Concentrazione di equilibrio termico di portatori di carica minoritari calcolatrice

✖La densità portante intrinseca è il numero di elettroni nella banda di conduzione o il numero di lacune nella banda di valenza nel materiale intrinseco.ⓘ Densità portante intrinseca [n_i]			+10% -10%
✖La concentrazione di drogaggio della base è il numero di impurità aggiunte alla base.ⓘ Concentrazione drogante della base [N_B]			+10% -10%

✖La concentrazione di equilibrio termico è definita come la concentrazione di portatori in un amplificatore.ⓘ Concentrazione di equilibrio termico di portatori di carica minoritari [n_po]

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Formula

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Concentrazione di equilibrio termico di portatori di carica minoritari

Formula

`"n"_{"po"} = (("n"_{"i"})^2)/"N"_{"B"}`

Esempio

`"1.1E^18/m³"=(("4.5E^9/m³")^2)/"19/m³"`

Calcolatrice

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Concentrazione di equilibrio termico di portatori di carica minoritari Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Concentrazione di equilibrio termico = ((Densità portante intrinseca)^2)/Concentrazione drogante della base
n_po = ((n_i)^2)/N_B
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Concentrazione di equilibrio termico - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione di equilibrio termico è definita come la concentrazione di portatori in un amplificatore.
Densità portante intrinseca - (Misurato in 1 per metro cubo) - La densità portante intrinseca è il numero di elettroni nella banda di conduzione o il numero di lacune nella banda di valenza nel materiale intrinseco.
Concentrazione drogante della base - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione di drogaggio della base è il numero di impurità aggiunte alla base.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Densità portante intrinseca: 4500000000 1 per metro cubo --> 4500000000 1 per metro cubo Nessuna conversione richiesta
Concentrazione drogante della base: 19 1 per metro cubo --> 19 1 per metro cubo Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

n_po = ((n_i)^2)/N_B --> ((4500000000)^2)/19

Valutare ... ...

n_po = 1.06578947368421E+18

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

1.06578947368421E+18 1 per metro cubo --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

1.06578947368421E+18 ≈ 1.1E+18 1 per metro cubo <-- Concentrazione di equilibrio termico

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 10+ Effetti capacitivi interni e modello ad alta frequenza Calcolatrici

Capacità di giunzione collettore-base

Partire Capacità di giunzione collettore-base = Capacità di giunzione collettore-base a tensione 0/(1+(Tensione di polarizzazione inversa/Tensione incorporata))^Coefficiente di classificazione

Frequenza di transizione di BJT

Partire Frequenza di transizione = Transconduttanza/(2*pi*(Capacità di base dell'emettitore+Capacità di giunzione collettore-base))

Concentrazione di elettroni iniettati dall'emettitore alla base

Partire Concentrazione di e-iniettata dall'emettitore alla base = Concentrazione di equilibrio termico*e^(Tensione base-emettitore/Tensione termica)

Larghezza di banda a guadagno unitario di BJT

Partire Larghezza di banda con guadagno unitario = Transconduttanza/(Capacità di base dell'emettitore+Capacità di giunzione collettore-base)

Capacità di diffusione di piccoli segnali di BJT

Partire Capacità di base dell'emettitore = Dispositivo costante*(Corrente del collettore/Soglia di voltaggio)

Concentrazione di equilibrio termico di portatori di carica minoritari

Partire Concentrazione di equilibrio termico = ((Densità portante intrinseca)^2)/Concentrazione drogante della base

Carica elettronica immagazzinata nella base di BJT

Partire Carica elettronica immagazzinata = Dispositivo costante*Corrente del collettore

Capacità di diffusione di piccoli segnali

Partire Capacità di base dell'emettitore = Dispositivo costante*Transconduttanza

Frequenza di transizione di BJT data la costante del dispositivo

Partire Frequenza di transizione = 1/(2*pi*Dispositivo costante)

Capacità di giunzione base-emettitore

Partire Capacità di giunzione base-emettitore = 2*Capacità di base dell'emettitore

< 20 Circuito BJT Calcolatrici

Corrente di base del transistor PNP utilizzando la corrente di saturazione

Partire Corrente di base = (Corrente di saturazione/Guadagno di corrente dell'emettitore comune)*e^(Tensione base-emettitore/Tensione termica)

Frequenza di transizione di BJT

Partire Frequenza di transizione = Transconduttanza/(2*pi*(Capacità di base dell'emettitore+Capacità di giunzione collettore-base))

Potenza totale dissipata in BJT

Partire Energia = Tensione collettore-emettitore*Corrente del collettore+Tensione base-emettitore*Corrente di base

Larghezza di banda a guadagno unitario di BJT

Partire Larghezza di banda con guadagno unitario = Transconduttanza/(Capacità di base dell'emettitore+Capacità di giunzione collettore-base)

Corrente di riferimento dello specchio BJT

Partire Corrente di riferimento = Corrente del collettore+(2*Corrente del collettore)/Guadagno di corrente dell'emettitore comune

Rapporto di reiezione di modo comune

Partire Rapporto di reiezione di modo comune = 20*log10(Guadagno in modalità differenziale/Guadagno di modo comune)

Guadagno di corrente a base comune

Partire Guadagno di corrente a base comune = Guadagno di corrente dell'emettitore comune/(Guadagno di corrente dell'emettitore comune+1)

Resistenza di uscita di BJT

Partire Resistenza = (Tensione di alimentazione+Tensione collettore-emettitore)/Corrente del collettore

Tensione di uscita dell'amplificatore BJT

Partire Tensione di uscita = Tensione di alimentazione-Assorbimento di corrente*Resistenza al carico

Potenza totale fornita in BJT

Partire Energia = Tensione di alimentazione*(Corrente del collettore+Corrente di ingresso)

Concentrazione di equilibrio termico di portatori di carica minoritari

Partire Concentrazione di equilibrio termico = ((Densità portante intrinseca)^2)/Concentrazione drogante della base

Corrente di base del transistor PNP data la corrente dell'emettitore

Partire Corrente di base = Corrente dell'emettitore/(Guadagno di corrente dell'emettitore comune+1)

Corrente di base del transistor PNP utilizzando la corrente del collettore

Partire Corrente di base = Corrente del collettore/Guadagno di corrente dell'emettitore comune

Corrente del collettore usando la corrente dell'emettitore

Partire Corrente del collettore = Guadagno di corrente a base comune*Corrente dell'emettitore

Corrente di base del transistor PNP utilizzando il guadagno di corrente di base comune

Partire Corrente di base = (1-Guadagno di corrente a base comune)*Corrente dell'emettitore

Tensione collettore-emettitore alla saturazione

Partire Tensione collettore-emettitore = Tensione base-emettitore-Tensione base-collettore

Corrente del collettore di BJT

Partire Corrente del collettore = Corrente dell'emettitore-Corrente di base

Corrente di emettitore di BJT

Partire Corrente dell'emettitore = Corrente del collettore+Corrente di base

Transconduttanza di cortocircuito

Partire Transconduttanza = Corrente di uscita/Tensione di ingresso

Guadagno intrinseco di BJT

Partire Guadagno intrinseco = Tensione iniziale/Tensione termica

Concentrazione di equilibrio termico di portatori di carica minoritari Formula

Concentrazione di equilibrio termico = ((Densità portante intrinseca)^2)/Concentrazione drogante della base
n_po = ((n_i)^2)/N_B

Qual è la concentrazione del portatore di equilibrio termico?

Il numero di portatori nella banda di conduzione e di valenza senza bias applicato esternamente è chiamato concentrazione del portatore di equilibrio. Per i portatori maggioritari, la concentrazione del portatore di equilibrio è uguale alla concentrazione del portatore intrinseco più il numero di portatori liberi aggiunti drogando il semiconduttore.

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