Emitter-Injektionseffizienz Taschenrechner

↳

Elektronik

Bürgerlich

Chemieingenieurwesen

Elektrisch

Elektronik und Instrumentierung

Fertigungstechnik

Materialwissenschaften

Mechanisch

⤿

Bipolare IC-Herstellung

MOS-IC-Herstellung

Schmitt-Trigger

✖Der Emitterstrom bezieht sich auf den Strom, der während des Betriebs zwischen den Emitter- und Basisanschlüssen des Transistors fließt.ⓘ Emitterstrom [I_E]			+10% -10%
✖Der Emitterstrom aufgrund von Elektronen ist der maximal mögliche Strom der Mehrheitsträger, der in den Emitter fließt.ⓘ Emitterstrom durch Elektronen [I_Ee]			+10% -10%
✖Der Emitterstrom aufgrund von Löchern ist der maximal mögliche Strom von Minoritätsträgern, die in die Basis eingespeist werden.ⓘ Emitterstrom durch Löcher [I_Eh]			+10% -10%

✖Die Emitter-Injektionseffizienz ist das Verhältnis des im Emitter fließenden Elektronenstroms zum Gesamtstrom über die Emitter-Basis-Verbindung.ⓘ Emitter-Injektionseffizienz [γ]

⎘ Kopie

👎

Formel

✖

Emitter-Injektionseffizienz

Formel

`"γ" = "I"_{"E"}/("I"_{"Ee"}+"I"_{"Eh"})`

Beispiel

`"0.727273"="0.008A"/("0.005A"+"0.006A")`

Taschenrechner

LaTeX

Rücksetzen

👍

Herunterladen Elektronik Formel Pdf PDF Image

Emitter-Injektionseffizienz Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Emitter-Einspritzeffizienz = Emitterstrom/(Emitterstrom durch Elektronen+Emitterstrom durch Löcher)
γ = I_E/(I_Ee+I_Eh)
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Emitter-Einspritzeffizienz - Die Emitter-Injektionseffizienz ist das Verhältnis des im Emitter fließenden Elektronenstroms zum Gesamtstrom über die Emitter-Basis-Verbindung.
Emitterstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Emitterstrom bezieht sich auf den Strom, der während des Betriebs zwischen den Emitter- und Basisanschlüssen des Transistors fließt.
Emitterstrom durch Elektronen - (Gemessen in Ampere) - Der Emitterstrom aufgrund von Elektronen ist der maximal mögliche Strom der Mehrheitsträger, der in den Emitter fließt.
Emitterstrom durch Löcher - (Gemessen in Ampere) - Der Emitterstrom aufgrund von Löchern ist der maximal mögliche Strom von Minoritätsträgern, die in die Basis eingespeist werden.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Emitterstrom: 0.008 Ampere --> 0.008 Ampere Keine Konvertierung erforderlich
Emitterstrom durch Elektronen: 0.005 Ampere --> 0.005 Ampere Keine Konvertierung erforderlich
Emitterstrom durch Löcher: 0.006 Ampere --> 0.006 Ampere Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

γ = I_E/(I_Ee+I_Eh) --> 0.008/(0.005+0.006)

Auswerten ... ...

γ = 0.727272727272727

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.727272727272727 --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.727272727272727 ≈ 0.727273 <-- Emitter-Einspritzeffizienz

(Berechnung in 00.009 sekunden abgeschlossen)

Du bist da -

Zuhause » Maschinenbau » Elektronik » Integrierte Schaltkreise (IC) » Bipolare IC-Herstellung » Emitter-Injektionseffizienz

Credits

Erstellt von Banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

Banuprakash hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!

< 19 Bipolare IC-Herstellung Taschenrechner

Widerstand eines rechteckigen Parallelepipeds

Gehen Widerstand = ((Widerstand*Dicke der Schicht)/(Breite der diffusen Schicht*Länge der diffusen Schicht))*(ln(Breite des unteren Rechtecks/Länge des unteren Rechtecks)/(Breite des unteren Rechtecks-Länge des unteren Rechtecks))

Verunreinigungsatome pro Flächeneinheit

Gehen Totale Unreinheit = Effektive Verbreitung*(Emitterbasis-Verbindungsbereich*((Aufladung*Intrinsische Konzentration^2)/Kollektorstrom)*exp(Spannungsbasisemitter/Thermische Spannung))

Leitfähigkeit vom N-Typ

Gehen Ohmsche Leitfähigkeit = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*Gleichgewichtskonzentration des N-Typs+Lochdotierung der Siliziummobilität*(Intrinsische Konzentration^2/Gleichgewichtskonzentration des N-Typs))

Leitfähigkeit vom P-Typ

Gehen Ohmsche Leitfähigkeit = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*(Intrinsische Konzentration^2/Gleichgewichtskonzentration des P-Typs)+Lochdotierung der Siliziummobilität*Gleichgewichtskonzentration des P-Typs)

Ohmsche Leitfähigkeit von Verunreinigungen

Gehen Ohmsche Leitfähigkeit = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*Elektronenkonzentration+Lochdotierung der Siliziummobilität*Lochkonzentration)

Kollektorstrom des PNP-Transistors

Gehen Kollektorstrom = (Aufladung*Emitterbasis-Verbindungsbereich*Gleichgewichtskonzentration des N-Typs*Diffusionskonstante für PNP)/Basisbreite

Sättigungsstrom im Transistor

Gehen Sättigungsstrom = (Aufladung*Emitterbasis-Verbindungsbereich*Effektive Verbreitung*Intrinsische Konzentration^2)/Totale Unreinheit

Gate-Source-Kapazität bei gegebener Überlappungskapazität

Gehen Gate-Source-Kapazität = (2/3*Breite des Transistors*Transistorlänge*Oxidkapazität)+(Breite des Transistors*Überlappungskapazität)

Stromverbrauch der kapazitiven Last bei gegebener Versorgungsspannung

Gehen Stromverbrauch kapazitiver Last = Lastkapazität*Versorgungsspannung^2*Ausgangssignalfrequenz*Gesamtzahl der schaltbaren Ausgänge

Schichtwiderstand der Schicht

Gehen Schichtwiderstand = 1/(Aufladung*Elektronendotierte Siliziummobilität*Gleichgewichtskonzentration des N-Typs*Dicke der Schicht)

Widerstand der diffundierten Schicht

Gehen Widerstand = (1/Ohmsche Leitfähigkeit)*(Länge der diffusen Schicht/(Breite der diffusen Schicht*Dicke der Schicht))

Verunreinigung mit intrinsischer Konzentration

Gehen Intrinsische Konzentration = sqrt((Elektronenkonzentration*Lochkonzentration)/Temperaturverunreinigung)

Aktuelle Dichteloch

Gehen Lochstromdichte = Aufladung*Diffusionskonstante für PNP*(Lochgleichgewichtskonzentration/Basisbreite)

Durchbruchspannung des Kollektor-Emitters

Gehen Kollektor-Emitter-Breakout-Spannung = Kollektor-Basis-Break-Spannung/(Aktueller Gewinn von BJT)^(1/Stammnummer)

Emitter-Injektionseffizienz bei gegebenen Dotierungskonstanten

Gehen Emitter-Einspritzeffizienz = Dotierung auf der N-Seite/(Dotierung auf der N-Seite+Dotierung auf der P-Seite)

Emitter-Injektionseffizienz

Gehen Emitter-Einspritzeffizienz = Emitterstrom/(Emitterstrom durch Elektronen+Emitterstrom durch Löcher)

Strom fließt in der Zenerdiode

Gehen Diodenstrom = (Eingangsreferenzspannung-Stabile Ausgangsspannung)/Zener-Widerstand

Spannungs-Frequenz-Umwandlungsfaktor in ICs

Gehen Umrechnungsfaktor von Spannung zu Frequenz in ICs = Ausgangssignalfrequenz/Eingangsspannung

Basistransportfaktor bei gegebener Basisbreite

Gehen Basis-Transportfaktor = 1-(1/2*(Physische Breite/Elektronendiffusionslänge)^2)

Emitter-Injektionseffizienz Formel

Emitter-Einspritzeffizienz = Emitterstrom/(Emitterstrom durch Elektronen+Emitterstrom durch Löcher)
γ = I_E/(I_Ee+I_Eh)

Zuhause

FREI PDFs

🔍 Suche

Kategorien

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!