Thermische Gleichgewichtskonzentration des Minoritätsladungsträgers Taschenrechner

✖Die intrinsische Ladungsträgerdichte ist die Anzahl der Elektronen im Leitungsband oder die Anzahl der Löcher im Valenzband in intrinsischem Material.ⓘ Intrinsische Trägerdichte [n_i]			+10% -10%
✖Die Dotierungskonzentration der Base ist die Anzahl der Verunreinigungen, die der Base hinzugefügt werden.ⓘ Dopingkonzentration der Base [N_B]			+10% -10%

✖Die thermische Gleichgewichtskonzentration ist als die Konzentration von Trägern in einem Verstärker definiert.ⓘ Thermische Gleichgewichtskonzentration des Minoritätsladungsträgers [n_po]

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Formel

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Thermische Gleichgewichtskonzentration des Minoritätsladungsträgers

Formel

`"n"_{"po"} = (("n"_{"i"})^2)/"N"_{"B"}`

Beispiel

`"1.1E^18/m³"=(("4.5E^9/m³")^2)/"19/m³"`

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Thermische Gleichgewichtskonzentration des Minoritätsladungsträgers Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Thermische Gleichgewichtskonzentration = ((Intrinsische Trägerdichte)^2)/Dopingkonzentration der Base
n_po = ((n_i)^2)/N_B
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Thermische Gleichgewichtskonzentration - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die thermische Gleichgewichtskonzentration ist als die Konzentration von Trägern in einem Verstärker definiert.
Intrinsische Trägerdichte - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die intrinsische Ladungsträgerdichte ist die Anzahl der Elektronen im Leitungsband oder die Anzahl der Löcher im Valenzband in intrinsischem Material.
Dopingkonzentration der Base - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die Dotierungskonzentration der Base ist die Anzahl der Verunreinigungen, die der Base hinzugefügt werden.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Intrinsische Trägerdichte: 4500000000 1 pro Kubikmeter --> 4500000000 1 pro Kubikmeter Keine Konvertierung erforderlich
Dopingkonzentration der Base: 19 1 pro Kubikmeter --> 19 1 pro Kubikmeter Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

n_po = ((n_i)^2)/N_B --> ((4500000000)^2)/19

Auswerten ... ...

n_po = 1.06578947368421E+18

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

1.06578947368421E+18 1 pro Kubikmeter --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

1.06578947368421E+18 ≈ 1.1E+18 1 pro Kubikmeter <-- Thermische Gleichgewichtskonzentration

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< 10+ Interne kapazitive Effekte und Hochfrequenzmodell Taschenrechner

Kollektor-Basis-Übergangskapazität

Gehen Kollektor-Basis-Übergangskapazität = Kollektor-Basis-Übergangskapazität bei 0 Spannung/(1+(Sperrvorspannung/Eingebaute Spannung))^Bewertungskoeffizient

Konzentration der vom Emitter zur Basis injizierten Elektronen

Gehen Konzentration von E-Injected vom Emitter zur Basis = Thermische Gleichgewichtskonzentration*e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung)

Übergangsfrequenz von BJT

Gehen Übergangsfrequenz = Steilheit/(2*pi*(Emitter-Basis-Kapazität+Kollektor-Basis-Übergangskapazität))

Unity-Gain-Bandbreite von BJT

Gehen Unity-Gain-Bandbreite = Steilheit/(Emitter-Basis-Kapazität+Kollektor-Basis-Übergangskapazität)

Kleinsignal-Diffusionskapazität von BJT

Gehen Emitter-Basis-Kapazität = Gerätekonstante*(Kollektorstrom/Grenzspannung)

Thermische Gleichgewichtskonzentration des Minoritätsladungsträgers

Gehen Thermische Gleichgewichtskonzentration = ((Intrinsische Trägerdichte)^2)/Dopingkonzentration der Base

Gespeicherte Elektronenladung in der Basis von BJT

Gehen Gespeicherte Elektronenladung = Gerätekonstante*Kollektorstrom

Kleinsignal-Diffusionskapazität

Gehen Emitter-Basis-Kapazität = Gerätekonstante*Steilheit

Übergangsfrequenz von BJT bei gegebener Gerätekonstante

Gehen Übergangsfrequenz = 1/(2*pi*Gerätekonstante)

Basis-Emitter-Übergangskapazität

Gehen Basis-Emitter-Übergangskapazität = 2*Emitter-Basis-Kapazität

< 20 BJT-Schaltung Taschenrechner

Basisstrom des PNP-Transistors unter Verwendung des Sättigungsstroms

Gehen Basisstrom = (Sättigungsstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)*e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung)

Übergangsfrequenz von BJT

Gehen Übergangsfrequenz = Steilheit/(2*pi*(Emitter-Basis-Kapazität+Kollektor-Basis-Übergangskapazität))

Gesamtverlustleistung in BJT

Gehen Leistung = Kollektor-Emitter-Spannung*Kollektorstrom+Basis-Emitter-Spannung*Basisstrom

Gleichtakt-Ablehnungsverhältnis

Gehen Gleichtaktunterdrückungsverhältnis = 20*log10(Differentialmodusverstärkung/Gleichtaktverstärkung)

Unity-Gain-Bandbreite von BJT

Gehen Unity-Gain-Bandbreite = Steilheit/(Emitter-Basis-Kapazität+Kollektor-Basis-Übergangskapazität)

Referenzstrom des BJT-Spiegels

Gehen Referenzstrom = Kollektorstrom+(2*Kollektorstrom)/Gemeinsame Emitterstromverstärkung

Ausgangswiderstand von BJT

Gehen Widerstand = (Versorgungsspannung+Kollektor-Emitter-Spannung)/Kollektorstrom

Thermische Gleichgewichtskonzentration des Minoritätsladungsträgers

Gehen Thermische Gleichgewichtskonzentration = ((Intrinsische Trägerdichte)^2)/Dopingkonzentration der Base

Ausgangsspannung des BJT-Verstärkers

Gehen Ausgangsspannung = Versorgungsspannung-Stromverbrauch*Lastwiderstand

Basisstromverstärkung

Gehen Basisstromverstärkung = Gemeinsame Emitterstromverstärkung/(Gemeinsame Emitterstromverstärkung+1)

Gelieferte Gesamtleistung in BJT

Gehen Leistung = Versorgungsspannung*(Kollektorstrom+Eingangsstrom)

Kollektor-Emitter-Spannung bei Sättigung

Gehen Kollektor-Emitter-Spannung = Basis-Emitter-Spannung-Basis-Kollektor-Spannung

Basisstrom des PNP-Transistors bei gegebenem Emitterstrom

Gehen Basisstrom = Emitterstrom/(Gemeinsame Emitterstromverstärkung+1)

Basisstrom des PNP-Transistors mit Kollektorstrom

Gehen Basisstrom = Kollektorstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung

Basisstrom des PNP-Transistors mit Common-Base Current Gain

Gehen Basisstrom = (1-Basisstromverstärkung)*Emitterstrom

Kollektorstrom mit Emitterstrom

Gehen Kollektorstrom = Basisstromverstärkung*Emitterstrom

Eigener Gewinn von BJT

Gehen Eigener Gewinn = Frühe Spannung/Thermische Spannung

Kurzschluss-Transkonduktanz

Gehen Steilheit = Ausgangsstrom/Eingangsspannung

Kollektorstrom von BJT

Gehen Kollektorstrom = Emitterstrom-Basisstrom

Emitterstrom von BJT

Gehen Emitterstrom = Kollektorstrom+Basisstrom

Thermische Gleichgewichtskonzentration des Minoritätsladungsträgers Formel

Thermische Gleichgewichtskonzentration = ((Intrinsische Trägerdichte)^2)/Dopingkonzentration der Base
n_po = ((n_i)^2)/N_B

Was ist die thermische Gleichgewichtsträgerkonzentration?

Die Anzahl der Ladungsträger im Leitungs- und Valenzband ohne extern angelegte Vorspannung wird als Gleichgewichtsträgerkonzentration bezeichnet. Für Majoritätsträger ist die Gleichgewichtsträgerkonzentration gleich der intrinsischen Ladungsträgerkonzentration plus der Anzahl der freien Ladungsträger, die durch Dotieren des Halbleiters hinzugefügt werden.

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