Efficiëntie van de emitterinjectie Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Efficiëntie van de emitterinjectie = Zenderstroom/(Emitterstroom door elektronen+Emitterstroom door gaten)
γ = IE/(IEe+IEh)
Deze formule gebruikt 4 Variabelen
Variabelen gebruikt
Efficiëntie van de emitterinjectie - Emitter-injectie-efficiëntie is de verhouding tussen de elektronenstroom die in de emitter vloeit en de totale stroom over de basisovergang van de emitter.
Zenderstroom - (Gemeten in Ampère) - Emitterstroom verwijst naar de stroom die vloeit tussen de emitter- en basisterminals van de transistor wanneer deze in bedrijf is.
Emitterstroom door elektronen - (Gemeten in Ampère) - Emitterstroom als gevolg van elektronen is de maximaal mogelijke stroom van meerderheidsdraaggolven die in de emitter stromen.
Emitterstroom door gaten - (Gemeten in Ampère) - Emitterstroom als gevolg van gaten is de maximaal mogelijke stroom van minderheidsdragers die in de basis wordt geïnjecteerd.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Zenderstroom: 0.008 Ampère --> 0.008 Ampère Geen conversie vereist
Emitterstroom door elektronen: 0.005 Ampère --> 0.005 Ampère Geen conversie vereist
Emitterstroom door gaten: 0.006 Ampère --> 0.006 Ampère Geen conversie vereist
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
γ = IE/(IEe+IEh) --> 0.008/(0.005+0.006)
Evalueren ... ...
γ = 0.727272727272727
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
0.727272727272727 --> Geen conversie vereist
DEFINITIEVE ANTWOORD
0.727272727272727 0.727273 <-- Efficiëntie van de emitterinjectie
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door Banu Prakash LinkedIn Logo
Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore
Banu Prakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Santhosh Yadav LinkedIn Logo
Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore
Santhosh Yadav heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

Bipolaire IC-fabricage Rekenmachines

Geleidbaarheid van N-type
​ LaTeX ​ Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Evenwichtsconcentratie van N-type+Hole Doping Siliciummobiliteit*(Intrinsieke concentratie^2/Evenwichtsconcentratie van N-type))
Ohmse geleidbaarheid van onzuiverheid
​ LaTeX ​ Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Elektronenconcentratie+Hole Doping Siliciummobiliteit*Gatenconcentratie)
Onzuiverheid met intrinsieke concentratie
​ LaTeX ​ Gaan Intrinsieke concentratie = sqrt((Elektronenconcentratie*Gatenconcentratie)/Temperatuuronzuiverheid)
Doorbraakspanning van collector-emitter
​ LaTeX ​ Gaan Collector-emitter doorbraakspanning = Collectorbasis doorbraakspanning/(Huidige winst van BJT)^(1/Wortelnummer)

Efficiëntie van de emitterinjectie Formule

​LaTeX ​Gaan
Efficiëntie van de emitterinjectie = Zenderstroom/(Emitterstroom door elektronen+Emitterstroom door gaten)
γ = IE/(IEe+IEh)
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!