✖La concentración del aceptor se refiere a la concentración de átomos dopantes aceptores en un material semiconductor.ⓘ Concentración de aceptor [NA] | | | +10% -10% |
✖El potencial de superficie es un parámetro clave en la evaluación de la propiedad de CC de los transistores de película delgada.ⓘ Potencial de superficie [Φs] | | | +10% -10% |
✖La profundidad de unión se define como la distancia desde la superficie de un material semiconductor hasta el punto donde se produce un cambio significativo en la concentración de átomos dopantes.ⓘ Profundidad de unión [xj] | | | +10% -10% |
✖La capacitancia de óxido por unidad de área se define como la capacitancia por unidad de área de la capa de óxido aislante que separa la puerta metálica del material semiconductor.ⓘ Capacitancia de óxido por unidad de área [Coxide] | | | +10% -10% |
✖La longitud del canal se refiere a la longitud física del material semiconductor entre los terminales de fuente y drenaje dentro de la estructura del transistor.ⓘ Longitud del canal [L] | | | +10% -10% |
✖La profundidad de agotamiento de la unión pn con la fuente se define como la región alrededor de una unión pn donde los portadores de carga se han agotado debido a la formación de un campo eléctrico.ⓘ Profundidad de agotamiento de la unión Pn con fuente [xdS] | | | +10% -10% |
✖La profundidad de agotamiento de la unión Pn con drenaje se define como la extensión de la región de agotamiento hacia el material semiconductor cerca del terminal de drenaje.ⓘ Profundidad de agotamiento de la unión PN con drenaje [xdD] | | | +10% -10% |