Gebrauchte Formel
Reduzierung der Schwellenspannung im kurzen Kanal = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Akzeptorkonzentration*abs(2*Oberflächenpotential))*Verbindungstiefe)/(Oxidkapazität pro Flächeneinheit*2*Kanallänge)*((sqrt(1+(2*Pn-Übergangsverarmungstiefe mit Quelle)/Verbindungstiefe)-1)+(sqrt(1+(2*Erschöpfungstiefe des Pn-Übergangs mit Abfluss)/Verbindungstiefe)-1))ΔVT0 = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*NA*abs(2*Φs))*xj)/(Coxide*2*L)*((sqrt(1+(2*xdS)/xj)-1)+(sqrt(1+(2*xdD)/xj)-1))Diese formel verwendet
3 Konstanten,
2 Funktionen,
8 Variablen Verwendete Konstanten
[Permitivity-silicon] - Permittivität von Silizium Wert genommen als 11.7
[Permitivity-vacuum] - Permittivität des Vakuums Wert genommen als 8.85E-12
[Charge-e] - Ladung eines Elektrons Wert genommen als 1.60217662E-19
Verwendete Funktionen
sqrt - Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt., sqrt(Number)
abs - Der Absolutwert einer Zahl ist ihr Abstand vom Nullpunkt auf der Zahlengeraden. Es ist immer ein positiver Wert, da er die Größe einer Zahl darstellt, ohne deren Richtung zu berücksichtigen., abs(Number)
Verwendete Variablen
Reduzierung der Schwellenspannung im kurzen Kanal -
(Gemessen in Volt) - Unter Kurzkanal-Schwellenspannungsreduzierung versteht man eine Verringerung der Schwellenspannung des MOSFET aufgrund des Kurzkanaleffekts.
Akzeptorkonzentration -
(Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Unter Akzeptorkonzentration versteht man die Konzentration von Akzeptor-Dotierstoffatomen in einem Halbleitermaterial.
Oberflächenpotential -
(Gemessen in Volt) - Das Oberflächenpotential ist ein Schlüsselparameter bei der Bewertung der Gleichstromeigenschaft von Dünnschichttransistoren.
Verbindungstiefe -
(Gemessen in Meter) - Die Übergangstiefe ist definiert als der Abstand von der Oberfläche eines Halbleitermaterials bis zu dem Punkt, an dem eine signifikante Änderung der Konzentration von Dotierstoffatomen auftritt.
Oxidkapazität pro Flächeneinheit -
(Gemessen in Farad pro Quadratmeter) - Die Oxidkapazität pro Flächeneinheit ist definiert als die Kapazität pro Flächeneinheit der isolierenden Oxidschicht, die das Metallgate vom Halbleitermaterial trennt.
Kanallänge -
(Gemessen in Meter) - Die Kanallänge bezieht sich auf die physikalische Länge des Halbleitermaterials zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen innerhalb der Transistorstruktur.
Pn-Übergangsverarmungstiefe mit Quelle -
(Gemessen in Meter) - Die Verarmungstiefe des Pn-Übergangs mit Quelle ist definiert als der Bereich um einen PN-Übergang, in dem Ladungsträger aufgrund der Bildung eines elektrischen Feldes verarmt sind.
Erschöpfungstiefe des Pn-Übergangs mit Abfluss -
(Gemessen in Meter) - Die Verarmungstiefe des Pn-Übergangs mit Drain ist definiert als die Ausdehnung des Verarmungsbereichs in das Halbleitermaterial in der Nähe des Drain-Anschlusses.