Concentration d'équilibre thermique du porteur de charge minoritaire Calculatrice

✖La densité de porteurs intrinsèques est le nombre d'électrons dans la bande de conduction ou le nombre de trous dans la bande de valence dans le matériau intrinsèque.ⓘ Densité porteuse intrinsèque [n_i]			+10% -10%
✖La concentration de dopage de la base est le nombre d'impuretés ajoutées à la base.ⓘ Concentration de dopage de la base [N_B]			+10% -10%

✖La concentration d'équilibre thermique est définie comme la concentration de porteurs dans un amplificateur.ⓘ Concentration d'équilibre thermique du porteur de charge minoritaire [n_po]

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Formule

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Concentration d'équilibre thermique du porteur de charge minoritaire

Formule

`"n"_{"po"} = (("n"_{"i"})^2)/"N"_{"B"}`

Exemple

`"1.1E^18/m³"=(("4.5E^9/m³")^2)/"19/m³"`

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Concentration d'équilibre thermique du porteur de charge minoritaire Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Concentration d'équilibre thermique = ((Densité porteuse intrinsèque)^2)/Concentration de dopage de la base
n_po = ((n_i)^2)/N_B
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Concentration d'équilibre thermique - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration d'équilibre thermique est définie comme la concentration de porteurs dans un amplificateur.
Densité porteuse intrinsèque - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La densité de porteurs intrinsèques est le nombre d'électrons dans la bande de conduction ou le nombre de trous dans la bande de valence dans le matériau intrinsèque.
Concentration de dopage de la base - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration de dopage de la base est le nombre d'impuretés ajoutées à la base.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Densité porteuse intrinsèque: 4500000000 1 par mètre cube --> 4500000000 1 par mètre cube Aucune conversion requise
Concentration de dopage de la base: 19 1 par mètre cube --> 19 1 par mètre cube Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

n_po = ((n_i)^2)/N_B --> ((4500000000)^2)/19

Évaluer ... ...

n_po = 1.06578947368421E+18

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

1.06578947368421E+18 1 par mètre cube --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

1.06578947368421E+18 ≈ 1.1E+18 1 par mètre cube <-- Concentration d'équilibre thermique

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Accueil » Ingénierie » Électronique » BJT » Électronique analogique » Effets capacitifs internes et modèle haute fréquence » Concentration d'équilibre thermique du porteur de charge minoritaire

Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 10+ Effets capacitifs internes et modèle haute fréquence Calculatrices

Capacité de jonction collecteur-base

Aller Capacité de jonction collecteur-base = Capacité de jonction collecteur-base à 0 tension/(1+(Tension de polarisation inverse/Tension intégrée))^Coefficient de classement

Fréquence de transition du BJT

Aller Fréquence de transition = Transconductance/(2*pi*(Capacité émetteur-base+Capacité de jonction collecteur-base))

Concentration d'électrons injectés de l'émetteur à la base

Aller Concentration d'e-injecté de l'émetteur à la base = Concentration d'équilibre thermique*e^(Tension base-émetteur/Tension thermique)

Bande passante à gain unitaire de BJT

Aller Bande passante à gain unitaire = Transconductance/(Capacité émetteur-base+Capacité de jonction collecteur-base)

Capacité de diffusion de petit signal de BJT

Aller Capacité émetteur-base = Constante de l'appareil*(Courant de collecteur/Tension de seuil)

Concentration d'équilibre thermique du porteur de charge minoritaire

Aller Concentration d'équilibre thermique = ((Densité porteuse intrinsèque)^2)/Concentration de dopage de la base

Charge d'électrons stockée dans la base de BJT

Aller Charge d'électrons stockée = Constante de l'appareil*Courant de collecteur

Capacité de diffusion de petits signaux

Aller Capacité émetteur-base = Constante de l'appareil*Transconductance

Fréquence de transition du BJT donné Constante de l'appareil

Aller Fréquence de transition = 1/(2*pi*Constante de l'appareil)

Capacité de jonction base-émetteur

Aller Capacité de jonction base-émetteur = 2*Capacité émetteur-base

< 20 Circuit BJT Calculatrices

Courant de base du transistor PNP utilisant le courant de saturation

Aller Courant de base = (Courant de saturation/Gain de courant de l'émetteur commun)*e^(Tension base-émetteur/Tension thermique)

Fréquence de transition du BJT

Aller Fréquence de transition = Transconductance/(2*pi*(Capacité émetteur-base+Capacité de jonction collecteur-base))

Puissance totale dissipée en BJT

Aller Pouvoir = Tension collecteur-émetteur*Courant de collecteur+Tension base-émetteur*Courant de base

Bande passante à gain unitaire de BJT

Aller Bande passante à gain unitaire = Transconductance/(Capacité émetteur-base+Capacité de jonction collecteur-base)

Courant de référence du miroir BJT

Aller Courant de référence = Courant de collecteur+(2*Courant de collecteur)/Gain de courant de l'émetteur commun

Mode commun Taux de réjection

Aller Mode commun Taux de réjection = 20*log10(Gain en mode différentiel/Gain en mode commun)

Résistance de sortie de BJT

Aller Résistance = (Tension d'alimentation+Tension collecteur-émetteur)/Courant de collecteur

Tension de sortie de l'amplificateur BJT

Aller Tension de sortie = Tension d'alimentation-Courant de vidange*Résistance de charge

Gain de courant de base commune

Aller Gain de courant de base commune = Gain de courant de l'émetteur commun/(Gain de courant de l'émetteur commun+1)

Concentration d'équilibre thermique du porteur de charge minoritaire

Aller Concentration d'équilibre thermique = ((Densité porteuse intrinsèque)^2)/Concentration de dopage de la base

Puissance totale fournie en BJT

Aller Pouvoir = Tension d'alimentation*(Courant de collecteur+Courant d'entrée)

Courant de base du transistor PNP donné Courant de l'émetteur

Aller Courant de base = Courant de l'émetteur/(Gain de courant de l'émetteur commun+1)

Courant de collecteur utilisant le courant d'émetteur

Aller Courant de collecteur = Gain de courant de base commune*Courant de l'émetteur

Courant de base du transistor PNP utilisant le courant de collecteur

Aller Courant de base = Courant de collecteur/Gain de courant de l'émetteur commun

Courant de base du transistor PNP utilisant le gain de courant de base commun

Aller Courant de base = (1-Gain de courant de base commune)*Courant de l'émetteur

Tension du collecteur à l'émetteur à saturation

Aller Tension collecteur-émetteur = Tension base-émetteur-Tension base-collecteur

Courant de collecteur de BJT

Aller Courant de collecteur = Courant de l'émetteur-Courant de base

Courant d'émetteur de BJT

Aller Courant de l'émetteur = Courant de collecteur+Courant de base

Transconductance de court-circuit

Aller Transconductance = Courant de sortie/Tension d'entrée

Gain intrinsèque de BJT

Aller Gain intrinsèque = Tension précoce/Tension thermique

Concentration d'équilibre thermique du porteur de charge minoritaire Formule

Concentration d'équilibre thermique = ((Densité porteuse intrinsèque)^2)/Concentration de dopage de la base
n_po = ((n_i)^2)/N_B

Qu'est-ce que la concentration de porteurs à l'équilibre thermique?

Le nombre de porteurs dans la bande de conduction et de valence sans biais appliqué de l'extérieur est appelé concentration de porteurs à l'équilibre. Pour les porteurs majoritaires, la concentration d'équilibre des porteurs est égale à la concentration intrinsèque des porteurs plus le nombre de porteurs libres ajoutés par dopage du semi-conducteur.

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