✖La concentrazione dell'accettore si riferisce alla concentrazione degli atomi droganti dell'accettore in un materiale semiconduttore.ⓘ Concentrazione dell'accettore [NA] | | | +10% -10% |
✖Il potenziale superficiale è un parametro chiave nella valutazione delle proprietà CC dei transistor a film sottile.ⓘ Potenziale di superficie [Φs] | | | +10% -10% |
✖La profondità di giunzione è definita come la distanza dalla superficie di un materiale semiconduttore al punto in cui si verifica un cambiamento significativo nella concentrazione degli atomi droganti.ⓘ Profondità di giunzione [xj] | | | +10% -10% |
✖La capacità di ossido per unità di area è definita come la capacità per unità di area dello strato di ossido isolante che separa il gate metallico dal materiale semiconduttore.ⓘ Capacità di ossido per unità di area [Coxide] | | | +10% -10% |
✖La lunghezza del canale si riferisce alla lunghezza fisica del materiale semiconduttore tra i terminali di source e drain all'interno della struttura del transistor.ⓘ Lunghezza del canale [L] | | | +10% -10% |
✖La profondità di esaurimento della giunzione Pn con sorgente è definita come la regione attorno a una giunzione pn in cui i portatori di carica sono stati esauriti a causa della formazione di un campo elettrico.ⓘ Profondità di svuotamento della giunzione Pn con sorgente [xdS] | | | +10% -10% |
✖La profondità di svuotamento della giunzione Pn con drenaggio è definita come l'estensione della regione di svuotamento nel materiale semiconduttore vicino al terminale di drenaggio.ⓘ Profondità di svuotamento della giunzione Pn con drenaggio [xdD] | | | +10% -10% |