Capacitancia de entrada de IGBT Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Capacitancia de entrada = Capacitancia de puerta a emisor+Capacitancia de puerta a colector
Cin = C(g-e)+C(g-c)
Esta fórmula usa 3 Variables
Variables utilizadas
Capacitancia de entrada - (Medido en Faradio) - La capacitancia de entrada de un IGBT es la capacitancia entre los terminales de puerta y emisor del dispositivo.
Capacitancia de puerta a emisor - (Medido en Faradio) - Capacitancia de puerta a emisor (C
Capacitancia de puerta a colector - (Medido en Faradio) - La capacitancia de puerta a colector, también conocida como capacitancia de Miller, es una capacitancia parásita que existe entre las terminales de puerta y colector de un IGBT.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Capacitancia de puerta a emisor: 0.21 Faradio --> 0.21 Faradio No se requiere conversión
Capacitancia de puerta a colector: 5.55 Faradio --> 5.55 Faradio No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
Cin = C(g-e)+C(g-c) --> 0.21+5.55
Evaluar ... ...
Cin = 5.76
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
5.76 Faradio --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
5.76 Faradio <-- Capacitancia de entrada
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por Mohamed Fazil V
instituto de tecnología acharya (AIT), Bangalore
¡Mohamed Fazil V ha creado esta calculadora y 50+ más calculadoras!
Verifier Image
Verificada por parminder singh
Universidad de Chandigarh (CU), Punjab
¡parminder singh ha verificado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

8 IGBT Calculadoras

Corriente nominal de colector continuo de IGBT
​ Vamos Corriente directa = (-Voltaje total del colector y emisor+sqrt((Voltaje total del colector y emisor)^2+4*Resistencia del colector y del emisor.*((Unión máxima de funcionamiento-Temperatura de la caja)/Resistencia termica)))/(2*Resistencia del colector y del emisor.)
Caída de voltaje en IGBT en estado ON
​ Vamos Caída de voltaje en el escenario = Corriente directa*Resistencia del canal N+Corriente directa*Resistencia a la deriva+Tensión Pn Unión 1
Voltaje de saturación de IGBT
​ Vamos Voltaje de saturación de colector a emisor = Voltaje base del emisor del transistor PNP+Corriente de drenaje*(Resistencia a la conductividad+Resistencia del canal N)
Tiempo de apagado del IGBT
​ Vamos Hora de apagado = Tiempo de retardo+Tiempo de caída inicial+Tiempo de caída final
Capacitancia de entrada de IGBT
​ Vamos Capacitancia de entrada = Capacitancia de puerta a emisor+Capacitancia de puerta a colector
Máxima disipación de potencia en IGBT
​ Vamos Disipación de potencia máxima = Unión máxima de funcionamiento/Ángulo de unión a caja
Corriente del emisor de IGBT
​ Vamos Corriente del emisor = Corriente del agujero+Corriente Electrónica
Tensión de ruptura de polarización directa de IGBT
​ Vamos Tensión de ruptura en el área de operación segura = (5.34*10^13)/((Cargo neto positivo)^(3/4))

Capacitancia de entrada de IGBT Fórmula

Capacitancia de entrada = Capacitancia de puerta a emisor+Capacitancia de puerta a colector
Cin = C(g-e)+C(g-c)
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