Redução de tensão limite de canal curto VLSI Calculadora

Redução de tensão limite de canal curto = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Concentração do aceitante*abs(2*Potencial de Superfície))*Profundidade da Junção)/(Capacitância de Óxido por Unidade de Área*2*Comprimento do canal)*((sqrt(1+(2*Profundidade de esgotamento da junção Pn com fonte)/Profundidade da Junção)-1)+(sqrt(1+(2*Profundidade de esgotamento da junção Pn com dreno)/Profundidade da Junção)-1))
ΔV_T0 = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*N_A*abs(2*Φ_s))*x_j)/(C_oxide*2*L)*((sqrt(1+(2*x_dS)/x_j)-1)+(sqrt(1+(2*x_dD)/x_j)-1))
Esta fórmula usa 3 Constantes, 2 Funções, 8 Variáveis
[Permitivity-silicon] - Permissividade do silício Valor considerado como 11.7
[Permitivity-vacuum] - Permissividade do vácuo Valor considerado como 8.85E-12
[Charge-e] - Carga do elétron Valor considerado como 1.60217662E-19sqrt - Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido., sqrt(Number)
abs - O valor absoluto de um número é sua distância do zero na reta numérica. É sempre um valor positivo, pois representa a magnitude de um número sem considerar sua direção., abs(Number)Redução de tensão limite de canal curto - (Medido em Volt) - A redução da tensão limite de canal curto é definida como uma redução na tensão limite do MOSFET devido ao efeito de canal curto.
Concentração do aceitante - (Medido em 1 por metro cúbico) - Concentração do aceitador refere-se à concentração de átomos dopantes aceitadores em um material semicondutor.
Potencial de Superfície - (Medido em Volt) - O potencial de superfície é um parâmetro chave na avaliação da propriedade DC de transistores de filme fino.
Profundidade da Junção - (Medido em Metro) - A profundidade da junção é definida como a distância da superfície de um material semicondutor até o ponto onde ocorre uma mudança significativa na concentração de átomos dopantes.
Capacitância de Óxido por Unidade de Área - (Medido em Farad por metro quadrado) - A capacitância de óxido por unidade de área é definida como a capacitância por unidade de área da camada isolante de óxido que separa a porta de metal do material semicondutor.
Comprimento do canal - (Medido em Metro) - Comprimento do canal refere-se ao comprimento físico do material semicondutor entre os terminais de fonte e dreno dentro da estrutura do transistor.
Profundidade de esgotamento da junção Pn com fonte - (Medido em Metro) - A profundidade de esgotamento da junção Pn com a fonte é definida como a região ao redor de uma junção pn onde os portadores de carga foram esgotados devido à formação de um campo elétrico.
Profundidade de esgotamento da junção Pn com dreno - (Medido em Metro) - A profundidade de esgotamento da junção Pn com dreno é definida como a extensão da região de esgotamento no material semicondutor próximo ao terminal de dreno.

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)