Calculadora Concentración de equilibrio térmico del portador de carga minoritaria

✖La densidad de portadores intrínsecos es el número de electrones en la banda de conducción o el número de huecos en la banda de valencia en el material intrínseco.ⓘ Densidad de portador intrínseco [n_i]			+10% -10%
✖La concentración de dopaje de la base es el número de impurezas añadidas a la base.ⓘ Dopaje Concentración de Base [N_B]			+10% -10%

✖La concentración de equilibrio térmico se define como la concentración de portadores en un amplificador.ⓘ Concentración de equilibrio térmico del portador de carga minoritaria [n_po]

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Fórmula

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Concentración de equilibrio térmico del portador de carga minoritaria

Fórmula

`"n"_{"po"} = (("n"_{"i"})^2)/"N"_{"B"}`

Ejemplo

`"1.1E^18/m³"=(("4.5E^9/m³")^2)/"19/m³"`

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Concentración de equilibrio térmico del portador de carga minoritaria Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Concentración de equilibrio térmico = ((Densidad de portador intrínseco)^2)/Dopaje Concentración de Base
n_po = ((n_i)^2)/N_B
Esta fórmula usa 3 Variables

Variables utilizadas

Concentración de equilibrio térmico - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración de equilibrio térmico se define como la concentración de portadores en un amplificador.
Densidad de portador intrínseco - (Medido en 1 por metro cúbico) - La densidad de portadores intrínsecos es el número de electrones en la banda de conducción o el número de huecos en la banda de valencia en el material intrínseco.
Dopaje Concentración de Base - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración de dopaje de la base es el número de impurezas añadidas a la base.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Densidad de portador intrínseco: 4500000000 1 por metro cúbico --> 4500000000 1 por metro cúbico No se requiere conversión
Dopaje Concentración de Base: 19 1 por metro cúbico --> 19 1 por metro cúbico No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

n_po = ((n_i)^2)/N_B --> ((4500000000)^2)/19

Evaluar ... ...

n_po = 1.06578947368421E+18

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

1.06578947368421E+18 1 por metro cúbico --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

1.06578947368421E+18 ≈ 1.1E+18 1 por metro cúbico <-- Concentración de equilibrio térmico

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Payal Priya

Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri

¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

< 10+ Efectos capacitivos internos y modelo de alta frecuencia Calculadoras

Capacitancia de la unión de la base del colector

Vamos Capacitancia de la unión de la base del colector = Capacitancia de unión colector-base a voltaje 0/(1+(Voltaje de polarización inversa/Voltaje incorporado))^Coeficiente de calificación

Frecuencia de transición de BJT

Vamos Frecuencia de transición = Transconductancia/(2*pi*(Capacitancia base-emisor+Capacitancia de la unión de la base del colector))

Ancho de banda de ganancia unitaria de BJT

Vamos Ancho de banda de ganancia unitaria = Transconductancia/(Capacitancia base-emisor+Capacitancia de la unión de la base del colector)

Concentración de electrones inyectados desde el emisor a la base

Vamos Concentración de e- Inyectado de Emisor a Base = Concentración de equilibrio térmico*e^(Voltaje base-emisor/Voltaje Térmico)

Capacitancia de difusión de señal pequeña de BJT

Vamos Capacitancia base-emisor = Constante del dispositivo*(Colector de corriente/Voltaje de umbral)

Concentración de equilibrio térmico del portador de carga minoritaria

Vamos Concentración de equilibrio térmico = ((Densidad de portador intrínseco)^2)/Dopaje Concentración de Base

Carga de electrones almacenados en la base de BJT

Vamos Carga de electrones almacenada = Constante del dispositivo*Colector de corriente

Capacitancia de difusión de señal pequeña

Vamos Capacitancia base-emisor = Constante del dispositivo*Transconductancia

Frecuencia de transición de BJT dado dispositivo constante

Vamos Frecuencia de transición = 1/(2*pi*Constante del dispositivo)

Capacitancia de unión base-emisor

Vamos Capacitancia de unión base-emisor = 2*Capacitancia base-emisor

< 20 Circuito BJT Calculadoras

Frecuencia de transición de BJT

Vamos Frecuencia de transición = Transconductancia/(2*pi*(Capacitancia base-emisor+Capacitancia de la unión de la base del colector))

Corriente base del transistor PNP usando corriente de saturación

Vamos corriente básica = (Corriente de saturación/Ganancia de corriente de emisor común)*e^(Voltaje base-emisor/Voltaje Térmico)

Ancho de banda de ganancia unitaria de BJT

Vamos Ancho de banda de ganancia unitaria = Transconductancia/(Capacitancia base-emisor+Capacitancia de la unión de la base del colector)

Potencia total disipada en BJT

Vamos Fuerza = Tensión colector-emisor*Colector de corriente+Voltaje base-emisor*corriente básica

Corriente de referencia del espejo BJT

Vamos Corriente de referencia = Colector de corriente+(2*Colector de corriente)/Ganancia de corriente de emisor común

Relación de rechazo de modo común

Vamos Tasa de rechazo de modo común = 20*log10(Ganancia de modo diferencial/Ganancia de modo común)

Ganancia de corriente de base común

Vamos Ganancia de corriente de base común = Ganancia de corriente de emisor común/(Ganancia de corriente de emisor común+1)

Voltaje de salida del amplificador BJT

Vamos Tensión de salida = Voltaje de suministro-Corriente de drenaje*Resistencia de carga

Resistencia de salida de BJT

Vamos Resistencia = (Voltaje de suministro+Tensión colector-emisor)/Colector de corriente

Potencia total suministrada en BJT

Vamos Fuerza = Voltaje de suministro*(Colector de corriente+Corriente de entrada)

Concentración de equilibrio térmico del portador de carga minoritaria

Vamos Concentración de equilibrio térmico = ((Densidad de portador intrínseco)^2)/Dopaje Concentración de Base

Corriente base del transistor PNP dada la corriente del emisor

Vamos corriente básica = Corriente del emisor/(Ganancia de corriente de emisor común+1)

Corriente de colector usando corriente de emisor

Vamos Colector de corriente = Ganancia de corriente de base común*Corriente del emisor

Corriente de base del transistor PNP usando ganancia de corriente de base común

Vamos corriente básica = (1-Ganancia de corriente de base común)*Corriente del emisor

Corriente base del transistor PNP usando corriente de colector

Vamos corriente básica = Colector de corriente/Ganancia de corriente de emisor común

Voltaje de colector a emisor en saturación

Vamos Tensión colector-emisor = Voltaje base-emisor-Voltaje base-colector

Colector de corriente de BJT

Vamos Colector de corriente = Corriente del emisor-corriente básica

Emisor de corriente de BJT

Vamos Corriente del emisor = Colector de corriente+corriente básica

Transconductancia de cortocircuito

Vamos Transconductancia = Corriente de salida/Voltaje de entrada

Ganancia intrínseca de BJT

Vamos Ganancia intrínseca = Voltaje temprano/Voltaje Térmico

Concentración de equilibrio térmico del portador de carga minoritaria Fórmula

Concentración de equilibrio térmico = ((Densidad de portador intrínseco)^2)/Dopaje Concentración de Base
n_po = ((n_i)^2)/N_B

¿Qué es la concentración de portadores en equilibrio térmico?

El número de portadores en la banda de conducción y de valencia sin polarización aplicada externamente se denomina concentración de portadores de equilibrio. Para los portadores mayoritarios, la concentración de portadores de equilibrio es igual a la concentración de portadores intrínseca más el número de portadores libres añadidos dopando el semiconductor.

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