Efficienza di iniezione dell'emettitore calcolatrice

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Fabbricazione di circuiti integrati bipolari

Fabbricazione di circuiti integrati MOS

Trigger di Schmitt

✖La corrente dell'emettitore si riferisce alla corrente che scorre tra l'emettitore e i terminali di base del transistor quando è in funzione.ⓘ Corrente dell'emettitore [I_E]			+10% -10%
✖La corrente dell'emettitore dovuta agli elettroni è la corrente massima possibile dei portatori maggioritari che fluiscono nell'emettitore.ⓘ Corrente di emettitore dovuta agli elettroni [I_Ee]			+10% -10%
✖La corrente di emettitore dovuta ai fori è la corrente massima possibile dei portatori minoritari iniettati nella base.ⓘ Corrente dell'emettitore dovuta ai fori [I_Eh]			+10% -10%

✖L'efficienza di iniezione dell'emettitore è il rapporto tra la corrente dell'elettrone che scorre nell'emettitore e la corrente totale attraverso la giunzione della base dell'emettitore.ⓘ Efficienza di iniezione dell'emettitore [γ]

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Formula

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Efficienza di iniezione dell'emettitore

Formula

`"γ" = "I"_{"E"}/("I"_{"Ee"}+"I"_{"Eh"})`

Esempio

`"0.727273"="0.008A"/("0.005A"+"0.006A")`

Calcolatrice

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Efficienza di iniezione dell'emettitore Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Efficienza dell'iniezione dell'emettitore = Corrente dell'emettitore/(Corrente di emettitore dovuta agli elettroni+Corrente dell'emettitore dovuta ai fori)
γ = I_E/(I_Ee+I_Eh)
Questa formula utilizza 4 Variabili

Variabili utilizzate

Efficienza dell'iniezione dell'emettitore - L'efficienza di iniezione dell'emettitore è il rapporto tra la corrente dell'elettrone che scorre nell'emettitore e la corrente totale attraverso la giunzione della base dell'emettitore.
Corrente dell'emettitore - (Misurato in Ampere) - La corrente dell'emettitore si riferisce alla corrente che scorre tra l'emettitore e i terminali di base del transistor quando è in funzione.
Corrente di emettitore dovuta agli elettroni - (Misurato in Ampere) - La corrente dell'emettitore dovuta agli elettroni è la corrente massima possibile dei portatori maggioritari che fluiscono nell'emettitore.
Corrente dell'emettitore dovuta ai fori - (Misurato in Ampere) - La corrente di emettitore dovuta ai fori è la corrente massima possibile dei portatori minoritari iniettati nella base.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Corrente dell'emettitore: 0.008 Ampere --> 0.008 Ampere Nessuna conversione richiesta
Corrente di emettitore dovuta agli elettroni: 0.005 Ampere --> 0.005 Ampere Nessuna conversione richiesta
Corrente dell'emettitore dovuta ai fori: 0.006 Ampere --> 0.006 Ampere Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

γ = I_E/(I_Ee+I_Eh) --> 0.008/(0.005+0.006)

Valutare ... ...

γ = 0.727272727272727

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.727272727272727 --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

0.727272727272727 ≈ 0.727273 <-- Efficienza dell'iniezione dell'emettitore

(Calcolo completato in 00.014 secondi)

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Titoli di coda

Creato da banuprakash

Dayananda Sagar College di Ingegneria (DSCE), Bangalore

banuprakash ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

Verificato da Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

< 19 Fabbricazione di circuiti integrati bipolari Calcolatrici

Resistenza del parallelepipedo rettangolare

Partire Resistenza = ((Resistività*Spessore dello strato)/(Larghezza dello strato diffuso*Lunghezza dello strato diffuso))*(ln(Larghezza del rettangolo inferiore/Lunghezza del rettangolo inferiore)/(Larghezza del rettangolo inferiore-Lunghezza del rettangolo inferiore))

Atomi di impurità per unità di area

Partire Impurità totale = Diffusione efficace*(Area di giunzione della base dell'emettitore*((Carica*Concentrazione intrinseca^2)/Corrente del collettore)*exp(Emettitore di base di tensione/Tensione termica))

Conduttività di tipo P

Partire Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*(Concentrazione intrinseca^2/Concentrazione di equilibrio del tipo P)+Mobilità del silicio drogato con fori*Concentrazione di equilibrio del tipo P)

Conduttività di tipo N

Partire Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di equilibrio di tipo N+Mobilità del silicio drogato con fori*(Concentrazione intrinseca^2/Concentrazione di equilibrio di tipo N))

Corrente di collettore del transistor PNP

Partire Corrente del collettore = (Carica*Area di giunzione della base dell'emettitore*Concentrazione di equilibrio di tipo N*Costante di diffusione per PNP)/Larghezza della base

Conduttività ohmica delle impurità

Partire Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di elettroni+Mobilità del silicio drogato con fori*Concentrazione dei fori)

Capacità della sorgente di gate data la capacità di sovrapposizione

Partire Capacità della sorgente di gate = (2/3*Larghezza del transistor*Lunghezza del transistor*Capacità dell'ossido)+(Larghezza del transistor*Capacità di sovrapposizione)

Corrente di saturazione nel transistor

Partire Corrente di saturazione = (Carica*Area di giunzione della base dell'emettitore*Diffusione efficace*Concentrazione intrinseca^2)/Impurità totale

Consumo energetico del carico capacitivo in base alla tensione di alimentazione

Partire Consumo energetico del carico capacitivo = Capacità di carico*Tensione di alimentazione^2*Frequenza del segnale di uscita*Numero totale di uscite commutate

Resistenza del foglio dello strato

Partire Resistenza del foglio = 1/(Carica*Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di equilibrio di tipo N*Spessore dello strato)

Buco di densità di corrente

Partire Densità di corrente del foro = Carica*Costante di diffusione per PNP*(Concentrazione di equilibrio dei fori/Larghezza della base)

Efficienza di iniezione dell'emettitore

Partire Efficienza dell'iniezione dell'emettitore = Corrente dell'emettitore/(Corrente di emettitore dovuta agli elettroni+Corrente dell'emettitore dovuta ai fori)

Resistenza dello strato diffuso

Partire Resistenza = (1/Conduttività ohmica)*(Lunghezza dello strato diffuso/(Larghezza dello strato diffuso*Spessore dello strato))

Tensione di breakout dell'emettitore del collettore

Partire Tensione di breakout dell'emettitore del collettore = Tensione di interruzione della base del collettore/(Guadagno attuale di BJT)^(1/Numero di radice)

Impurezza con concentrazione intrinseca

Partire Concentrazione intrinseca = sqrt((Concentrazione di elettroni*Concentrazione dei fori)/Impurità della temperatura)

Corrente che scorre nel diodo Zener

Partire Corrente del diodo = (Tensione di riferimento in ingresso-Tensione di uscita stabile)/Resistenza Zener

Efficienza di iniezione dell'emettitore date le costanti di drogaggio

Partire Efficienza dell'iniezione dell'emettitore = Doping sul lato N/(Doping sul lato N+Doping sul lato P)

Fattore di conversione da tensione a frequenza nei circuiti integrati

Partire Fattore di conversione da tensione a frequenza nei circuiti integrati = Frequenza del segnale di uscita/Tensione di ingresso

Fattore di trasporto della base data la larghezza della base

Partire Fattore di trasporto di base = 1-(1/2*(Larghezza fisica/Lunghezza di diffusione degli elettroni)^2)

Efficienza di iniezione dell'emettitore Formula

Efficienza dell'iniezione dell'emettitore = Corrente dell'emettitore/(Corrente di emettitore dovuta agli elettroni+Corrente dell'emettitore dovuta ai fori)
γ = I_E/(I_Ee+I_Eh)

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