Тепловая равновесная концентрация неосновных носителей заряда Калькулятор

✖Внутренняя плотность носителей — это количество электронов в зоне проводимости или количество дырок в валентной зоне собственного материала.ⓘ Внутренняя плотность несущей [n_i]			+10% -10%
✖Концентрация легирования основания представляет собой количество примесей, добавленных к основанию.ⓘ Легирующая концентрация основания [N_B]			+10% -10%

✖Концентрация теплового равновесия определяется как концентрация носителей в усилителе.ⓘ Тепловая равновесная концентрация неосновных носителей заряда [n_po]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Тепловая равновесная концентрация неосновных носителей заряда

Формула

`"n"_{"po"} = (("n"_{"i"})^2)/"N"_{"B"}`

Пример

`"1.1E^18/m³"=(("4.5E^9/m³")^2)/"19/m³"`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать БЮТ формула PDF

Тепловая равновесная концентрация неосновных носителей заряда Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Тепловая равновесная концентрация = ((Внутренняя плотность несущей)^2)/Легирующая концентрация основания
n_po = ((n_i)^2)/N_B
В этой формуле используются 3 Переменные

Используемые переменные

Тепловая равновесная концентрация - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Концентрация теплового равновесия определяется как концентрация носителей в усилителе.
Внутренняя плотность несущей - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Внутренняя плотность носителей — это количество электронов в зоне проводимости или количество дырок в валентной зоне собственного материала.
Легирующая концентрация основания - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Концентрация легирования основания представляет собой количество примесей, добавленных к основанию.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Внутренняя плотность несущей: 4500000000 1 на кубический метр --> 4500000000 1 на кубический метр Конверсия не требуется
Легирующая концентрация основания: 19 1 на кубический метр --> 19 1 на кубический метр Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

n_po = ((n_i)^2)/N_B --> ((4500000000)^2)/19

Оценка ... ...

n_po = 1.06578947368421E+18

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

1.06578947368421E+18 1 на кубический метр --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

1.06578947368421E+18 ≈ 1.1E+18 1 на кубический метр <-- Тепловая равновесная концентрация

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » БЮТ » Аналоговая электроника » Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модель » Тепловая равновесная концентрация неосновных носителей заряда

Кредиты

Сделано Паял Прия

Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри

Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!

Проверено Урви Ратод

Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад

Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

< 10+ Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модель Калькуляторы

Емкость перехода коллектор-база

Идти Емкость перехода коллектор-база = Емкость перехода коллектор-база при нулевом напряжении/(1+(Напряжение обратного смещения/Встроенное напряжение))^Коэффициент оценки

Концентрация электронов, инжектированных из эмиттера в базу

Идти Концентрация электронной инжекции от эмиттера к базе = Тепловая равновесная концентрация*e^(Напряжение база-эмиттер/Тепловое напряжение)

Частота перехода BJT

Идти Частота перехода = крутизна/(2*pi*(Емкость эмиттер-база+Емкость перехода коллектор-база))

Пропускная способность Unity-Gain BJT

Идти Единство усиления пропускной способности = крутизна/(Емкость эмиттер-база+Емкость перехода коллектор-база)

Диффузионная емкость слабого сигнала BJT

Идти Емкость эмиттер-база = Константа устройства*(Коллекторный ток/Пороговое напряжение)

Тепловая равновесная концентрация неосновных носителей заряда

Идти Тепловая равновесная концентрация = ((Внутренняя плотность несущей)^2)/Легирующая концентрация основания

Сохраненный электронный заряд в базе BJT

Идти Сохраненный электронный заряд = Константа устройства*Коллекторный ток

Диффузионная емкость слабого сигнала

Идти Емкость эмиттер-база = Константа устройства*крутизна

Частота перехода BJT с заданной константой устройства

Идти Частота перехода = 1/(2*pi*Константа устройства)

Емкость перехода база-эмиттер

Идти Емкость перехода база-эмиттер = 2*Емкость эмиттер-база

< 20 Схема БЮТ Калькуляторы

Базовый ток транзистора PNP с использованием тока насыщения

Идти Базовый ток = (Ток насыщения/Коэффициент усиления по току с общим эмиттером)*e^(Напряжение база-эмиттер/Тепловое напряжение)

Частота перехода BJT

Идти Частота перехода = крутизна/(2*pi*(Емкость эмиттер-база+Емкость перехода коллектор-база))

Суммарная мощность, рассеиваемая в BJT

Идти Власть = Напряжение коллектор-эмиттер*Коллекторный ток+Напряжение база-эмиттер*Базовый ток

Коэффициент подавления синфазного сигнала

Идти Коэффициент подавления синфазного сигнала = 20*log10(Усиление дифференциального режима/Усиление синфазного сигнала)

Коэффициент усиления по току с общей базой

Идти Коэффициент усиления по току с общей базой = Коэффициент усиления по току с общим эмиттером/(Коэффициент усиления по току с общим эмиттером+1)

Пропускная способность Unity-Gain BJT

Справочный ток зеркала BJT

Идти Опорный ток = Коллекторный ток+(2*Коллекторный ток)/Коэффициент усиления по току с общим эмиттером

Выходное сопротивление BJT

Идти Сопротивление = (Напряжение питания+Напряжение коллектор-эмиттер)/Коллекторный ток

Тепловая равновесная концентрация неосновных носителей заряда

Выходное напряжение усилителя BJT

Идти Выходное напряжение = Напряжение питания-Ток стока*Сопротивление нагрузки

Общая потребляемая мощность в BJT

Идти Власть = Напряжение питания*(Коллекторный ток+Входной ток)

Напряжение между коллектором и эмиттером при насыщении

Идти Напряжение коллектор-эмиттер = Напряжение база-эмиттер-Напряжение база-коллектор

Базовый ток транзистора PNP с использованием тока коллектора

Идти Базовый ток = Коллекторный ток/Коэффициент усиления по току с общим эмиттером

Базовый ток транзистора PNP при заданном токе эмиттера

Идти Базовый ток = Ток эмиттера/(Коэффициент усиления по току с общим эмиттером+1)

Ток коллектора с использованием тока эмиттера

Идти Коллекторный ток = Коэффициент усиления по току с общей базой*Ток эмиттера

Базовый ток PNP-транзистора с использованием коэффициента усиления по току с общей базой

Идти Базовый ток = (1-Коэффициент усиления по току с общей базой)*Ток эмиттера

Внутреннее усиление BJT

Идти Внутреннее усиление = Раннее напряжение/Тепловое напряжение

Ток коллектора BJT

Идти Коллекторный ток = Ток эмиттера-Базовый ток

Ток эмиттера BJT

Идти Ток эмиттера = Коллекторный ток+Базовый ток

Крутизна короткого замыкания

Идти крутизна = Выходной ток/Входное напряжение

Тепловая равновесная концентрация неосновных носителей заряда формула

Тепловая равновесная концентрация = ((Внутренняя плотность несущей)^2)/Легирующая концентрация основания
n_po = ((n_i)^2)/N_B

Что такое тепловая равновесная концентрация носителей?

Количество носителей в зоне проводимости и валентной зоне без внешнего смещения называется равновесной концентрацией носителей. Для большинства носителей заряда равновесная концентрация носителей равна собственной концентрации носителей плюс количество свободных носителей, добавленных путем легирования полупроводника.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!