Capacité d'entrée de l'IGBT Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Capacité d'entrée = Capacité porte à émetteur+Capacité porte à collecteur
Cin = C(g-e)+C(g-c)
Cette formule utilise 3 Variables
Variables utilisées
Capacité d'entrée - (Mesuré en Farad) - La capacité d'entrée d'un IGBT est la capacité entre les bornes de grille et d'émetteur de l'appareil.
Capacité porte à émetteur - (Mesuré en Farad) - Capacité porte à émetteur (C
Capacité porte à collecteur - (Mesuré en Farad) - La capacité grille-collecteur, également connue sous le nom de capacité Miller, est une capacité parasite qui existe entre les bornes grille et collecteur d'un IGBT.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Capacité porte à émetteur: 0.21 Farad --> 0.21 Farad Aucune conversion requise
Capacité porte à collecteur: 5.55 Farad --> 5.55 Farad Aucune conversion requise
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
Cin = C(g-e)+C(g-c) --> 0.21+5.55
Évaluer ... ...
Cin = 5.76
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
5.76 Farad --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
5.76 Farad <-- Capacité d'entrée
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Mohamed Fazil V
Institut de technologie Acharya (ACI), Bangalore
Mohamed Fazil V a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Parminder Singh
Université de Chandigarh (UC), Pendjab
Parminder Singh a validé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

10+ IGBT Calculatrices

Courant nominal continu du collecteur de l'IGBT
​ Aller Courant direct = (-Tension totale du collecteur et de l'émetteur+sqrt((Tension totale du collecteur et de l'émetteur)^2+4*Résistance du collecteur et de l'émetteur*((Jonction de fonctionnement maximale-Température du boîtier)/Résistance thermique)))/(2*Résistance du collecteur et de l'émetteur)
Tension de saturation de l'IGBT
​ Aller Tension de saturation du collecteur à l'émetteur = Tension de l'émetteur de base du transistor PNP+Courant de vidange*(Résistance à la conductivité+Résistance du canal N)
Chute de tension dans l'IGBT à l'état ON
​ Aller Chute de tension sur scène = Courant direct*Résistance du canal N+Courant direct*Résistance à la dérive+Tension Pn Jonction 1
Tension de claquage de la polarisation inverse de l'IGBT
​ Aller Tension de claquage dans une zone de fonctionnement sûre = 5.34*10^13*((Courant total du collecteur)/(Charge électrique*Tension de saturation P Base))
Temps d'arrêt de l'IGBT
​ Aller Heure d'arrêt = Temporisation+Temps de chute initial+Dernière heure d'automne
Dissipation de puissance maximale dans l'IGBT
​ Aller Dissipation de puissance maximale = Jonction de fonctionnement maximale/Jonction à l'angle du boîtier
Capacité de sortie de l'IGBT
​ Aller Capacité de sortie = Capacité du collecteur à l’émetteur+Capacité porte à collecteur
Tension de claquage de la polarisation directe de l'IGBT
​ Aller Tension de claquage dans une zone de fonctionnement sûre = (5.34*10^13)/((Charge positive nette)^(3/4))
Capacité d'entrée de l'IGBT
​ Aller Capacité d'entrée = Capacité porte à émetteur+Capacité porte à collecteur
Courant émetteur de l'IGBT
​ Aller Courant de l'émetteur = Courant de trou+Courant électronique

Capacité d'entrée de l'IGBT Formule

Capacité d'entrée = Capacité porte à émetteur+Capacité porte à collecteur
Cin = C(g-e)+C(g-c)
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