Calculadora Caída de voltaje en IGBT en estado ON

Caída de voltaje en el escenario = Corriente directa*Resistencia del canal N+Corriente directa*Resistencia a la deriva+Tensión Pn Unión 1
V_drop = I_f*R_ch+I_f*R_d+V_j1
Esta fórmula usa 5 Variables
Caída de voltaje en el escenario - (Medido en Voltio) - La etapa de caída de voltaje en un IGBT es la diferencia de voltaje entre los terminales del colector y del emisor cuando el IGBT está encendido. Es material semiconductor en el dispositivo.
Corriente directa - (Medido en Amperio) - La corriente directa de un IGBT es la corriente máxima que puede fluir a través del dispositivo cuando está encendido.
Resistencia del canal N - (Medido en Ohm) - La resistencia del canal N de un IGBT es la resistencia del material semiconductor en el dispositivo cuando el IGBT está encendido.
Resistencia a la deriva - (Medido en Ohm) - La resistencia a la deriva de un IGBT es la región de deriva N del material semiconductor en el dispositivo. La región de deriva N es un silicio grueso dopado que separa el colector de la región de base P.
Tensión Pn Unión 1 - (Medido en Voltio) - El voltaje Pn en la unión 1 es causado por la barrera de potencial que existe en la unión. Esta barrera potencial se crea por la difusión de portadores de carga a través de la unión.

(Cálculo completado en 00.004 segundos)