'emettitore dovuta agli elettroni è la corrente massima possibile dei portatori maggioritari che fluiscono nell'emettitore.
Corrente dell'emettitore dovuta ai fori - (Misurato in Ampere) - La corrente di emettitore dovuta ai fori è la corrente massima possibile dei portatori minoritari iniettati nella base.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Corrente dell'emettitore: 0.008 Ampere --> 0.008 Ampere Nessuna conversione richiesta
Corrente di emettitore dovuta agli elettroni: 0.005 Ampere --> 0.005 Ampere Nessuna conversione richiesta
Corrente dell'emettitore dovuta ai fori: 0.006 Ampere --> 0.006 Ampere Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

γ = I_E/(I_Ee+I_Eh) --> 0.008/(0.005+0.006)

Valutare ... ...

γ = 0.727272727272727

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.727272727272727 --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

0.727272727272727 ≈ 0.727273 <-- Efficienza dell'iniezione dell'emettitore

(Calcolo completato in 00.020 secondi)

Tu sei qui -

Casa » Ingegneria » Elettronica » Circuiti integrati (IC) » Fabbricazione di circuiti integrati bipolari » Efficienza di iniezione dell'emettitore

Titoli di coda

Creato da Banu Prakash

Dayananda Sagar College di Ingegneria (DSCE), Bangalore

Banu Prakash ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

Verificato da Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

< Fabbricazione di circuiti integrati bipolari Calcolatrici

Conduttività di tipo N

LaTeX Partire Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di equilibrio di tipo N+Mobilità del silicio drogato con fori*(Concentrazione intrinseca^2/Concentrazione di equilibrio di tipo N))

Conduttività ohmica delle impurità

LaTeX Partire Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di elettroni+Mobilità del silicio drogato con fori*Concentrazione dei fori)

Tensione di breakout dell'emettitore del collettore

LaTeX Partire Tensione di breakout dell'emettitore del collettore = Tensione di interruzione della base del collettore/(Guadagno attuale di BJT)^(1/Numero di radice)

Impurezza con concentrazione intrinseca

LaTeX Partire Concentrazione intrinseca = sqrt((Concentrazione di elettroni*Concentrazione dei fori)/Impurità della temperatura)

Vedi altro >>

Efficienza di iniezione dell'emettitore Formula

LaTeX Partire

Efficienza dell'iniezione dell'emettitore = Corrente dell'emettitore/(Corrente di emettitore dovuta agli elettroni+Corrente dell'emettitore dovuta ai fori)
γ = I_E/(I_Ee+I_Eh)

Casa

GRATUITO PDF

🔍 Ricerca

Categorie

Condividere

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!