Calculadora Factor de conversión de voltaje a frecuencia en circuitos integrados

↳

Electrónica

Ciencia de los Materiales

Civil

Eléctrico

Electrónica e instrumentación

Ingeniería de Producción

Ingeniería Química

Mecánico

⤿

Fabricación de circuitos integrados bipolares

Fabricación de circuitos integrados MOS

Schmitt Trigger

✖La frecuencia de la señal de salida se refiere a la velocidad a la que una señal cambia u oscila en un sistema eléctrico o electrónico.ⓘ Frecuencia de señal de salida [f_o]			+10% -10%
✖El voltaje de entrada es la diferencia de potencial eléctrico aplicada a los terminales de entrada de un componente o sistema.ⓘ Voltaje de entrada [V_i]			+10% -10%

✖El factor de conversión de voltaje a frecuencia en los circuitos integrados es un proceso en el que una señal de voltaje de entrada se convierte en una salida de frecuencia correspondiente.ⓘ Factor de conversión de voltaje a frecuencia en circuitos integrados [K_v]

⎘ Copiar

👎

Fórmula

✖

Factor de conversión de voltaje a frecuencia en circuitos integrados

Fórmula

`"K"_{"v"} = "f"_{"o"}/"V"_{"i"}`

Ejemplo

`"0.488889Hz/V"="1.1Hz"/"2.25V"`

Calculadora

LaTeX

Reiniciar

👍

Descargar Electrónica Fórmula PDF PDF Image

Factor de conversión de voltaje a frecuencia en circuitos integrados Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Factor de conversión de voltaje a frecuencia en circuitos integrados = Frecuencia de señal de salida/Voltaje de entrada
K_v = f_o/V_i
Esta fórmula usa 3 Variables

Variables utilizadas

Factor de conversión de voltaje a frecuencia en circuitos integrados - (Medido en Hercios por voltio) - El factor de conversión de voltaje a frecuencia en los circuitos integrados es un proceso en el que una señal de voltaje de entrada se convierte en una salida de frecuencia correspondiente.
Frecuencia de señal de salida - (Medido en hercios) - La frecuencia de la señal de salida se refiere a la velocidad a la que una señal cambia u oscila en un sistema eléctrico o electrónico.
Voltaje de entrada - (Medido en Voltio) - El voltaje de entrada es la diferencia de potencial eléctrico aplicada a los terminales de entrada de un componente o sistema.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Frecuencia de señal de salida: 1.1 hercios --> 1.1 hercios No se requiere conversión
Voltaje de entrada: 2.25 Voltio --> 2.25 Voltio No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

K_v = f_o/V_i --> 1.1/2.25

Evaluar ... ...

K_v = 0.488888888888889

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.488888888888889 Hercios por voltio --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

0.488888888888889 ≈ 0.488889 Hercios por voltio <-- Factor de conversión de voltaje a frecuencia en circuitos integrados

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Aquí estás -

Inicio » Ingenieria » Electrónica » Circuitos integrados (CI) » Fabricación de circuitos integrados bipolares » Factor de conversión de voltaje a frecuencia en circuitos integrados

Créditos

Creado por banuprakash

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

¡banuprakash ha creado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

Verificada por Santhosh Yadav

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), banglore

¡Santhosh Yadav ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

< 19 Fabricación de circuitos integrados bipolares Calculadoras

Resistencia del paralelepípedo rectangular

Vamos Resistencia = ((Resistividad*Grosor de la capa)/(Ancho de la capa difundida*Longitud de la capa difundida))*(ln(Ancho del rectángulo inferior/Longitud del rectángulo inferior)/(Ancho del rectángulo inferior-Longitud del rectángulo inferior))

Átomos de impureza por unidad de área

Vamos Impureza total = Difusión efectiva*(Área de unión de la base del emisor*((Cargar*Concentración intrínseca^2)/Colector actual)*exp(Emisor de base de voltaje/Voltaje térmico))

Conductividad del tipo P

Vamos Conductividad óhmica = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*(Concentración intrínseca^2/Concentración de equilibrio del tipo P)+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*Concentración de equilibrio del tipo P)

Conductividad de tipo N

Vamos Conductividad óhmica = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de equilibrio de tipo N+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*(Concentración intrínseca^2/Concentración de equilibrio de tipo N))

Conductividad óhmica de la impureza

Vamos Conductividad óhmica = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de electrones+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*Concentración de agujeros)

Capacitancia de la fuente de puerta dada la capacitancia de superposición

Vamos Capacitancia de la fuente de puerta = (2/3*Ancho del transistor*Longitud del transistor*Capacitancia de óxido)+(Ancho del transistor*Capacitancia de superposición)

Corriente de colector del transistor PNP

Vamos Colector actual = (Cargar*Área de unión de la base del emisor*Concentración de equilibrio de tipo N*Constante de difusión para PNP)/Ancho de la base

Corriente de saturación en transistor

Vamos Corriente de saturación = (Cargar*Área de unión de la base del emisor*Difusión efectiva*Concentración intrínseca^2)/Impureza total

Consumo de energía de carga capacitiva dado el voltaje de suministro

Vamos Consumo de energía de carga capacitiva = Capacitancia de carga*Tensión de alimentación^2*Frecuencia de señal de salida*Número total de salidas conmutadas

Resistencia laminar de la capa

Vamos Resistencia de la hoja = 1/(Cargar*Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de equilibrio de tipo N*Grosor de la capa)

Agujero de densidad actual

Vamos Densidad de corriente del agujero = Cargar*Constante de difusión para PNP*(Concentración de equilibrio del agujero/Ancho de la base)

Eficiencia de inyección del emisor

Vamos Eficiencia de inyección del emisor = Corriente del emisor/(Corriente del emisor debida a los electrones.+Corriente del emisor debido a los agujeros)

Resistencia de la capa difusa

Vamos Resistencia = (1/Conductividad óhmica)*(Longitud de la capa difundida/(Ancho de la capa difundida*Grosor de la capa))

Impureza con concentración intrínseca

Vamos Concentración intrínseca = sqrt((Concentración de electrones*Concentración de agujeros)/Impureza de temperatura)

Voltaje de ruptura del emisor colector

Vamos Voltaje de ruptura del emisor del colector = Voltaje de ruptura de la base del colector/(Ganancia actual de BJT)^(1/Número raíz)

Corriente que fluye en el diodo Zener

Vamos Corriente de diodo = (Voltaje de referencia de entrada-Voltaje de salida estable)/Resistencia Zener

Eficiencia de inyección del emisor dadas las constantes de dopaje

Vamos Eficiencia de inyección del emisor = Dopaje en el lado N/(Dopaje en el lado N+Dopaje en el lado P)

Factor de conversión de voltaje a frecuencia en circuitos integrados

Vamos Factor de conversión de voltaje a frecuencia en circuitos integrados = Frecuencia de señal de salida/Voltaje de entrada

Factor de transporte base dado el ancho de la base

Vamos Factor de transporte básico = 1-(1/2*(Ancho físico/Longitud de difusión de electrones)^2)

Factor de conversión de voltaje a frecuencia en circuitos integrados Fórmula

Factor de conversión de voltaje a frecuencia en circuitos integrados = Frecuencia de señal de salida/Voltaje de entrada
K_v = f_o/V_i

Inicio

GRATIS PDF

🔍 Búsqueda

Categorías

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!