✖La concentration d'accepteur fait référence à la concentration d'atomes de dopant accepteur dans un matériau semi-conducteur.ⓘ Concentration d'accepteur [NA] | | | +10% -10% |
✖Le potentiel de surface est un paramètre clé dans l’évaluation de la propriété DC des transistors à couches minces.ⓘ Potentiel des surfaces [Φs] | | | +10% -10% |
✖La profondeur de jonction est définie comme la distance entre la surface d'un matériau semi-conducteur et le point où se produit un changement significatif dans la concentration d'atomes dopants.ⓘ Profondeur de jonction [xj] | | | +10% -10% |
✖La capacité d'oxyde par unité de surface est définie comme la capacité par unité de surface de la couche d'oxyde isolante qui sépare la grille métallique du matériau semi-conducteur.ⓘ Capacité d'oxyde par unité de surface [Coxide] | | | +10% -10% |
✖La longueur du canal fait référence à la longueur physique du matériau semi-conducteur entre les bornes source et drain au sein de la structure du transistor.ⓘ Longueur du canal [L] | | | +10% -10% |
✖La profondeur d'épuisement de la jonction Pn avec source est définie comme la région autour d'une jonction pn où les porteurs de charge ont été épuisés en raison de la formation d'un champ électrique.ⓘ Profondeur d'appauvrissement de la jonction Pn avec source [xdS] | | | +10% -10% |
✖La profondeur d'appauvrissement de la jonction Pn avec drain est définie comme l'extension de la région d'appauvrissement dans le matériau semi-conducteur près de la borne de drain.ⓘ Profondeur d'épuisement de la jonction Pn avec drain [xdD] | | | +10% -10% |